SSD-levyjen yleistriidi

[Härkönen]

Tämä tulee nyt ulkomuistista, mutta muistaakseni Anandtech kirjoitti joskus, että Sandiskin SSD-levyt käyvät läpi pitkän testiohjelman ja se on yski harvoista valmistajista, jotka niin tekevät Intellin lisäksi.
Pahimmillaan muilla valmistajilla ei ole mitään testaamista, vaan laittavat vain komponentit kasaan ja asiakas saa testata toimiiko se suunnitellusti.

Eli kyllähän hintaan vaikuttaa muutkin kuin pelkät levyn komponentit ja ainakin ennen Sandiskillä oli se kunnossa. Mutta nykyään voi siis sitäkin epäillä.

Olisiko mitään järkeä ostaa vaikka jotain tällaistä:
Intel 480GB DC S3520 Series, 2.5" SSD-levy, SATA III, 450/380 MB/s - 345,00€

Intel DC S3520. MLC muistia ja hintaa yli tuplat halvimpiin verrattuna. Pomppaako se hinta tosiaan noin pirusti, jos haluaa varmasti laatua.

Kyllä itsekin ennemmin kattelisin Samsung 850 Evoa, noita on itselläkin ollu ja ei mitään moitittavaa, yhden halppis PNY Optiman levyn ostin varmaan 5v sitten ja vieläkin toimii kuin uusi.

 

[M_M]

3D MLC ja jopa 2D MLC on silti parempaa kuin Samsungin 3D TLC.

Esittämäsi yleistys ei ole lähtökohtaisesti järkevä - varsinkin, kun otetaan huomiion, miten pieniä muistisoluja 2D MLC:n valmistusprosessi pahimmillaan nykyään tuottaa.

Jos käytetty 2D MLC:n valmistusprosessi tuottaa jopa useita kertoja verrokkina olevaa 3D TLC:tä pienempiä muistisoluja (esim. 14 nm 2D MLC vs. 40 nm 3D TLC), ei väitteesi siis mitä todennäköisimmin pidä yleisellä tasolla paikkaansa.

3D TLC:tä käsitellään varsin kattavasti esim. seuraavassa artikkelissa:
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

Truth to be told, 3D technology is ideal for TLC.
...
The key aspect of 3D V-NAND is the process node. By going back to 40nm lithography, the number of electrons increase exponentially, which makes TLC a much more viable technology than it was with modern planar NAND. Obviously, V-NAND doesn't change the basics of TLC NAND because it still takes eight voltage states to differentiate all the possible 3-bit outputs, but thanks to the increased number of electrons there is more breathing room between the states and thus the cells are more error tolerant.

 

[Threadripper]

Jos haluaa markkinoiden parasta nopeutta edullisesti, pienimmän 250GB 960 EVOn 13GB välimuisti riittää peruskäytössä kaikkeen. Erikoisempiin käyttökohteisiin kuten ammattimaiseen 4k-videoeditointiin löytyy parempia vaihtoehtoja (esim. 960 Pro).

Peruskäytössä myös halvemmat SSD:t ovat riittävän nopeita eikä nopeus tipu samaan tapaan kukin 850 Evossa kun cache loppuu.

Mm. Corsair, Kingston ja Transcend merkeiltä en suosittelisi ostamaan sokkona mitä tahansa malleja.

Ei Samsungiltakaan kannata ostaa sokkona mitä tahansa.

SanDisk Ultra II 2.5" 480GB SATA III Internal Solid State Drive (SSD) SDSSDHII-480G-G25 - Newegg.com - Newegg.com

Jotkin Sandiskit ovat keränneet huomattavasti normaalia enemmän negatiivista palautetta joista monissa valitetaan alle kahden ja jopa alle vuoden sisään kuolleista levyistä. Tuohon ei näköjään testaaminen auta.

Hintaan ja varsinkin laatuun vaikuttaa kaikki. Parhaaseen tulokseen on mahdollista päästä, kun kaikki, muistipiirit, ohjain, firmware, kokoonpano ja piirien valmistus tehdään saman talon sisällä (mutta tämäkään ei tietenkään takaa automaattisesti menestystä).

Ei noilla palautteilla ole mitään arvoa. Voivat ihan hyvin olla Samsungin maksamia.

Samsungin laatu nimenomaan on ollut huonompaa kun kaikki tehdään saman tason sisällä. Mahdollistaa edektin jossa porukka kuvittelee saavansa laatua.

Varmaa laatua ja suorituskykyä edullisesti tarjoaa mm. Samsung 850 Evo. Jos nopeudella ei ole merkitystä ja on pakko saada MLC:a, niin Crucial BX300 on edullinen vaihtoehto.

Samsung ja varma laatu

Esittämäsi yleistys ei ole lähtökohtaisesti järkevä - varsinkin, kun otetaan huomiion, miten pieniä muistisoluja 2D MLC:n valmistusprosessi pahimmillaan nykyään tuottaa.

Jos käytetty 2D MLC:n valmistusprosessi tuottaa jopa useita kertoja verrokkina olevaa 3D TLC:tä pienempiä muistisoluja (esim. 14 nm 2D MLC vs. 40 nm 3D TLC), ei väitteesi siis mitä todennäköisimmin pidä yleisellä tasolla paikkaansa.

3D TLC:tä käsitellään varsin kattavasti esim. seuraavassa artikkelissa:
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

​

Miksi ei pitäisi? Sama sivusto kehui maasta taivaaseen 840 Evon (huolimatta ilmiselvistä riskeistä ja kovasta hinnasta) joten eipä kannata käyttää minkäänlaisena lähteenä tässä asiassa.

Tosin, asiaakin kirjoittavat tuossa, pitää vaan lihavoida se oikea osuus.

Obviously, V-NAND doesn't change the basics of TLC NAND because it still takes eight voltage states to differentiate all the possible 3-bit outputs, but thanks to the increased number of electrons there is more breathing room between the states and thus the cells are more error tolerant.

Kertoo aika paljon että V-NAND:a pitää tehdä noin 8 vuoden ikäisellä 40nm prosessilla eikä se silti pääse lähellekään 2D MLC:n luotettavuutta. Lisäksi 40nm tekniikalla kun valmistetaan, saadaan aika vähän tavaraa per kiekko. Eikös NAND:sta ollut pulaa? Tuossa yksi syy pulaan.

 

[kurkimies]

Intel tutkii QLC-tekniikkaa halvempien SSD-asemien toivossa | Muropaketti.com

Tuossa on pitkät keskustelut TLC:een kuin MLC:een puolesta.

 

[M_M]

Samsung ja varma laatu

Suosittelen, että jatkossa edes yrittäisit perustella väittämäsi Samsung 850 EVO:n osalta asiantuntevilla lähteillä/arvioilla.
Yllä olevan kaltaiset kommentit eivät edistä keskustelua millään tavalla.

Miksi ei pitäisi?

Kuten totesin: Siksi, että sekä käytetty 3D V-NAND-tekniikka että erityisesti monta kertaa suurempi muistisolujen koko ovat lähtökohtaisesti varsin selkeitä parannuksia perinteiseen 2D-toteutukseen verrattuna.

Sama sivusto kehui maasta taivaaseen 840 Evon (huolimatta ilmiselvistä riskeistä ja kovasta hinnasta) joten eipä kannata käyttää minkäänlaisena lähteenä tässä asiassa.

Anandtechin artikkelit/arviot ovat erittäin asiantuntevia ja myös 840 EVO:n riskit verrattuna esim. MLC-toteutuksiin käytiin aikoinaan hyvinkin tarkkaan läpi. Tässä kohtaa kannattaisikin yrittää sisäistää se, ettei yksikään SSD-arvioita kirjoittava voi ottaa arviossaan huomioon esim. vuoden päästä laitteen julkaisusta havaittavia rauta- tai softa-tason viasta/bugeista johtuvia ongelmia. Sen sijaan Anandtech toimi 840 EVO:n kohdalla niinkuin ammattitaitoisen lähteen tuleekin toimia, eli he raportoivat ongelmista heti ongelmien ilmettyä sekä esittivät omia arvioitaan ongelmien syistä. Lisäksi he uutisoivat hyvinkin tarkkaan ongelmien ratkaisun edistymisestä.

Anandtechin 3D V-NANDia käsittelevät artikkelit ovat erittäin laadukkaita ja suosittelenkin, että lukaiset vaikkapa seuraavan artikkelin läpi, niin saat paremman käsityksen siitä, mistä on kyse:
Samsung SSD 850 Pro (128GB, 256GB & 1TB) Review: Enter the 3D Era

Tosin, asiaakin kirjoittavat tuossa, pitää vaan lihavoida se oikea osuus.

Osoitat lähinnä oman tietämättömyytesi korostamalla kaikkien hyvin tuntemaa MLC:n ja TLC:n eroa toteutustavassa. Samalla unohdat sen oleellisimman, eli 3D V-NAND:in ja perinteisen (2D) NAND:in erot toteutustavassa sekä erot muistosolujen koossa:
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

Truth to be told, 3D technology is ideal for TLC.
...
The key aspect of 3D V-NAND is the process node. By going back to 40nm lithography, the number of electrons increase exponentially, which makes TLC a much more viable technology than it was with modern planar NAND. Obviously, V-NAND doesn't change the basics of TLC NAND because it still takes eight voltage states to differentiate all the possible 3-bit outputs, but thanks to the increased number of electrons there is more breathing room between the states and thus the cells are more error tolerant.

Kertoo aika paljon että V-NAND:a pitää tehdä noin 8 vuoden ikäisellä 40nm prosessilla eikä se silti pääse lähellekään 2D MLC:n luotettavuutta. Lisäksi 40nm tekniikalla kun valmistetaan, saadaan aika vähän tavaraa per kiekko. Eikös NAND:sta ollut pulaa? Tuossa yksi syy pulaan.

Väitteesi eivät pidä paikkaansa ja kertovat lähinnä karulla tavalla sen, ettet ymmärrä kunnolla 3D V-NAND:in ja perinteisen (2D) NAND:in eroa:
Samsung SSD 850 Pro (128GB, 256GB & 1TB) Review: Enter the 3D Era

What 3D NAND does is add a Z-axis to the game. Because it stacks cells vertically, it is no longer as dependent on the X and Y axes since the die size can be reduced by adding more layers. As a result, Samsung's V-NAND takes a more relaxed position on the X and Y axes by going back to a 40nm process node, which increases the cell size and leaves more room between individual cells, eliminating the major issues 2D NAND has. The high amount of layers compensates for the much larger process node, resulting in a die that is the same size and capacity as the state of the art 2D NAND dies but without the caveats.

 

[Threadripper]

Suosittelen, että jatkossa edes yrittäisit perustella väittämäsi Samsung 850 EVO:n osalta asiantuntevilla lähteillä/arvioilla.
Yllä olevan kaltaiset kommentit eivät edistä keskustelua millään tavalla.

Samsungin "varma laatu" käsiteltiin aika moneen kertaan. Historian perusteella Samsungin "varmasta laadusta" puhuminen on puhdasta trollausta.

Kuten totesin: Siksi, että sekä käytetty 3D V-NAND-tekniikka että erityisesti monta kertaa suurempi muistisolujen koko ovat lähtökohtaisesti varsin selkeitä parannuksia perinteiseen 2D-toteutukseen verrattuna.

Niin ovat mutteivät riittäviä.

Anandtechin artikkelit/arviot ovat erittäin asiantuntevia ja myös 840 EVO:n riskit verrattuna esim. MLC-toteutuksiin käytiin aikoinaan hyvinkin tarkkaan läpi. Tässä kohtaa kannattaisikin yrittää sisäistää se, ettei yksikään SSD-arvioita kirjoittava voi ottaa arviossaan huomioon esim. vuoden päästä laitteen julkaisusta havaittavia rauta- tai softa-tason viasta/bugeista johtuvia ongelmia. Sen sijaan Anandtech toimi 840 EVO:n kohdalla niinkuin ammattitaitoisen lähteen tuleekin toimia, eli he raportoivat ongelmista heti ongelmien ilmettyä sekä esittivät omia arvioitaan ongelmien syistä. Lisäksi he uutisoivat hyvinkin tarkkaan ongelmien ratkaisun edistymisestä.

Anandtechin 3D V-NANDia käsittelevät artikkelit ovat erittäin laadukkaita ja suosittelenkin, että lukaiset vaikkapa seuraavan artikkelin läpi, niin saat paremman käsityksen siitä, mistä on kyse:
Samsung SSD 850 Pro (128GB, 256GB & 1TB) Review: Enter the 3D Era

Riskejä ei lähellekään tarpeeksi käyty läpi. Ongelma oli siinä ettei Anandtech mm. ymmärtänyt samaa minä ymmärsi hyvin moni muu: miksi maksaa kokeellista TLC käyttävästä levystä enemmän kuin "varmasti toimivasta MLC levystä? Niin, miksi? No koska se Samsung pärjää joissakin pikatesteissä pikkuisen paremmin "eikä voi tietää" TLC:sta tulevan ongelmia koska ne eivät pikatesteissä näy.

Kun luet vaikka tuota artikkelia, siellä ei kyllä käydä mitenkään läpi TLC:n riskejä Samsung SSD 840 EVO Review: 120GB, 250GB, 500GB, 750GB & 1TB Models Tested

Ennemmin siellä todetaan TLC:n olevan riittävän kestävää ja muuta vastaavaa kehua joka haisee maksetulta mainokselta. Eipä ihme että kirjoittaja kelpasi Applelle töihin.

Osoitat lähinnä oman tietämättömyytesi korostamalla kaikkien hyvin tuntemaa MLC:n ja TLC:n eroa toteutustavassa. Samalla unohdat sen oleellisimman, eli 3D V-NAND:in ja perinteisen (2D) NAND:in erot toteutustavassa sekä erot muistosolujen koossa:
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

Vaikka olisi 5D NAND:a, TLC:n olennaisin asia (3 bittiä per solu) on ja pysyy.

Väitteesi eivät pidä paikkaansa ja kertovat lähinnä karulla tavalla sen, ettet ymmärrä kunnolla 3D V-NAND:in ja perinteisen (2D) NAND:in eroa:
Samsung SSD 850 Pro (128GB, 256GB & 1TB) Review: Enter the 3D Era

Teoria sitä ja tätä. Kun katsotaan käytäntöön, huomataan ettei asia mene kuten Samsungin tai Anandtechin markkinointiroska yrittää selittää. Samsungin 40nm V-NAND:n kestävyys (sekä TLC että MLC) ei ole juurikaan parempi kuin 2D NAND:ssa. Sitä voisi tietenkin selittää Samsungin levyjen alhaisella hinnalla (alempi hinta = lyhempi takuu ja lyhyempi luvattu kestävyys). Kun hintoja katsoo, Samsungin levyt ovat niin selvästi kalliimpia kuin kilpailijoilla ettei alhainen hinta kelpaa slelitykseksi huonosta kestävyydestä.

Siksi voidaan todeta etteivät Samsungin ja Anandtechin höpinät pidä paikkaansa tai Samsungit ovat pahasti ylihinnoiteltuja. Oli syy kumpi tahansa tai molemmat, Samsungit kannattaa jättää ostamatta.

 

[M_M]

Samsungin "varma laatu" käsiteltiin aika moneen kertaan. Historian perusteella Samsungin "varmasta laadusta" puhuminen on puhdasta trollausta.

Samalla perusteella käytännössä minkä tahansa valmistajan kohdalla "varmasta laadusta" puhuminen on puhdasta trollausta. Itse en näe mitään järkeä "varmasta laadusta" puhumisessa... Mutta toisaalta samoin sinun tapasi tehdä yleistyksiä yksittäisten mallien perusteella on puhdasta trollausta.

Kuitenkin historiankin perusteella Samsung on yksi laadukkaimmista SSD-valmistajista.

Niin ovat mutteivät riittäviä.

Ovat riittäviä, kuten 3D TLC:tä käyttävien SSD-asemien arvioista voidaan varsin selkeästi todeta.

Riskejä ei lähellekään tarpeeksi käyty läpi. Ongelma oli siinä ettei Anandtech mm. ymmärtänyt samaa minä ymmärsi hyvin moni muu: miksi maksaa kokeellista TLC käyttävästä levystä enemmän kuin "varmasti toimivasta MLC levystä? Niin, miksi? No koska se Samsung pärjää joissakin pikatesteissä pikkuisen paremmin "eikä voi tietää" TLC:sta tulevan ongelmia koska ne eivät pikatesteissä näy.

Tilannehan on juurikin se, mitä itsekin totesit.

Samoin et myöskään voi tietää varmasti ongelmista, joita kokeellinen, aiempaa selkeästi pienempi muistisolun koko aiheuttaa, vaan arviot joudutaan tekemään saatavilla olevan tiedon perusteella.

Myös MLC-levyissä on ollut omat ongelmansa, joita ei lyhyen testaamisen perusteella tehdyissä arvioissa huomattu.

Uusi tekniikka on tottakai aina jonkinlainen riski, oli sitten kyseessä vasta käyttöön otettu TLC tai 3D V-NAND tai vaikkapa aiempaa selkeästi pienempiä muistisoluja käyttävä MLC-pohjainen ratkaisu... Se on kuitenkin fakta, että uutta tekniikkaa on tuotu myös MLC-pohjaisiin SSD-asemiin viime vuosina.

Kun luet vaikka tuota artikkelia, siellä ei kyllä käydä mitenkään läpi TLC:n riskejä Samsung SSD 840 EVO Review: 120GB, 250GB, 500GB, 750GB & 1TB Models Tested

Ennemmin siellä todetaan TLC:n olevan riittävän kestävää ja muuta vastaavaa kehua joka haisee maksetulta mainokselta. Eipä ihme että kirjoittaja kelpasi Applelle töihin.

TLC:n osalta arviossa viitattiin mm. seuraavaan artikkeliin, jossa käydään TLC:n ongelmia tarkemmin läpi:
Samsung SSD 840: Testing the Endurance of TLC NAND

Artikkelissa esitetyt faktat pitävät kuitenkin paikkansa, vaikka firmwaresta löytyikin möyhemmin (lukunopeuksia kuukausien käytön jälkeen heikentävä) bugi, joka 840 EVO:n osalta korjattiin. Ja koska 840 EVO oli jo toisen sukupolven TLC-toteutus (840:n jälkeen), ei kyseessä ollut enää edes aivan uusi tekniikka, vaikka toki yksi oleellinen muutos oli muistisolujen koko, joka vähemmän yllättäen pieneni edellisestä sukupolvesta.

Vaikka olisi 5D NAND:a, TLC:n olennaisin asia (3 bittiä per solu) on ja pysyy.

Yksi olennaisimmista asioista on se, kuinka pieneen tilaan ne bitit tungetaan - oli kyseessä sitten SLC, MLC tai TLC. Ja tuota perustavaa laatua olevaa faktaa et jostain syystä hahmota.

Teoria sitä ja tätä. Kun katsotaan käytäntöön, huomataan ettei asia mene kuten Samsungin tai Anandtechin markkinointiroska yrittää selittää. Samsungin 40nm V-NAND:n kestävyys (sekä TLC että MLC) ei ole juurikaan parempi kuin 2D NAND:ssa. Sitä voisi tietenkin selittää Samsungin levyjen alhaisella hinnalla (alempi hinta = lyhempi takuu ja lyhyempi luvattu kestävyys). Kun hintoja katsoo, Samsungin levyt ovat niin selvästi kalliimpia kuin kilpailijoilla ettei alhainen hinta kelpaa slelitykseksi huonosta kestävyydestä.

Laitappa jatkossa lähteitä väittämiesi tueksi!
Nyt lähinnä lauot omia mutuilujasi, joista paistaa läpi turhankin usein oma tietämättömyytesi.

Siksi voidaan todeta etteivät Samsungin ja Anandtechin höpinät pidä paikkaansa tai Samsungit ovat pahasti ylihinnoiteltuja. Oli syy kumpi tahansa tai molemmat, Samsungit kannattaa jättää ostamatta.

Samsungilta on löytynyt ja löytyy edelleen hinta/laatusuhteeltaan kilpailukykyisiä tuotteita. Mutta niin löytyy muiltakin valmistajilta, kuten myös Anandtechin pääsääntöisesti erittäin laadukkaasti toteutetuista arvioista voidaan todeta.

Koska et osaa perustella väittämiäsi asiantuntevilla & luotettavilla lähteillä tai edes yleisesti saatavilla olevilla faktoilla, voidaan todeta, että esimerkiksi Anandtechin artikkelit ovat melkoisen paljon sinun esittämiäsi väittämiä uskottavampia...

 

[Threadripper]

Samalla perusteella käytännössä minkä tahansa valmistajan kohdalla "varmasta laadusta" puhuminen on puhdasta trollausta... Samoin kuin sinun tapasi tehdä yleistyksiä yksittäisten mallien perusteella.

Kuitenkin historiankin perusteella Samsung on yksi laadukkaimmista SSD-valmistajista.

840 ja 840 Evo pilaavat historian hyvin tehokkasti. Kerroppa mitä vastaavia löytyy muilta valmistajilta tällä vuosikymmenellä?

Ovat riittäviä, kuten 3D TLC:tä käyttävien SSD-asemien arvioista voidaan varsin selkeästi todeta.

Eikä voida koska kestävyys suhteessa hintaan on huonompaa kuin MLC levyissä.

Tilannehan on juurikin se, mitä itsekin totesit.

Samoin et myöskään voi tietää varmasti ongelmista, joita kokeellinen, aiempaa selkeästi pienempi muistisolun koko aiheuttaa, vaan arviot joudutaan tekemään saatavilla olevan tiedon perusteella.

Myös MLC-levyissä on ollut omat ongelmansa, joita ei lyhyen testaamisen perusteella tehdyissä arvioissa huomattu.

Uusi tekniikka on tottakai aina jonkinlainen riski, oli sitten kyseessä vasta käyttöön otettu TLC tai 3D V-NAND tai vaikkapa aiempaa selkeästi pienempiä muistisoluja käyttävä MLC-pohjainen ratkaisu... Se on kuitenkin fakta, että uutta tekniikkaa on tuotu myös MLC-pohjaisiin SSD-asemiin viime vuosina.

Sitä ei voikaan varmasti tietää. Samoin voi miettiä kannattaako asiassa ottaa riskiä kun tarjolla on toimivaa tekniikkaa halvemmalla. Se on pääpointti asiassa.

MLC on vuosien varrella osoittautunut niin toimintavarmaksi ettei valmistustekniikan pienentämisellä voi olettaa olevan kovin pahoja ongelmia. Eri asia on kokeellinen TLC pienellä valmistustekniikalla. Muiden valmistajien tapauksessa 3D MLC on tarjonnut usein selkeää hintaetua joka perustelee pienen riskin ottamisen.

TLC:n osalta arviossa viitattiin mm. seuraavaan artikkeliin, jossa käydään TLC:n ongelmia tarkemmin läpi:
Samsung SSD 840: Testing the Endurance of TLC NAND

Artikkelissa esitetyt faktat pitävät kuitenkin paikkansa, vaikka firmwaresta löytyikin möyhemmin (lukunopeuksia kuukausien käytön jälkeen heikentävä) bugi, joka 840 EVO:n osalta korjattiin.

Ei tule kenellekään yllätyksenä ettei kestävyys ole ainoa tekijä. Datan säilyvyys on toinen. Tuo 840 Evo:n "korjaus" lyhentää levyn elinikää eikä edes toimi kaikilla levyillä, eli ei voida puhua korjauksesta vaan purkkapaikasta. 840:lla kesti 3 vuotta saada edes purkkapaikka.

Yksi olennaisimmista asioista on se, kuinka pieneen tilaan ne bitit tungetaan - oli kyseessä sitten SLC, MLC tai TLC. Ja tuota perustavaa laatua olevaa faktaa et jostain syystä hahmota.

Ja vielä olennaisempi on montako bittiä per solu laitetaan.

Laitappa jatkossa lähteitä väittämiesi tueksi!
Nyt lähinnä lauot omia mutuilujasi, joista paistaa läpi turhankin usein oma tietämättömyytesi.

Esität asiantuntijaa mutta googlen käyttö tuntuu olevan mahdotonta. Autetaampa hakusanoilla:

Googleen 850 Evo 1TB endurance TBW

Se on 150 TBW.

Googleen 1TB MLC endurance TBW -samsung

(ensimmäinen ja toinen tulos jotain serverikamaa)

ADATA SU900 512GB Ultimate SATA SSD Review - Legit Reviews

A-Data SU900:lle annetaan 800 TBW

Harmi kyllä, 3D MLC joten muutetaan hakusanoja:

Googleen 1TB MLC endurance TBW -samsung -3D

Vastaan tuli 3 vuotta vanha Micron M600: Micron's M600 solid-state drive reviewed

400 TBW

Vaidetaan -3d Planariin ja lisätään SATA:

Googleen 1TB MLC endurance TBW -samsung planar SATA

Ensimmäinen tulos: Western Digital Blue 1TB SATA III SSD Review

400 TBW

Kyllä oli vaikeaa googletusta

Johtopäätökset: Samsungin 40nm V-NAND TLC on noin 2,5 kertaa huonommin kestävää kuin 15nm 2D MLC ja noin 5 kertaa huonommin kestävää kuin 3D MLC.

1TB 850 Pro:n MLC V-NAND tarjoaa mahtavat 400 TBW, eli pääsee samalle tasolle kuin selvästi halvemmat 2D MLC:t. 3D MLC:t menevätkin omilla lukemillaan.

Samsungilta on löytynyt ja löytyy edelleen hinta/laatusuhteeltaan kilpailukykyisiä tuotteita.

Koska et osaa perustella väittämiäsi asiantuntevilla & luotettavilla lähteillä tai edes yleisesti saatavilla olevilla faktoilla, voidaan todeta, että esimerkiksi Anandtechin artikkelit ovat melkoisen paljon sinun esittämiäsi väittämiä uskottavampia...

Hinnaltaan Samsungit eivät ole kilpailukykyisiä koska laatu/kestävyys/hinta eivät kohtaa alkuunkaan kilpailijoihin nähden. Kerroppa näitä "hinnaltaan kilpailukykyisiä tuotteita" kun mukaan otetaan myös muuta kuin pelkkä hinta? Vähissä ovat.

Tai sitten en jaksa toistaa joka viestissä itsestään selviä asioita jotka löytyvät alle puolessa minuutissa googlella.

 

[M_M]

840 ja 840 Evo pilaavat historian hyvin tehokkasti. Kerroppa mitä vastaavia löytyy muilta valmistajilta tällä vuosikymmenellä?

Itse esimerkiksi kärsin tunnetusta Crucial MX100:n bugista, jonka myötä koko SSD-asema katosi ajoittain systeemistä. En silti edes yritä tehdä typeriä yleistyksiä Crucialin osalta.

Myös Intelillä on ollut omat ongelmansa, kuten vaikkapa nk. 8MB bugin aiheuttamat ongelmat:
Huge Bug in Intel SSDs: Complete Recovery Information Here - Tested

Intel SSDs have a major firmware bug: under certain power loss conditions, the drive can become completely bricked and unbootable. This bug will manifest itself by displaying a drive size of 8MB and a serial number of "BAD_CTX 00000130" in the BIOS.

Toisaalta 840:n ja 840 EVO:n ongelmat aiheuttivat vain ja ainoastaan lukunopeuksien hidastumista, eivät paljon kohtalokkaampia SSD-aseman katoamisia systeemistä tai SSD-asemien brickaantumisia.

Koko keskustelu lähti liikkeelle 3D V-NANDista, joka eroaa myös TLC:n osalta selkeästi perinteisestä 2D-toteutuksesta. Siksi onkin varsin kyseenalaista nostaa keskusteluun mukaan jotain jo ajat sitten markkinoilta poistuneita 2D-toteutusta käyttäviä SSD-asemia.

Eikä voida koska kestävyys suhteessa hintaan on huonompaa kuin MLC levyissä.

Teet taas kerran typerän yleistyksen, jota et edes osaa perustella...

Lähtökohtaisesti kirjoituskestävyys ei ole SSD-asemille ongelma ja noin muuten kestävyyden arvioiminen yleisellä tasolla esim. 3D V-NAND TLC vs. 2D MLC on käytännössä hankalaa ja yleistyksien tekeminen mahdotonta.

Sitä ei voikaan varmasti tietää. Samoin voi miettiä kannattaako asiassa ottaa riskiä kun tarjolla on toimivaa tekniikkaa halvemmalla. Se on pääpointti asiassa.

Jo useamman vuoden käytössä ollut 3D V-NAND ei ole enää nykyään tekniikkana edes lähtökohtaisesti epävarmaa!

MLC on vuosien varrella osoittautunut niin toimintavarmaksi ettei valmistustekniikan pienentämisellä voi olettaa olevan kovin pahoja ongelmia. Eri asia on kokeellinen TLC pienellä valmistustekniikalla. Muiden valmistajien tapauksessa 3D MLC on tarjonnut usein selkeää hintaetua joka perustelee pienen riskin ottamisen.

Väärin. Kun valmistustekniikassa siirrytään reilusti alle 20 nm tuotantoprosessiin, on syytä ottaa huomioon riskien voimakas kasvu.

Ei tule kenellekään yllätyksenä ettei kestävyys ole ainoa tekijä. Datan säilyvyys on toinen. Tuo 840 Evo:n "korjaus" lyhentää levyn elinikää eikä edes toimi kaikilla levyillä, eli ei voida puhua korjauksesta vaan purkkapaikasta. 840:lla kesti 3 vuotta saada edes purkkapaikka.

840 EVO:n korjaus ei käytännössä lyhentänyt normaalikäytössä olevan SSD-aseman elinikää, joten sikäli korjaus on hyvä ja toimiva. Mutta ei korjaus toki raudaltaan viallisia SSD-asemia korjannut!

Ja vielä olennaisempi on montako bittiä per solu laitetaan.

Vain silloin jos käytössä on sama tekniikka ja samankokoisia muistisoluja tuottava tuotantoprosessi.
Olennaisin yleisellä tasolla on kuitenkin muistisolun koko.

Esität asiantuntijaa mutta googlen käyttö tuntuu olevan mahdotonta. Autetaampa hakusanoilla:

Googleen 850 Evo 1TB endurance TBW

Se on 150 TBW.
...
Kyllä oli vaikeaa googletusta

Koetappa Googlettaa mitä TBW tarkoittaa! Nyt nimittäin vaikuttaa siltä, ettet ymmärrä mistä tuo TBW-arvo eri SSD-asemille ilmestyy ja mitä käytännön merkitystä TBW-arvolla on...

Johtopäätökset: Samsungin 40nm V-NAND TLC on noin 2,5 kertaa huonommin kestävää kuin 15nm 2D MLC ja noin 5 kertaa huonommin kestävää kuin 3D MLC.

1TB 850 Pro:n MLC V-NAND tarjoaa mahtavat 400 TBW, eli pääsee samalle tasolle kuin selvästi halvemmat 2D MLC:t. 3D MLC:t menevätkin omilla lukemillaan.

Tuo TBW-arvo on vain valmistajan oma, "hatusta" vetämä arvo kirjoituskestävyydelle, joten kyseisen arvon perusteella tehdyt päätelmät menevät varsin usein pahasti metsään - ellet sitten arvosta valmistajia sen mukaan kuka uskaltaa mainostaa tuotetiedoissaan suurinta TBW-arvoa.
Väännetäänpä esimerkki rautalangasta: Vastaavasti auton valmistajat voisivat antaa autolle vuoden takuun, mutta mainostaa samalla miljoonan ajokilometrin kestävyyttä. Ja takuun päättymisen ratkaisee kumpi tulee ensin täyteen... (Kumpikohan normaalikäytössä?)

Käytännössä noilla TBW-arvoilla ei ole normaalissa kotikäytössä mitään merkitystä, koska lähtökohtaisesti SSD-asemat kestävät kirjoitusta enemmän kuin tarpeeksi:
The SSD Endurance Experiment: They're all dead

Over the past 18 months, we've watched modern SSDs easily write far more data than most consumers will ever need. Errors didn't strike the Samsung 840 Series until after 300TB of writes, and it took over 700TB to induce the first failures.

TBW-arvoa tärkeämpi osoitus valmistajan luotosta SSD-asemansa kestävyyteen on takuuaika.

Hinnaltaan Samsungit eivät ole kilpailukykyisiä koska laatu/kestävyys/hinta eivät kohtaa alkuunkaan kilpailijoihin nähden. Kerroppa näitä "hinnaltaan kilpailukykyisiä tuotteita" kun mukaan otetaan myös muuta kuin pelkkä hinta? Vähissä ovat.

Tai sitten en jaksa toistaa joka viestissä itsestään selviä asioita jotka löytyvät alle puolessa minuutissa googlella.

Ei siinä paljon Google auta, jollet ymmärrä Googlettamiesi artikkelien sisältöä!

 

[Lallijuoppo]

Riskejä ei lähellekään tarpeeksi käyty läpi. Ongelma oli siinä ettei Anandtech mm. ymmärtänyt samaa minä ymmärsi hyvin moni muu: miksi maksaa kokeellista TLC käyttävästä levystä enemmän kuin "varmasti toimivasta MLC levystä?

Heh, että tietotekniikassa käytetään kokeellista tekniikkaa? Olipa yllätys. Joka ikinen vuosi, aivan jokainen valmistaja tuo lähes kaikkiin tuotteisiinsa uutta tekniikkaa, jota ei ole ehditty kunnolla testaamaan missään. Teoreettisesti se toimii, mutta aivan jokainen valmistaja on joskus joutunut sen tosiasian eteen, että nyt osui tuulettimeen.

Samsungin ssd-levyjä myydään niin pirusti, että jos niissä on oikeasti jotain suuremman luokan ongelmaa, niin siitä olisi kyllä ihan faktaa tarjolla eikä pelkkää mutua. Eikä sitä faktaa ole ilmeisesti tarjolla kuin yhdestä mallista, joka on poistunut myynnistä ajat sitten. Ja vaikka kyseinen levy on surkea, niin siitä huolimatta tämäkin viesti lähtee kyseisen levyn avustuksella. On se jo tähänkin mennessä ollut hintansa arvoinen.

Itsellä on jostain syystä ollut viime vuosina ollut ongelmia näytönohjaimien kanssa. Viimeksi AMD hajosi lähes heti takuun jälkeen eikä Nvidiakaan näköjään parempaa tee, kun se on alkanut säännöllisin väliajoin hyytymään. Ruutu jämähtää kiinni, ilmeisesti windows huomaa sen ja boottaa näyttiksen uudestaan käyntiin. Ruutu pimenee ja palautuu hetken päästä ilmoituksella, että näytöohjain palautui jostain vikatilasta tms. Sekin toki taas heti takuun päättymisen jälkeen. Toki kumpikin vika ei välttämättä liity mitenkään AMD:n tai Nvidian piikkiin vaan sen kolmannen osapuolen, joka on jostain komponenteissa säästänyt liikaa. Taipanpa seuraavaksi testata jotain oc-mallia, jossa pitäisi olla paremmat komponentit kuin normaaleissa malleissa.

Mutta oma oletukseni kuitenkin on, että ssd lienee yksi varmimmin toimivista komponenteissa, jos se on edes jonkun tunnetun valmistajan tekemä eikä mikään nimetön kiinalainen ebaysta.

 

[Threadripper]

Itse esimerkiksi kärsin tunnetusta Crucial MX100:n bugista, jonka myötä koko SSD-asema katosi ajoittain systeemistä. En silti edes yritä tehdä typeriä yleistyksiä Crucialin osalta.

Myös Intelillä on ollut omat ongelmansa, kuten vaikkapa nk. 8MB bugin aiheuttamat ongelmat:
Huge Bug in Intel SSDs: Complete Recovery Information Here - Tested

​

Toisaalta 840:n ja 840 EVO:n ongelmat aiheuttivat vain ja ainoastaan lukunopeuksien hidastumista, eivät paljon kohtalokkaampia SSD-aseman katoamisia systeemistä tai SSD-asemien brickaantumisia.

Koko keskustelu lähti liikkeelle 3D V-NANDista, joka eroaa myös TLC:n osalta selkeästi perinteisestä 2D-toteutuksesta. Siksi onkin varsin kyseenalaista nostaa keskusteluun mukaan jotain jo ajat sitten markkinoilta poistuneita 2D-toteutusta käyttäviä SSD-asemia.

Crucial MX100 itsellänikin oli eikä ollut ongelmaa, ei edes vanhalla firmwarella. Uusi firmware korjasi ongelman kokonaan. Samaten Intelin bugi oli puhtaasti firmware pohjainen eikä vaikuttanut kaikkiin käyttäjiin.

840 ja 840 Evon rikkinäiset NAND piirit sen sijaan olivat rikki kaikilla eikä niitä pystytty korjaamaan. Puhutaan siis täysin eri kokoluokan ongelmista.

Samalla tavalla kun V-NAND sai kehuja, sai myös Samsungin TLC. Siinä mielessä bugisen TLC:n voi nostaa tässä yhteydessä esiin.

Teet taas kerran typerän yleistyksen, jota et edes osaa perustella...

Lähtökohtaisesti kirjoituskestävyys ei ole SSD-asemille ongelma ja noin muuten kestävyyden arvioiminen yleisellä tasolla esim. 3D V-NAND TLC vs. 2D MLC on käytännössä hankalaa ja yleistyksien tekeminen mahdotonta.

Mikäli valmistaja itse ei usko V-NAND:n hyvään kirjoituskestävyyteen, miksi kenenkään muun pitäisi uskoa?

Jo useamman vuoden käytössä ollut 3D V-NAND ei ole enää nykyään tekniikkana edes lähtökohtaisesti epävarmaa!

Kesti TLC:n tapauksessakin jonkin aikaa huomata levyn olevan hitaampi kuin kovalevy. Tuskin kaikki edes huomasivat

Väärin. Kun valmistustekniikassa siirrytään reilusti alle 20 nm tuotantoprosessiin, on syytä ottaa huomioon riskien voimakas kasvu.

Mistä tuo 20nm raja tulee?

840 EVO:n korjaus ei käytännössä lyhentänyt normaalikäytössä olevan SSD-aseman elinikää, joten sikäli korjaus on hyvä ja toimiva. Mutta ei korjaus toki raudaltaan viallisia SSD-asemia korjannut!

Kaikki 840 Evo:t ovat rautapuolen osalta viallisia. Se ei siis korjannut mitään vaan on purkkapaikka.

Vain silloin jos käytössä on sama tekniikka ja samankokoisia muistisoluja tuottava tuotantoprosessi. Olennaisin yleisellä tasolla on kuitenkin muistisolun koko.

Saatavilla olevat faktat kertovat ihan muuta. Bittejä per solu ratkaisee ensisijaisesti.

Koetappa Googlettaa mitä TBW tarkoittaa! Nyt nimittäin vaikuttaa siltä, ettet ymmärrä mistä tuo TBW-arvo eri SSD-asemille ilmestyy ja mitä käytännön merkitystä TBW-arvolla on...

Puhut kestävyydestä ja valmistajan lupaama TBW arvo on erinomainen mittari kestävyydelle. Mikäli hinnassa ei ole pihistelty.

Tuo TBW-arvo on vain valmistajan oma, "hatusta" vetämä arvo kirjoituskestävyydelle, joten kyseisen arvon perusteella tehdyt päätelmät menevät varsin usein pahasti metsään - ellet sitten arvosta valmistajia sen mukaan kuka uskaltaa mainostaa tuotetiedoissaan suurinta TBW-arvoa.
Väännetäänpä esimerkki rautalangasta: Vastaavasti auton valmistajat voisivat antaa autolle vuoden takuun, mutta mainostaa samalla miljoonan ajokilometrin kestävyyttä. Ja takuun päättymisen ratkaisee kumpi tulee ensin täyteen... (Kumpikohan normaalikäytössä?)

Käytännössä noilla TBW-arvoilla ei ole normaalissa kotikäytössä mitään merkitystä, koska lähtökohtaisesti SSD-asemat kestävät kirjoitusta enemmän kuin tarpeeksi:
The SSD Endurance Experiment: They're all dead

​

Kysyn uudelleen: mikäli valmistaja itse ei usko kestävyyteen, miksi kenenkään muun pitäisi uskoa? Selität Samsungin V-NAND:n olevan kestävää ja kuitenkin Samsungin kalliit asemat kestävät Samsungin itsensä mukaan huonosti. Does not compute.

Autoesimerkki on aika huono. Onko yksikään valmistaja tehnyt lähellekään vastaavaa?

Tuosta puuttuu data retention testi, ei jatkoon.

TBW-arvoa tärkeämpi osoitus valmistajan luotosta SSD-asemansa kestävyyteen on takuuaika.

Eikä ole koska Samsungin mielestä "hitaampi kuin kovalevy" ei riitä takuun perusteeksi.

Ei siinä paljon Google auta, jollet ymmärrä Googlettamiesi artikkelien sisältöä!

Ei se autakaan kun Samsungin fanipoitsut eivät suostu myöntmään ostaneensa roskaa vaikka mitä tapahtuisi.

Heh, että tietotekniikassa käytetään kokeellista tekniikkaa? Olipa yllätys. Joka ikinen vuosi, aivan jokainen valmistaja tuo lähes kaikkiin tuotteisiinsa uutta tekniikkaa, jota ei ole ehditty kunnolla testaamaan missään. Teoreettisesti se toimii, mutta aivan jokainen valmistaja on joskus joutunut sen tosiasian eteen, että nyt osui tuulettimeen.

MLC-tekniikalla valmistettujen SSD levyjen viat jotka johtuvat selkeästi MLC tekniikan käytöstä ovat vähissä, todella vähissä. Onko niitä edes ollut? TLC levyjen ongelmia Samsungilla riitti. Mistäköhän syystä Samsung oli pitkään ainoa valmistaja joka valmisti 2D TLC NAND:a? Ehkäpä juurikin riskien takia muut valmistajat eivät viitsineet hommaan lähteä.

Samsungin ssd-levyjä myydään niin pirusti, että jos niissä on oikeasti jotain suuremman luokan ongelmaa, niin siitä olisi kyllä ihan faktaa tarjolla eikä pelkkää mutua. Eikä sitä faktaa ole ilmeisesti tarjolla kuin yhdestä mallista, joka on poistunut myynnistä ajat sitten. Ja vaikka kyseinen levy on surkea, niin siitä huolimatta tämäkin viesti lähtee kyseisen levyn avustuksella. On se jo tähänkin mennessä ollut hintansa arvoinen.

Ei yhdestä vaan kahdesta mallista. Hintansa arvoinen = kaliimpi kuin kilpailevat levyt joissa ei ole ollut ongelmia


Tämä Samsungin fanitus on kyllä mielenkiintoista. Millä tahansa muulla valmistajalla vastaavia ongelmia olisi "en ikinä enää osta kyseisen valmistajan tuotteita". Samsungilla se tuntuu ennemminkin saavan aikaan "ostan jatkossain Samsungia" efektin.

Itsellä on jostain syystä ollut viime vuosina ollut ongelmia näytönohjaimien kanssa. Viimeksi AMD hajosi lähes heti takuun jälkeen eikä Nvidiakaan näköjään parempaa tee, kun se on alkanut säännöllisin väliajoin hyytymään. Ruutu jämähtää kiinni, ilmeisesti windows huomaa sen ja boottaa näyttiksen uudestaan käyntiin. Ruutu pimenee ja palautuu hetken päästä ilmoituksella, että näytöohjain palautui jostain vikatilasta tms. Sekin toki taas heti takuun päättymisen jälkeen. Toki kumpikin vika ei välttämättä liity mitenkään AMD:n tai Nvidian piikkiin vaan sen kolmannen osapuolen, joka on jostain komponenteissa säästänyt liikaa. Taipanpa seuraavaksi testata jotain oc-mallia, jossa pitäisi olla paremmat komponentit kuin normaaleissa malleissa.

Mutta oma oletukseni kuitenkin on, että ssd lienee yksi varmimmin toimivista komponenteissa, jos se on edes jonkun tunnetun valmistajan tekemä eikä mikään nimetön kiinalainen ebaysta.

Kuten sanoit, kumpikaan noista ei välttämättä ole Nvidian tai AMD:n vika. Haiskahtaa ennemminkin vialta jossakin kortin piirilevyssä, jäähdytyksessä tai komponentissa jne.

Oletus on ihan OK. Ei kuitenkaan muuta sitä ettei kannata ostaa Samsungia mikäli muut tarjoavat parempaa halvemmalla. Juuri se oli pääpointti Samsungin 840 ja 840 Evon kohdalla. Kokeelista TLC tekniikkaa pienellä valmistustekniikalla korkeampaan hintaan kuin saatavilla on koeteltua ja kestävämpää MLC tekniikkaa. Miksi ottaa riski kun siitä saa vieläpä maksaa enemmän?

 

[kurkimies]

Ja onhan tuota TLC-tekniikkaa käytetty muistikorteissa, mutta miksi niistä ei ole pahemmin huudeltu keston kannalta? Todennäköisesti ovat hioneet ensin tekniikkaa noissa ennenkuin ovat soveltaneet SSD-levyihin

 

[Threadripper]

Ja onhan tuota TLC-tekniikkaa käytetty muistikorteissa, mutta miksi niistä ei ole pahemmin huudeltu keston kannalta? Todennäköisesti ovat hioneet ensin tekniikkaa noissa ennenkuin ovat soveltaneet SSD-levyihin

Koska 1. muistikorttien kirjoitusmäärät ovat hyvin pienet verrattuna SSD levyihin, 2. kukaan ei (toivottavasti) käytä muistikortteja tiedon pitkäaikaiseen varastoihiin jolloin kirjoitusmäärien aikaansaama huonontunut säilyvyys tulisi näkyviin ja 3. muistikortit ovat yleisesti ottaen todella hitaita verrattuna SSD levyihin joka helpottaa teknisiä vaatimuksia.

 

[M_M]

Crucial MX100 itsellänikin oli eikä ollut ongelmaa, ei edes vanhalla firmwarella. Uusi firmware korjasi ongelman kokonaan. Samaten Intelin bugi oli puhtaasti firmware pohjainen eikä vaikuttanut kaikkiin käyttäjiin.

840 ja 840 Evon rikkinäiset NAND piirit sen sijaan olivat rikki kaikilla eikä niitä pystytty korjaamaan. Puhutaan siis täysin eri kokoluokan ongelmista.

Tuo on taas täysin omaa mutuiluasi.

840 EVO:n NAND-piirit eivät ole olleet rikki, eikä dataa kadonnut, vaan lukunopeuksia koskevat ongelmat pystyttiin korjaamaan ohjelmistopäivityksillä.
Seuraavassa lainauksia muutamilta ongelmaan erittäin tarkkaan perehtyneiltä asiantuntijoilta:
Samsung Magician 4.6 and 840 EVO EXT0DB6Q Firmware Review - Finally Fixed | Conclusion

It looks like Samsung has finally figured this one out, and they have done so in a way that actually puts an 840 EVO above other SSDs.
...
I'm glad Samsung has stuck with it. Not many manufacturers would put so much effort into a two year old product, and the 840 EVO has proven to need a lot of work to get a difficult problem under control.
...
One final note - this issue was *only* on older TLC Samsung SSDs. Your 850 EVO is not affected (it has a completely different flash architecture), and neither is your 840 Pro or 850 Pro (those use MLC flash, not TLC).

http://www.thessdreview.com/daily-n...te-and-magician-4-6-software-now-available/2/

Also, keep in mind that there have been no reports of actual data loss, or lack of reliability (not endurance) in the 840EVO drives as a result of this issue. Although some feel that it took Samsung a long time to address the issue, once they acknowledged its existence they did get cracking on finding a solution, and kept at it until they came up with what is likely the most workable solution under the circumstances.

Samsung Releases Firmware Update to Fix the SSD 840 EVO Read Performance Bug

The EVO has been the most popular retail SSD so far, so it's great to see Samsung providing a fix in such a short time. None of the big SSD manufacturers have been able to avoid widespread bugs (remember the 8MB bug in the Intel SSD 320 and the 5,000-hour bug in the Crucial m4?) and I have to give Samsung credit for handling this well. In the end, this bug never resulted in data loss, so it was more of an annoyance than a real threat.

Korjausten jälkeen ei vastaavista 840 EVO:n ongelmista ole raportoitu...

Kaiken kaikkiaan kannattaisi huomata, että kaikkien SSD-asemien (myös MLC) osalta toteutus perustuu hyvin pitkälle siihen, että softan avulla kierretään raudan "vikoja" ja rajoitteita (esim. "wear leveling" -algoritmit). Varsin monessa tapauksessa tuloksena on datan ylimääräistä kirjoitusta ja siirtelyä taustalla, mitä taas suurin osa asiaan perehtymättömistä ei edes tiedosta.

Samalla tavalla kun V-NAND sai kehuja, sai myös Samsungin TLC. Siinä mielessä bugisen TLC:n voi nostaa tässä yhteydessä esiin.

Samsungin V-NAND on ollut jo vuosia käytössä, mutta mitään esim. 840 EVO:n kaltaisia ongelmia ei ole raportoitu, joten sikäli kommentissasi ei ole mitään järkeä...
Ja mitä taas uusiin teknisiin ratkaisuihin tulee, niin käytännössä kaikki uudet SSD-mallit sisältävät teknisiä ratkaisuja, joita ei vielä muutama vuosi sitten ollut käytössä. Uudet toteutustavat ovat mahdollistaneet mm. sen, että muistisolujen koko on varsin usein samaa SSD-tekniikkaa käyttävissä muistipiireissä aiempaa pienempi.

Mikäli valmistaja itse ei usko V-NAND:n hyvään kirjoituskestävyyteen, miksi kenenkään muun pitäisi uskoa?

Mikään ei viittaa siihen, että Samsung ei uskoisi V-NANDin hyvään kirjoituskestävyyteen.
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

While write endurance in client workloads was never truly an issue even with planar TLC NAND, the doubled endurance in TLC V-NAND makes it practically impossible to wear out the drive before it has become totally obsolete.

Kun kirjoituskestävyys on sellaisella tasolla, että kestävyyden rajat saavutetaan normaalissa käytössä vasta kymmenien vuosien päästä, ei kirjoituskestävyys ole se ominaisuus, joka rajoittaa SSD-aseman elinikää.

Kesti TLC:n tapauksessakin jonkin aikaa huomata levyn olevan hitaampi kuin kovalevy. Tuskin kaikki edes huomasivat

840 EVO:n tapauksessa ongelmat alkoivat ilmetä alle vuodessa...

Saatavilla olevat faktat kertovat ihan muuta. Bittejä per solu ratkaisee ensisijaisesti.

Tuo on sinun mielipiteesi, ei fakta.
Kokonaisuus on lopulta se, mikä ratkaisee, vaikkakin muistisolun koko on tärkein muuttuja.

Puhut kestävyydestä ja valmistajan lupaama TBW arvo on erinomainen mittari kestävyydelle. Mikäli hinnassa ei ole pihistelty.

Ei ole, koska luvatut kirjoitusmäärät ovat käytännössä kaikkien valmistajien osalta niin suuret, etteivät kirjoitusmäärien rajoitteet tule vastaan normaalissa kotikäytössä.

Kysyn uudelleen: mikäli valmistaja itse ei usko kestävyyteen, miksi kenenkään muun pitäisi uskoa? Selität Samsungin V-NAND:n olevan kestävää ja kuitenkin Samsungin kalliit asemat kestävät Samsungin itsensä mukaan huonosti. Does not compute.

Miksi valehtelet?
Samsung ei ole kertonut, eikä myöskään yksikään asiantuntija ole kertonut asemien kestävän huonosti!

Autoesimerkki on aika huono. Onko yksikään valmistaja tehnyt lähellekään vastaavaa?

Ei tietenkään ole tehnyt, koska jokainen tajuaa tilanteen typeryyden.
Sen sijaan vastaavasti kuitenkin SSD-asemien kohdalla kirjoituskestävyyden arviointi tuottaa joillekin selkeästi ongelmia, kun ilmoitettujen TBW-arvojen käytännön merkitystä ei ymmärretä...

Tuosta puuttuu data retention testi, ei jatkoon.

Tottakai puuttuu. Koetappa lukea testin tavoitteet & lopputulokset läpi ja yritä nyt edes jossain määrin hahmottaa millaisista kirjoitusmääristä puhuttiin, ennenkuin yrität esittää typeriä "ei jatkoon" -mutuilujasi!

Eikä ole koska Samsungin mielestä "hitaampi kuin kovalevy" ei riitä takuun perusteeksi.

Myöskään TBW-arvo ei liity lukunopeuksiin, joten kommentissasi ei ole mitään järkeä.

Ei se autakaan kun Samsungin fanipoitsut eivät suostu myöntmään ostaneensa roskaa vaikka mitä tapahtuisi.

Vai että oikein "fanipoitsut".
Mitä ilmeisimmin sinä olet joko 840:n tai 840 EVO:n katkera omistaja. Koetappa jo päästä yli ikivanhoista SSD-asemista. Uusia malleja on Samsungilta ollut saatavilla jo vuosia.

 

[M_M]

Ja onhan tuota TLC-tekniikkaa käytetty muistikorteissa, mutta miksi niistä ei ole pahemmin huudeltu keston kannalta? Todennäköisesti ovat hioneet ensin tekniikkaa noissa ennenkuin ovat soveltaneet SSD-levyihin

Totta. Päätelmäsi pitää hyvinkin pitkälti paikkansa.

Näin jälkikäteen on selvää, että Samsung toi TLC-tekniikan SSD-asemiin liian varhain. Muut valmistajathan hioivat omia TLC-toteutuksiaan pidempään ja ovat nyt viime vuosina tuoneet omia TLC-tekniikkaa käyttäviä SSD-asemiaan markkinoille.

 

[Threadripper]

Tuo on taas täysin omaa mutuiluasi.

840 EVO:n NAND-piirit eivät ole olleet rikki, eikä dataa kadonnut, vaan lukunopeuksia koskevat ongelmat pystyttiin korjaamaan ohjelmistopäivityksillä.
Seuraavassa lainauksia muutamilta ongelmaan erittäin tarkkaan perehtyneiltä asiantuntijoilta:
Samsung Magician 4.6 and 840 EVO EXT0DB6Q Firmware Review - Finally Fixed | Conclusion

​

http://www.thessdreview.com/daily-n...te-and-magician-4-6-software-now-available/2/

​

Samsung Releases Firmware Update to Fix the SSD 840 EVO Read Performance Bug

​

Korjausten jälkeen ei vastaavista 840 EVO:n ongelmista ole raportoitu...

NAND piirit nimenomaan ovat rikki koska ne menettävät varaustaan ajan kanssa. Miten muka korjataan ohjelmalisesti ongelma jossa solut menettävät varaustaan ajan kanssa? Ei mitenkään. Osa noista asiantuntijoista olivat samoja jotka eivät nähneet mitään ongelmaa maksaa TLC levystä yli MLC:n hintaa, eli en paljoa kehuisi.

Myös "korjausten" jälkeen on raportoitu ongelmia 840 Evoissa. 840 ei Evon korjaus kesti sen 3 vuotta, eli en tuosta liikaa kehuja antaisi.

Kaiken kaikkiaan kannattaisi huomata, että kaikkien SSD-asemien (myös MLC) osalta toteutus perustuu hyvin pitkälle siihen, että softan avulla kierretään raudan "vikoja" ja rajoitteita (esim. "wear leveling" -algoritmit). Varsin monessa tapauksessa tuloksena on datan ylimääräistä kirjoitusta ja siirtelyä taustalla, mitä taas suurin osa asiaan perehtymättömistä ei edes tiedosta.

On tottakai muttei MLC levyissä ole nähty merkittävässä määrin vastaavaa kuin Samsungin TLC:ssa, eli solut eivät pidä varausta kunnolla.

Samsungin V-NAND on ollut jo vuosia käytössä, mutta mitään esim. 840 EVO:n kaltaisia ongelmia ei ole raportoitu, joten sikäli kommentissasi ei ole mitään järkeä...
Ja mitä taas uusiin teknisiin ratkaisuihin tulee, niin käytännössä kaikki uudet SSD-mallit sisältävät teknisiä ratkaisuja, joita ei vielä muutama vuosi sitten ollut käytössä. Uudet toteutustavat ovat mahdollistaneet mm. sen, että muistisolujen koko on varsin usein samaa SSD-tekniikkaa käyttävissä muistipiireissä aiempaa pienempi.

Minulle 840 ja 840 Evo riittää mainiosti syyksi jättää väliin kaikki Samsungin TLC tuotteet. Ne uudet tekniset ratkaisut liittyvt ihan muuhun kuin solujen kestävyyteen tai kykyyn pitää varausta, eli eivät ole verrattavisa tähän.

Mikään ei viittaa siihen, että Samsung ei uskoisi V-NANDin hyvään kirjoituskestävyyteen.
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

​

Kun kirjoituskestävyys on sellaisella tasolla, että kestävyyden rajat saavutetaan normaalissa käytössä vasta kymmenien vuosien päästä, ei kirjoituskestävyys ole se ominaisuus, joka rajoittaa SSD-aseman elinikää.

Kun Samsung ei lupaa yhtä hyvää kirjoituskestävyyttä kuin kilpailijat, se johtuu vain siitä ettei parempaa kuin mitä Samsung tarjoaa oikasti tarvita

Mitä Samsung ei tarjoa, sitä ei tarvita. T: fanipoitsut.

840 EVO:n tapauksessa ongelmat alkoivat ilmetä alle vuodessa...

Niin, veikkaisin ettei ihan jokainen ole päivittänyt aseman firmwarea jolloin bugi on edelleen läsnä.

Tuo on sinun mielipiteesi, ei fakta.
Kokonaisuus on lopulta se, mikä ratkaisee, vaikkakin muistisolun koko on tärkein muuttuja.

Ilmoitettujen TBW:n perusteella olen oikeassa. Minkä perusteella sinä olet?

Ei ole, koska luvatut kirjoitusmäärät ovat käytännössä kaikkien valmistajien osalta niin suuret, etteivät kirjoitusmäärien rajoitteet tule vastaan normaalissa kotikäytössä.

Samsungin huono TBW ei kerro kestävyydestä koska se on tarpeeksi hyvä

Mieti oikeasti miksi tuollaiset TBW arvot ylipäätään laitetaan SSD levyihin.

Miksi valehtelet?
Samsung ei ole kertonut, eikä myöskään yksikään asiantuntija ole kertonut asemien kestävän huonosti!

Samsung lupaa pienet TBW arvot = Samsung ei usko asemiensa kestävän. Yksinkertaista.

Ei tietenkään ole tehnyt, koska jokainen tajuaa tilanteen typeryyden.
Sen sijaan vastaavasti kuitenkin SSD-asemien kohdalla kirjoituskestävyyden arviointi tuottaa joillekin selkeästi ongelmia, kun ilmoitettujen TBW-arvojen käytännön merkitystä ei ymmärretä...

Mieti nyt ihan oikeasti MIKSI valmistajat ilmoittavat ne TBW arvot. Kun ymmärrät MIKSI, ymmärrät myös etteivät kehumasi V-NAND pärjää alkuunkaan kilpailijoille kestävyydessä.

Tottakai puuttuu. Koetappa lukea testin tavoitteet & lopputulokset läpi ja yritä nyt edes jossain määrin hahmottaa millaisista kirjoitusmääristä puhuttiin, ennenkuin yrität esittää typeriä "ei jatkoon" -mutuilujasi!

Ilman data retention testiä tuon arvo on lähellä nollaa. Voihan olla että solu "kestää" kirjoituksen, valitettavasti data säilyy pari minuuttia, jolloin kirjoituksen kestävyys on yksi ja sama.

Myöskään TBW-arvo ei liity lukunopeuksiin, joten kommentissasi ei ole mitään järkeä.

Siinä on, Samsungin mielestä SSD:n hidastuminen alle kovalevyn nopeuden ei riitä perusteeksi saada se takuuseen. Vaikka "korjaus" kestä 3 vuotta

Vai että oikein "fanipoitsut".
Mitä ilmeisimmin sinä olet joko 840:n tai 840 EVO:n katkera omistaja. Koetappa jo päästä yli ikivanhoista SSD-asemista. Uusia malleja on Samsungilta ollut saatavilla jo vuosia.

En ole koskaan omistanut yhtäkään Samsungin SSD:ta. Enkä tule omistamaan.

 

[M_M]

NAND piirit nimenomaan ovat rikki koska ne menettävät varaustaan ajan kanssa. Miten muka korjataan ohjelmalisesti ongelma jossa solut menettävät varaustaan ajan kanssa? Ei mitenkään. Osa noista asiantuntijoista olivat samoja jotka eivät nähneet mitään ongelmaa maksaa TLC levystä yli MLC:n hintaa, eli en paljoa kehuisi.

Myös "korjausten" jälkeen on raportoitu ongelmia 840 Evoissa. 840 ei Evon korjaus kesti sen 3 vuotta, eli en tuosta liikaa kehuja antaisi.

Nuo lainaamani lähteet käsittelivät ongelmaa laajalti ja myös analysoivat korjaukset ammattitaitoisesti.
Sinä sen sijaan esität vain ja ainoastaan omia päätelmiäsi, joissa nyt ei ole valitettavasti kovinkaan paljon järkeä.

840 EVO:n ongelmat aiheuttanut "voltage drift" vaivaa jossain määrin käytännössä kaikkia NAND-tyyppejä (myös MLC:tä), joten yllä esittämäsi väite ei pidä paikkaansa:
http://www.thessdreview.com/daily-n...date-and-magician-4-6-software-now-available/

The nature of the problem was found to be “voltage drift” that is inherent in using TLC NAND. All NAND is subject to “voltage drift” to some degree, and we will take a quick look at the difference in each type of NAND and why some NAND is more susceptible to the problem than others. SLC NAND stores only one bit per cell, which is by far the easiest to read, and is also the most reliable and least susceptible to the voltage drift issue – there is little or no complexity in reading a single bit.

Muistisolujen koko vaikuttaa luonnollisesti erittäin paljon myös siihen kuinka suuria ongelmia "voltage drift" voi aiheuttaa.

No jokainen kommentteja lukeva osaa varmasti päätellä kuinka luotettava ja asiantunteva taho sinä olet verrattuna noihin lainaamiini lähteisiin.
Mutta sinä saat toki olla mitä mieltä haluat, vaikka et oikein osaakkaan perustella mielipiteitäsi!

On tottakai muttei MLC levyissä ole nähty merkittävässä määrin vastaavaa kuin Samsungin TLC:ssa, eli solut eivät pidä varausta kunnolla.

Samsungin ensimmäiset TLC-mallit on julkaistu vuosia sitten, joten on varsin turhaa niistä enää vääntää viestitolkulla.

Minulle 840 ja 840 Evo riittää mainiosti syyksi jättää väliin kaikki Samsungin TLC tuotteet. Ne uudet tekniset ratkaisut liittyvt ihan muuhun kuin solujen kestävyyteen tai kykyyn pitää varausta, eli eivät ole verrattavisa tähän.

Aika turhaa käydä keskustelua kanssasi Samsungin nykyisin tarjoamista malleista, kun olet jäänyt jumiin joihinkin vanhoihin malleihin.

Kun Samsung ei lupaa yhtä hyvää kirjoituskestävyyttä kuin kilpailijat, se johtuu vain siitä ettei parempaa kuin mitä Samsung tarjoaa oikasti tarvita

Mitä Samsung ei tarjoa, sitä ei tarvita. T: fanipoitsut.

Käytännössä kaikki SSD-valmistajat tarjoavat/mainostavat nykyään parempaa kirjoituskestävyyttä kuin normaalissa kotikäytössä tullaan SSD-aseman eliniän aikana tarvitsemaan.

Et oikein ymmärrä mitä kirjoituskestävyys tarkoittaa, mikä valitettavasti heijastuu kommentteihisi, joten lueppa vaikkapa seuraava artikkeli läpi ja koeta sisäistää lukemasi:
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

While write endurance in client workloads was never truly an issue even with planar TLC NAND, the doubled endurance in TLC V-NAND makes it practically impossible to wear out the drive before it has become totally obsolete.

Vai kuvitteletko kenties käyttäväsi nykyistä SSD-asemaasi vielä 20 tai jopa 50 vuoden kuluttua?

Niin, veikkaisin ettei ihan jokainen ole päivittänyt aseman firmwarea jolloin bugi on edelleen läsnä.

Sama väittämähän koskee luonnollisesti myös esimerkiksi Intelin tai Crucialin bugisia firmwareja, joten sikäli kommenttisi pointti on varsin epäselvä.

Ilmoitettujen TBW:n perusteella olen oikeassa. Minkä perusteella sinä olet?

Olen omat perusteluni asiantuntijalainauksin jo esittänyt...

Samsungin huono TBW ei kerro kestävyydestä koska se on tarpeeksi hyvä

Yhdessäkään asiantuntijoiden tekemistä arvioista ei väitetä Samsungin TBW:tä huonoksi.
Kyseessä on siis sinun itse keksimäsi väittämä, jota et edes osaa perustella!

Samsung lupaa pienet TBW arvot = Samsung ei usko asemiensa kestävän. Yksinkertaista.

Samsungin lupaamat TBW-arvot eivät ole lähtökohtaisesti pieniä.
Siksipä päätelmäsi osoittaa vain oman tietämättömyytesi!

Mieti nyt ihan oikeasti MIKSI valmistajat ilmoittavat ne TBW arvot. Kun ymmärrät MIKSI, ymmärrät myös etteivät kehumasi V-NAND pärjää alkuunkaan kilpailijoille kestävyydessä.

TBW-arvo liittyy nykyään varsin vähän siihen, kuinka kauan SSD-asema kestää normaalissa kotikäytössä.

Toki korkean TBW-arvon avulla voidaan hakea mainosarvoa ja luoda vaikutelmaa laadukkaammasta tuotteesta kuin käytännössä tarjotaan, koska moni asiaan perehtymätön saattaa tehdä virheellisiä päätelmiä korkean TBW-arvon perusteella...

Ilman data retention testiä tuon arvo on lähellä nollaa. Voihan olla että solu "kestää" kirjoituksen, valitettavasti data säilyy pari minuuttia, jolloin kirjoituksen kestävyys on yksi ja sama.

Olet jälleen kerran väärässä. Testissä otettiin kyllä kantaa myös data retentioniin ja selitettiin, kuinka kirjoitusmäärät vaikuttava data retentioniin.

 

[Threadripper]

Nuo lainaamani lähteet käsittelivät ongelmaa laajalti ja myös analysoivat korjaukset ammattitaitoisesti.
Sinä sen sijaan esität vain ja ainoastaan omia päätelmiäsi, joissa nyt ei ole valitettavasti kovinkaan paljon järkeä.

No jokainen kommentteja lukeva osaa varmasti päätellä kuinka luotettava ja asiantunteva taho sinä olet verrattuna noihin lainaamiini lähteisiin.
Mutta sinä saat toki olla mitä mieltä haluat, vaikka et oikein osaakkaan perustella mielipiteitäsi!

Kun nyt vaan katsoisit mistä se ongelma johtuu ja sitten mietit miten ohjelmallinen korjaus voi korjata rautatason ongelman, niin pääset eteenpäin asiassa.

Samsungin ensimmäiset TLC-mallit on julkaistu vuosia sitten, joten on varsin turhaa niistä enää vääntää viestitolkulla.

Ei ole koska niiden TLC levyjen piti olla loistavia ja osoitus Samsungin erinomaisuudesta. Roskaa tuli joten on hyvin vaikea ymmärtää miksi Samsungia pidetään edelleen jonkinlaisena supervalmistajana. Mikä tahansa muu firma olisi tehnyt vastaavaa kuraa, niin netti olisi täynnä ragea kuinka huono Samsung on.

Aika turhaa käydä keskustelua kanssasi Samsungin nykyisin tarjoamista malleista, kun olet jäänyt jumiin joihinkin vanhoihin malleihin.

Historia toistaa itseään usein, niin tässäkin tapauksessa.

Käytännössä kaikki SSD-valmistajat tarjoavat/mainostavat nykyään parempaa kirjoituskestävyyttä kuin normaalissa kotikäytössä tullaan SSD-aseman eliniän aikana tarvitsemaan.

Et oikein ymmärrä mitä kirjoituskestävyys tarkoittaa, mikä valitettavasti heijastuu kommentteihisi, joten lueppa vaikkapa seuraava artikkeli läpi ja koeta sisäistää lukemasi:
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

​

Vai kuvitteletko kenties käyttäväsi nykyistä SSD-asemaasi vielä 20 tai jopa 50 vuoden kuluttua?

Mietitkö edelleenkään MIKSI TBW arvot imoitetaan valmistajien toimesta? Ilmeisesti et. Tee se ja palaa sitten asiaan.

Sama väittämähän koskee luonnollisesti myös esimerkiksi Intelin tai Crucialin bugisia firmwareja, joten sikäli kommenttisi pointti on varsin epäselvä.

Mikäli asema bugittaa vastaavalla tavalla kuin nuo Intelit tai Crucialit, eiköhän jokainen tajua etsiä ongelmaan ratkaisua. Jos asema on "vain hidas", se saattaa jäädä korjaamatta.

Olen omat perusteluni asiantuntijalainauksin jo esittänyt...

Kyseiset "asiantuntijalausunnot" perustuvat joko mutuun tai Samsungin markkinointimateriaaliin. Minä taas esitin faktaa, jota ei niillä voi kumota. Mieti MIKSI...

Yhdessäkään asiantuntijoiden tekemistä arvioista ei väitetä Samsungin TBW:tä huonoksi.
Kyseessä on siis sinun itse keksimäsi väittämä, jota et edes osaa perustella!

Eivät samat asiantuntijat nähneet myöskään ongelmaa maksaa TLC roskalevystä enemmän kuin MLC levystä, joten kyseiset asiantuntijat eivät paljoa asioista tajua.

Samsungin lupaamat TBW-arvot eivät ole lähtökohtaisesti pieniä.
Siksipä päätelmäsi osoittaa vain oman tietämättömyytesi!

Verrattuna muiden valmistajien arvoihin ne ovat pieniä. Tätä faktaa et pysty kumoamaan vaikka kuinka yrittäisit Samsungia promota.

TBW-arvo liittyy nykyään varsin vähän siihen, kuinka kauan SSD-asema kestää normaalissa kotikäytössä.

Lue mistä keskustelu lähti ja mieti sitten miksi...

Toki korkean TBW-arvon avulla voidaan hakea mainosarvoa ja luoda vaikutelmaa laadukkaammasta tuotteesta kuin käytännössä tarjotaan, koska moni asiaan perehtymätön saattaa tehdä virheellisiä päätelmiä korkean TBW-arvon perusteella...

Eli Samsung pistää tarkoituksella pienet TBW arvot jotta ostajat saisivat vaikutelman Samsungin paskasta laadusta, eiku...

Olet jälleen kerran väärässä. Testissä otettiin kyllä kantaa myös data retentioniin ja selitettiin, kuinka kirjoitusmäärät vaikuttava data retentioniin.

Niin otettiin muttei sitä data retentionia testattu kunnolla (ymmärrettävistä syistä tosin). Valitettavasti juuri siksi testillä ei juurikaan arvoa ole. Isot otsikot siitä saa ja keskustelua kuinka SSD:t kestävät loputtomasti muttei paljoa muuta.

 

[M_M]

Kun nyt vaan katsoisit mistä se ongelma johtuu ja sitten mietit miten ohjelmallinen korjaus voi korjata rautatason ongelman, niin pääset eteenpäin asiassa.

Koetappa jatkossa lukea ne lähteet, joita sinulle annetaan.

840 EVO:n ongelmat aiheuttanut "voltage drift" vaivaa jossain määrin käytännössä kaikkia NAND-tyyppejä (myös MLC:tä), joten yllä esittämäsi väite ei pidä paikkaansa:
http://www.thessdreview.com/daily-n...date-and-magician-4-6-software-now-available/

The nature of the problem was found to be “voltage drift” that is inherent in using TLC NAND. All NAND is subject to “voltage drift” to some degree, and we will take a quick look at the difference in each type of NAND and why some NAND is more susceptible to the problem than others. SLC NAND stores only one bit per cell, which is by far the easiest to read, and is also the most reliable and least susceptible to the voltage drift issue – there is little or no complexity in reading a single bit.

Muistisolujen koko vaikuttaa luonnollisesti erittäin paljon myös siihen kuinka suuria ongelmia "voltage drift" voi aiheuttaa (, kuten esimerkiksi käytännön erot 840 ja 840 EVO:n välillä osoittavat).
"Voltage drift" pitää huomioida SSD-asemien toteutuksessa jollakin tavalla. "Voltage drift"in aiheuttamia ongelmia pyritään välttämään mm. erilaisilla ohjelmistotason ratkaisuilla.

Ei ole koska niiden TLC levyjen piti olla loistavia ja osoitus Samsungin erinomaisuudesta. Roskaa tuli joten on hyvin vaikea ymmärtää miksi Samsungia pidetään edelleen jonkinlaisena supervalmistajana. Mikä tahansa muu firma olisi tehnyt vastaavaa kuraa, niin netti olisi täynnä ragea kuinka huono Samsung on.

Jep, jep... Olet näköjään fanaattinen Samsungin vastustaja, joten ilmeisesti siksi haluat unohtaa esimerkiksi Crucialin ja Intelin ongelmat SSD-asemiensa kanssa.

Samsung ei ole mikään "supervalmistaja", vaan yksi valmistaja muiden joukossa. Samsung on tuottanut useita laadukkaita ja kilpailukykyisä SSD-malleja, mutta niin on moni muukin valmistaja...

Itse en näe harrastamassasi fanaattisuudessa mitään järkeä!

Mietitkö edelleenkään MIKSI TBW arvot imoitetaan valmistajien toimesta? Ilmeisesti et. Tee se ja palaa sitten asiaan.

Jos aiemmat vastaukseni, rautalangasta väännetyt esimerkit ja asiantuntijalähteet eivät sinulle riitä, en voi asialle mitään.
Saat tottakai olla mitä mieltä haluat...

Mikäli asema bugittaa vastaavalla tavalla kuin nuo Intelit tai Crucialit, eiköhän jokainen tajua etsiä ongelmaan ratkaisua. Jos asema on "vain hidas", se saattaa jäädä korjaamatta.

Vai että sellainen mielipide tällä kertaa...

Kyseiset "asiantuntijalausunnot" perustuvat joko mutuun tai Samsungin markkinointimateriaaliin. Minä taas esitin faktaa, jota ei niillä voi kumota. Mieti MIKSI...

Et ole esittänyt faktoja vaan omia mutuilujasi. Mielipiteesi lainaamistani asiantuntijalähteistä on vähintäänkin erikoinen...

Itse pidän antamiani lähteitä selkeästi uskottavampina kuin sinun välillä varsin erikoisia mielipiteitäsi.

Tämä keskustelu kiertää valitettavasti kehää, koska toistat samoja väittämiäsi yhä uudelleen ilman, että toisit uskottavia asiantuntijalähteitä väitteidesi tueksi. Olen omat vastaukseni asiantuntijalähteineen antanut sinulle, joten en näe mitään järkeä siinä, että toistaisin samoja asioita yhä uudelleen.

Kuten todettua: Sinä saat aivan vapaasti pitää mielipiteesi.

 

[Threadripper]

Koetappa jatkossa lukea ne lähteet, joita sinulle annetaan.

840 EVO:n ongelmat aiheuttanut "voltage drift" vaivaa jossain määrin käytännössä kaikkia NAND-tyyppejä (myös MLC:tä), joten yllä esittämäsi väite ei pidä paikkaansa:
http://www.thessdreview.com/daily-n...date-and-magician-4-6-software-now-available/

​

Muistisolujen koko vaikuttaa luonnollisesti erittäin paljon myös siihen kuinka suuria ongelmia "voltage drift" voi aiheuttaa, kuten esimerkiksi käytännön erot 840 ja 840 EVO:n välillä osoittavat.

Tuo "some degree" on MLC levyissä niin pieni ettei sillä käytännössä ole mitään vaikutusta. Samsungin TLC:ssa se on niin suuri ettei sitä millään softalla korjata.

The first part was the firmware update, which modified the algorithm used to compensate for the voltage drift issue. The second step was the “performance restoration tool”, which basically rewrote all the data on the disk to eliminate the old data altogether. Many users first reaction to this step, which turned out to be entirely true, was that this would merely eliminate the problem on a one-time basis, and after another approximately eight week period, the problem did begin to resurface.

Kuten sanoin, vika on itse NAND:ssa jota ei korjata softalla.

Jep, jep... Olet näköjään fanaattinen Samsungin vastustaja, joten ilmeisesti siksi haluat unohtaa esimerkiksi Crucialin ja Intelin ongelmat SSD-asemiensa kanssa.

Samsung ei ole mikään "supervalmistaja", vaan yksi valmistaja muiden joukossa. Samsung on tuottanut useita laadukkaita ja kilpailukykyisä SSD-malleja, mutta niin on moni muukin valmistaja...

Itse en näe harrastamassasi fanaattisuudessa mitään järkeä!

Crucialin ja Intelin ongelmat olivat softapohjaisia ja softapäivityksellä korjattavissa. Samsungin ongelma on raudassa. Eri asioita siis.

Samsungilla on tietynlainen kannattajakunta jota muilla valmistajilla ei ole. Kuten sinunkin viesteistäsi voi päätellä.

En minäkään näe Samsungin puolustelussasi järkeä.

Jos aiemmat vastaukseni, rautalangasta väännetyt esimerkit ja asiantuntijalähteet eivät sinulle riitä, en voi asialle mitään.
Saat tottakai olla mitä mieltä haluat...

"Asiantuntijalähteesi" ovat muutama amatööri jotka olivat aiemminkin väärässä ja jotka perustavat "asiantuntemuksensa" pariin markkinointislaidiin. Kannattaa ajatella omilla aivoilla niin saa paljon paremman näkökulman kuin lukemalla Samsungin maksamia mainoksia.

Totta kai saan olla oikeassa.

Vai että sellainen mielipide tällä kertaa...

Faktaahan tuo on. Levyn hajoamisen huomaa jokainen, hidastumista ei.

Et ole esittänyt faktoja vaan omia mutuilujasi. Mielipiteesi lainaamistani asiantuntijalähteistä on vähintäänkin erikoinen...

Itse pidän antamiani lähteitä selkeästi uskottavampina kuin sinun välillä varsin erikoisia mielipiteitäsi.

Tämä keskustelu kiertää valitettavasti kehää, koska toistat samoja väittämiäsi yhä uudelleen ilman, että toisit uskottavia asiantuntijalähteitä väitteidesi tueksi. Olen omat vastaukseni asiantuntijalähteineen antanut sinulle, joten en näe mitään järkeä siinä, että toistaisin samoja asioita yhä uudelleen.

Kuten todettua: Sinä saat aivan vapaasti pitää mielipiteesi.

Olen esittänyt faktoja, sinä Samsungin mainosmateriaaliin perustuvien amatöörien lausuntoja.

Voit ihan vapaasti pitää lähteitäsi uskottavampina, valitettavasti et oikeasti tajua asiasta yhtään mitään. Et vieläkään ole pystynyt miettimään syytä sille miksi valmistajat ilmoittavat TBW arvot. Se tiivistää tämän keskustelun hyvin. Minä ajattelen, sitä uskot parin amatöörin tekstejä.

Tiedän asiat paremmin kuin muutama amatööri ja olen osoittanut sen moneen kertaan. Siksi en tarvitse mitään "asiantuntijalausuntoja" koska olen itse asiantuntija. Hyvin yksinkertaista. Keskustelu kiertää kehää koska et edes yritä miettiä mitään "asiantuntijalausuntojen" ulkopuolelta.

Ei ole mielipide vaan fakta. Siinä on selkeä ero.

 

[M_M]

Tuo "some degree" on MLC levyissä niin pieni ettei sillä käytännössä ole mitään vaikutusta. Samsungin TLC:ssa se on niin suuri ettei sitä millään softalla korjata.

Kuten sanoin, vika on itse NAND:ssa jota ei korjata softalla.

Ja silti lopputulema on se, että toisen firmware -päivityksen jälkeen ongelma oli korjattu softalla...

Crucialin ja Intelin ongelmat olivat softapohjaisia ja softapäivityksellä korjattavissa. Samsungin ongelma on raudassa. Eri asioita siis.

Saat pitää mielipiteesi, vaikka olenkin kanssasi eri mieltä aiemmin esittämieni kommenttien mukaisesti...

Sinällään jostain vuosia sitten julkistetusta mallista kiistely ei ehkä kuitenkaan tänä päivänä tuo käytännössä lisäarvoa Samsungin nykyään tarjoamista SSD-asemista keskusteluun.

Samsungilla on tietynlainen kannattajakunta jota muilla valmistajilla ei ole. Kuten sinunkin viesteistäsi voi päätellä.

Osaan minäkin:
Samsungilla on tietynlainen vastustajakunta jota muilla valmistajilla ei ole. Kuten sinunkin viesteistäsi voi päätellä.

"Asiantuntijalähteesi" ovat muutama amatööri jotka olivat aiemminkin väärässä ja jotka perustavat "asiantuntemuksensa" pariin markkinointislaidiin. Kannattaa ajatella omilla aivoilla niin saa paljon paremman näkökulman kuin lukemalla Samsungin maksamia mainoksia.

Vai että "muutama amatööri"... Mikähän sinä sitten mahdat olla?

Voit ihan vapaasti pitää lähteitäsi uskottavampina, valitettavasti et oikeasti tajua asiasta yhtään mitään. Et vieläkään ole pystynyt miettimään syytä sille miksi valmistajat ilmoittavat TBW arvot. Se tiivistää tämän keskustelun hyvin. Minä ajattelen, sitä uskot parin amatöörin tekstejä.

Lue niitä kommenttejani, niin löydät syitä suurien TBW-arvojen ilmoittamisella.

Tiedän asiat paremmin kuin muutama amatööri ja olen osoittanut sen moneen kertaan. Siksi en tarvitse mitään "asiantuntijalausuntoja" koska olen itse asiantuntija. Hyvin yksinkertaista. Keskustelu kiertää kehää koska et edes yritä miettiä mitään "asiantuntijalausuntojen" ulkopuolelta.

Ei ole mielipide vaan fakta. Siinä on selkeä ero.

No huh huh...

Hienosti osaat kieltämättä tuoda erinomaisuutesi esille!

 

[sellu]

Antasko joku tldr mistä täällä väitellään.

 

[Threadripper]

Ja silti lopputulema on se, että toisen firmware -päivityksen jälkeen ongelma oli korjattu softalla...

"Korjattu" kyllä, korjattu ei. Voihan sitä roska NAND:a kirjoitella uudelleen vaikka kerran tunnissa, jos muu ei auta. Kunnollinen NAND ei mene vuodessakaan niin huonoksi että tarvitsisi uudelleenkirjoituksia.

Saat pitää mielipiteesi, vaikka olenkin kanssasi eri mieltä aiemmin esittämieni kommenttien mukaisesti...

Sinällään jostain vuosia sitten julkistetusta mallista kiistely ei ehkä kuitenkaan tänä päivänä tuo käytännössä lisäarvoa Samsungin nykyään tarjoamista SSD-asemista keskusteluun.

Kyllä se tuo lisäarvoa koska se osoittaa tietyillä "asiantuntijoilla" olevan melko myönteinen (todennäköisesti maksettu) mielipide Samsungiin ja sen tuotteisiin.

Osaan minäkin:
Samsungilla on tietynlainen vastustajakunta jota muilla valmistajilla ei ole. Kuten sinunkin viesteistäsi voi päätellä.

Aika pieni Samsungin vastustajakunta on kun verrataan kannattajakuntaan, nettikirjoittelun perusteella noin.

Vai että "muutama amatööri"... Mikähän sinä sitten mahdat olla?

Asiantuntija, kuten olen osoittanut.

Lue niitä kommenttejani, niin löydät syitä suurien TBW-arvojen ilmoittamisella.

Kysyin miksi valmistajat ilmoittavat TBW arvot. Et tietenkään vastaa koska samalla pointeiltasi putoaa pohja pois.

No huh huh...

Hienosti osaat kieltämättä tuoda erinomaisuutesi esille!

Useat lainaamasi "asiantuntijoiden" tekstit olivat niin pahasti pielessä (Samsungin markkinamateriaali ei ole totuus, jatkuva datan kirjoittaminen uudelleen ei ole korjaus huonolaatuiseen NAND:n jne) ettei asiantuntemuksesta ole kuin rippeitä jäljellä. Lisäksi se kuuluisa järjenkäyttö tuntuu kyseisiltä "asiantuntijoilta" olevan pahasti pielessä, kun suosittelivat TLC roskaa MLC:n sijasta vaikka TLC maksoi enemmän. Tuossa onkin syy miksi yrittävät selittää asiat noin. Eivät kehtaa myöntää olleensa väärässä.

Onneksi oikeitakin asiantuntijoita löytyy, kuten voi lukea vaikka tuolta: Crucial's BX100 and MX200 solid-state drives reviewed

Antasko joku tldr mistä täällä väitellään.

Samsungin SSD:t vs muut SSD:t.

 

[M_M]

"Korjattu" kyllä, korjattu ei. Voihan sitä roska NAND:a kirjoitella uudelleen vaikka kerran tunnissa, jos muu ei auta. Kunnollinen NAND ei mene vuodessakaan niin huonoksi että tarvitsisi uudelleenkirjoituksia.

Laitatko pääsi pantiksi siitä, että ei löydy yhtään MLC-tekniikalla varustettua SSD-asemaa, joka ei olisi kärsinyt lukunopeuksien hidastumisesta tai jossa tapahtuvaa "voltage drift"iä ei olisi pyritty pitämään kurissa ohjelmistotason ratkaisuilla?

Kyllä se tuo lisäarvoa koska se osoittaa tietyillä "asiantuntijoilla" olevan melko myönteinen (todennäköisesti maksettu) mielipide Samsungiin ja sen tuotteisiin.

Miksi kuvittelet, että juuri Samsungiin olisi jotenkin erityisen myönteinen mielipide?
Ettei vaan oma fanaattisuutesi sokaisisi sinua...

Aika pieni Samsungin vastustajakunta on kun verrataan kannattajakuntaan, nettikirjoittelun perusteella noin.

Nettikirjoittelun perusteella tilanne on pikemminkin päinvastoin...

Itsehän ostan hinta/laatusuhteeltaan hyviä laitteita valmistajasta riippumatta. En karta tai suosi tuotteita valmistajan perusteella... Sinun harrastamassasi jonkun tietyn valmistajan tuotteiden karttamisessa en näe juurikaan järkeä... Hyvä tuote on hyvä tuote valmistajasta riippumatta...

Asiantuntija, kuten olen osoittanut.

No sieltäpä tuli hienot perustelut, kuten jo olettaa saattoikin...

Useat lainaamasi "asiantuntijoiden" tekstit olivat niin pahasti pielessä (Samsungin markkinamateriaali ei ole totuus, jatkuva datan kirjoittaminen uudelleen ei ole korjaus huonolaatuiseen NAND:n jne) ettei asiantuntemuksesta ole kuin rippeitä jäljellä. Lisäksi se kuuluisa järjenkäyttö tuntuu kyseisiltä "asiantuntijoilta" olevan pahasti pielessä, kun suosittelivat TLC roskaa MLC:n sijasta vaikka TLC maksoi enemmän. Tuossa onkin syy miksi yrittävät selittää asiat noin. Eivät kehtaa myöntää olleensa väärässä.

Miksi valehtelet?

Samsungin markkinointimateriaaliin en ole viitannut, eivätkä myöskään lainaamani lähteet artikkeleissa, joihin viittasin.
Lisäksi eivät nuo lainaamani lähteet ole varauksetta suositelleet TLC:tä MLC:een sijasta, vaan TLC:n haasteet ja huonot puolet verrattuna MLC:hen tai SLC:hen on tuotu varsin selkeästi esille. Kun SSD-asemia arvioidaan kokonaisuutena, on kyse aina paljon muustakin kuin SLC:n, MLC:n ja TLC:n erojen huomioimisesta...

 

[Threadripper]

Laitatko pääsi pantiksi siitä, että ei löydy yhtään MLC-tekniikalla varustettua SSD-asemaa, joka ei olisi kärsinyt lukunopeuksien hidastumisesta tai jossa tapahtuvaa "voltage drift"iä ei olisi pyritty pitämään kurissa ohjelmistotason ratkaisuilla?

En laita. Jokainen MLC asema kärsii lukunopeuden hidastumisesta kun tarpeeksi aikaa kuluu. Tämä "tarpeeksi" on MLC levyissä pääsääntöisesti hyvin pitkä aika kun Samsungin TLC rojuissa se oli lyhyt.

Miksi kuvittelet, että juuri Samsungiin olisi jotenkin erityisen myönteinen mielipide?
Ettei vaan oma fanaattisuutesi sokaisisi sinua...

Se paistaa läpi noista artikkeleista. Samsungia lähinnä kehutaan kun purkalla paikkaavat 840 Evo:n purkalla (ja 840 Evon purkassa kesti 3 vuotta). En näe paljoa syytä kehuihin.

Nettikirjoittelun perusteella tilanne on pikemminkin päinvastoin...

Itsehän ostan hinta/laatusuhteeltaan hyviä laitteita valmistajasta riippumatta. En karta tai suosi tuotteita valmistajan perusteella... Sinun harrastamassasi jonkun tietyn valmistajan tuotteiden karttamisessa en näe juurikaan järkeä... Hyvä tuote on hyvä tuote valmistajasta riippumatta...

En tiedä paljonko olet lueskellut, oman lukemani perusteella olen eri mieltä. Tästä ei ole esittää faktaa.

Hyvä tuote on hyvä tuote, toiset valmistajat saavat huonostakin tuotteesta "hyvän" sopivasti hypettämällä. Samsungilla näitä "hypellä hyviä" tuotteita on ollut monia.

No sieltäpä tuli hienot perustelut, kuten jo olettaa saattoikin...

Vastasin kysymykseen.

Miksi valehtelet?

Samsungin markkinointimateriaaliin en ole viitannut, eivätkä myöskään lainaamani lähteet.
Lisäksi eivät nuo lainaamani lähteet ole suositelleet TLC:tä MLC:een sijasta.

Missä kohtaa valehtelen?

Samsungin markkinointimateriaalista on otettu esim. "V-NAND TLC kestää saman mitä planaari MLC" (sivun otsiko) Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

Väitteen osoitin jo vääräksi.

850 Evon suositteleminen MLC levyn sijasta tarkoittaa samalla TLC:n suosittelemista MLC:n sijaan. Huomautan myös tiettyjen käyttämiesi lähteiden "asiantuntijoiden" tehneen aiemminkin artikkeleita. Vaikka lähteessäsi ei suoraan sanottaisikaan, samat kirjoittajat ovat voineet sanoa sen aiemmin.

 

[Mestaritonttu]

Tämä tulee nyt ulkomuistista, mutta muistaakseni Anandtech kirjoitti joskus, että Sandiskin SSD-levyt käyvät läpi pitkän testiohjelman ja se on yski harvoista valmistajista, jotka niin tekevät Intellin lisäksi.
Pahimmillaan muilla valmistajilla ei ole mitään testaamista, vaan laittavat vain komponentit kasaan ja asiakas saa testata toimiiko se suunnitellusti.

Eli kyllähän hintaan vaikuttaa muutkin kuin pelkät levyn komponentit ja ainakin ennen Sandiskillä oli se kunnossa. Mutta nykyään voi siis sitäkin epäillä.

Olisiko mitään järkeä ostaa vaikka jotain tällaistä:
Intel 480GB DC S3520 Series, 2.5" SSD-levy, SATA III, 450/380 MB/s - 345,00€

Intel DC S3520. MLC muistia ja hintaa yli tuplat halvimpiin verrattuna. Pomppaako se hinta tosiaan noin pirusti, jos haluaa varmasti laatua.

Itse ottaisin tuon intelin etenkin koska siinä on intelin oma muistiohjain sekä 3D Nand Flash (MLC) muisti. Käyttislevyksi kannattaa ehkä ottaa M2- levy jos budjetti sallii mutta muille ohjelmille serverilevy on oikein riittävä, vaikka kestävyys niissä menee nopeuden edelle.

 

[M_M]

Missä kohtaa valehtelen?

Samsungin markkinointimateriaalista on otettu esim. "V-NAND TLC kestää saman mitä planaari MLC" (sivun otsiko) Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

Miksi valehtelet?

Artikkeli on otsikoitu:

Endurance: Close to Planar MLC NAND

Tuo ei suinkaan tarkoita yllä väittämääsi...
Artikkelissa myös vertaillaan kestävyyttä ihan numeerisilla arvoilla:

It appears that TLC flavor of V-NAND is rated at about 2,000 P/E cycles. The raw WLC value seems to be based on the user capacity (i.e. 120GB = 1 P/E cycle) because just going by it puts the endurance at ~2,133 P/E cycles (128/0.06), but that doesn't add up with the raw NAND capacity and total data written. However, the estimated total write endurance (which is just 15,260/0.06) suggests that the NAND itself is rated at 2,000 P/E cycles, which would make sense as the number of P/E cycles is usually an even thousand and it's also inline with the increase that the 850 Pro saw (from 3,000 cycles in the 840 Pro to 6,000 cycles).

850 EVO:n (3D TLC) 2000 P/E cycleä ei ole sama kuin 840 Pro:n (2D MLC) 3000 P/E cycleä!
Ei tuota vertailua paljon selkeämmin voi suorittaa.

Kun vielä tiedetään, että 2D MLC:tä käyttänyt 840 PRO oli aikoinaan yksi kirjoituskestävyydeltään parhaista SSD-asemista ja huonompiakin MLC:tä käyttäviä SSD-asemia löytyi markkinoilta, on otsikon mukainen väite varsin uskottava!

850 Evon suositteleminen MLC levyn sijasta tarkoittaa samalla TLC:n suosittelemista MLC:n sijaan. Huomautan myös tiettyjen käyttämiesi lähteiden "asiantuntijoiden" tehneen aiemminkin artikkeleita. Vaikka lähteessäsi ei suoraan sanottaisikaan, samat kirjoittajat ovat voineet sanoa sen aiemmin.

Ei tarkoita.

3D TLC ei ole sama asia kuin 2D TLC, koska jo muistisolujen koko on yo. 3D TLC:ssä paljon suurempi.
Lisäksi SSD-asema sisältää paljon muitakin ratkaisuja kuin 2D vs. 3D tai MLC vs. TLC. Niinpä jonkin yksittäisen SSD-aseman saama hyvä arvio ei suinkaan tarkoita kannanottoa aiheeseen MLC vs. TLC (tai jopa SLC vs. MLC), kuten virheellisesti päättelet...

 

[Lallijuoppo]

3D TLC ei ole sama asia kuin 2D TLC, koska jo muistisolujen koko on yo. 3D TLC:ssä paljon suurempi.
Lisäksi SSD-asema sisältää paljon muitakin ratkaisuja kuin 2D vs. 3D tai MLC vs. TLC. Niinpä jonkin yksittäisen SSD-aseman saama hyvä arvio ei suinkaan tarkoita kannanottoa aiheeseen MLC vs. TLC (tai jopa SLC vs. MLC), kuten virheellisesti päättelet...

Tuli yksi juttu tässä mieleen, josta en kyllä muista lukeneeni koskaan.
Kun vaikka ostat tietokoneeseen muistia, niin vaikkapa DDR4 on vasta se lähtötaso.
On pientä eroa siinä ostatko jotain bulkkimuistia tyyliin DDR4 2133MHz vai sitä ylikellottajien hyväksi testaamaa Samsungin B-tyyppiä, jonka löytää kun osaa etsiä.

Eli kun jossain asemassa sanotaan olevan tietyn tyyppistä muistia, niin voiko silti olla suurtakin eroa laadussa, kun toinen valmistaja käyttää halvinta ja toinen sitä "ylikellotusmuistia"?

 

[Threadripper]

Miksi valehtelet?

Artikkeli on otsikoitu:

​

Tuo ei suinkaan tarkoita yllä väittämääsi...
Artikkelissa myös vertaillaan kestävyyttä ihan numeerisilla arvoilla:

​

850 EVO:n (3D TLC) 2000 P/E cycleä ei ole sama kuin 840 Pro:n (2D MLC) 3000 P/E cycleä!
Ei tuota vertailua paljon selkeämmin voi suorittaa.

Kun vielä tiedetään, että 2D MLC:tä käyttänyt 840 PRO oli aikoinaan yksi kirjoituskestävyydeltään parhaista SSD-asemista ja huonompiakin MLC:tä käyttäviä SSD-asemia löytyi markkinoilta, on otsikon mukainen väite varsin uskottava!

Vai että kolmasosan huonompi on "close". Ei kuule ole.

Numeerisilla arvoilla? Tässä näkee asiantuntemuksen eron. Sinun "asiantuntijasi" vetää pari testiä ja alkaa SMART arvoista extrapoloimalla päättelemään paljonko NAND kestää. Huikeaa.

Minä sen sijaan katson paljonko valmistaja lupaa levyn kestävän kirjoituksia ennen takuun menettämistä ja vertaan sitä muiden valmistajien lupaamiin arvoihin.

Tuolla extrapoloinnilla saadaan 250 gigaisen aseman kirjoituskestävyydeksi 500 TBW, valmistaja lupaa 75 TBW. Ero on 6,7 kertainen. Ennen kaikkea, kumpi arvoista kiinnostaa enemmän? Minun tarkat arvoni pätevät jokaiseen myytyyn levyyn, sinun "asiantuntijasi" arvo on sinne päin ja se pätee tasan yhteen levyyn, siihen golden sampleen joka sillä "asiantuntijalla" on.

Kuten aiemmin todistin, Samsungin V-NAND:n kestävyys on todella kaukana MLC levyjen kestävyydestä, ei lähellä sitä.

Ei tarkoita.

3D TLC ei ole sama asia kuin 2D TLC, koska jo muistisolujen koko on yo. 3D TLC:ssä paljon suurempi.
Lisäksi SSD-asema sisältää paljon muitakin ratkaisuja kuin 2D vs. 3D tai MLC vs. TLC. Niinpä jonkin yksittäisen SSD-aseman saama hyvä arvio ei suinkaan tarkoita kannanottoa aiheeseen MLC vs. TLC (tai jopa SLC vs. MLC), kuten virheellisesti päättelet...

Kuinka moni muu valmistaja myi tuossa vaiheessa 3D TLC levyjä tai edes TLC levyjä? Hyvin harva. Myiö Samsung tuohon aikaan halpaa MLC levyä? Ei. Siksi tuo oli selkeä kannanotto TLC vs MLC.

 

[M_M]

Vai että kolmasosan huonompi on "close". Ei kuule ole.

Numeerisilla arvoilla? Tässä näkee asiantuntemuksen eron. Sinun "asiantuntijasi" vetää pari testiä ja alkaa SMART arvoista extrapoloimalla päättelemään paljonko NAND kestää. Huikeaa.

Noloa! Et ymmärrä mitä P/E cyclet tarkoittavat, vaikka artikkelissa käydään myös tuo asia selkeästi läpi.

Tavaappa vielä kerran mitä kommentissani sinulle yritin opettaa:

Kun vielä tiedetään, että 2D MLC:tä käyttänyt 840 PRO oli aikoinaan yksi kirjoituskestävyydeltään parhaista SSD-asemista ja huonompiakin MLC:tä käyttäviä SSD-asemia löytyi markkinoilta, on otsikon mukainen väite varsin uskottava!

Minä sen sijaan katson paljonko valmistaja lupaa levyn kestävän kirjoituksia ennen takuun menettämistä ja vertaan sitä muiden valmistajien lupaamiin arvoihin.

Sinä et sen sijaan ymmärrä, että kukaan asiaan perehtynyt ei käy vertailua vain yhteen parhaista SSD-asemista.

Esimerkiksi Crucial MX100 oli erittäin hyvä, laadukkaaksi tunnetun valmistajan 2D MLC:tä käyttävä SSD-asema, joka kuitenkin hävisi useiden testien ja arvioiden perusteella kestävyydessä 840 PRO:lle. (Mikä ei ole toki ihme, koska 840 PRO on aivan eri hintaluokan SSD-asema kuin Crucial MX100. Crucial MX100 sijoittuu hintaluokaltaan lähemmäksi Samsungin EVO-malleja.)
Ja kuten spekseistä voidaan todeta, on Crucial MX100 TBW-luokitukseltaan heikompi kuin 850 EVO.

Tuolla extrapoloinnilla saadaan 250 gigaisen aseman kirjoituskestävyydeksi 500 TBW, valmistaja lupaa 75 TBW. Ero on 6,7 kertainen. Ennen kaikkea, kumpi arvoista kiinnostaa enemmän? Minun tarkat arvoni pätevät jokaiseen myytyyn levyyn, sinun "asiantuntijasi" arvo on sinne päin ja se pätee tasan yhteen levyyn, siihen golden sampleen joka sillä "asiantuntijalla" on.

Ja taas kerran osoitat oman tietämättömyytesi. Sinun "tarkat" arvosi eivät päde jokaiseen myytyyn levyyn, koska kaikki valmistajat eivät ole ilmoittaneet kaikille SSD-malleilleen TBW-arvoja.
Ja se SMART-arvojen perusteella laskettu P/E cyclejen määräkin pätee kaikkiin saman mallisiin SSD-levyihin, ei vain siihen yhteen vertailussa käytettyyn levyyn...
Muutenkin valmistajan itsensä ilmoittama TBW-arvo on parhaimmillaankin vain suuntaa-antava, ei tarkka...

Kun verrataan saman valmistajan levyjä keskenään, on luonnollista käyttää vertailuun P/E cyclejä - varsinkin, kun asiaan perehtyneet tietävät, ettei Samsung aikoinaan antanut kaikille SSD-levyille TBW-luokitusta:
Samsung SSD 840 EVO Review: 120GB, 250GB, 500GB, 750GB & 1TB Models Tested

Samsung isn't quoting any specific TB written values for how long it expects the EVO to last, although the drive comes with a 3 year warranty.

Kuten aiemmin todistin, Samsungin V-NAND:n kestävyys on todella kaukana MLC levyjen kestävyydestä, ei lähellä sitä.

Et ole todellisuudessa todistanut mitään, vaan vain ja ainoastaan esittänyt joukon perättömiä väitteitä...

Mutta jos haluat vertailla valmistajien ilmoittamia TBW-arvoja, niin seuraavassa muutamia laadukkaaksi tunnettuja SSD-asemia:

Crucial MX100 256 GB: 72 TB
Crucial MX200 256 GB: 80 TB
Sandisk Extreme Pro 240 GB: >80 TB
Samsung 850 EVO 250 GB: 75 TB
Samsung 850 PRO 256 GB: 150 TB

Crucial MX100 512 GB: 72 TB
Crucial MX200 512 GB: 160 TB
Sandisk Extreme Pro 480 GB: >80 TB
Samsung 850 EVO 500 GB: 150 TB
Samsung 850 PRO 512 GB: 300 TB

Hyvinhän sekä Samsungin TLC (EVO) että MLC (PRO) V-NAND näyttävät pärjäävän muutamia silloisia pahimpia kilpailijoitaan vastaan.
Ja myös 3D TLC:tä käyttävää 850 EVO:a heikompia TBW-luokituksia löytyy 2D MLC:tä käyttävien SSD-asemien joukosta...

Mutta kuten tyhmempikin voi yllä olevista TBW-luokituksista huomata, eivät luokitukset ole todellakaan tarkkoja, koska muussa tapauksessa saman mallin kapasiteetiltaan suurempi SSD-asema saisi luonnollisesti aina suuremman TBW-luokituksen.

Kuinka moni muu valmistaja myi tuossa vaiheessa 3D TLC levyjä tai edes TLC levyjä? Hyvin harva. Myiö Samsung tuohon aikaan halpaa MLC levyä? Ei. Siksi tuo oli selkeä kannanotto TLC vs MLC.

Ei ollut, vaikka toki saat noin kuvitella.

Samsungin V-NAND on muutenkin osoittautunut hyväksi ja toimivaksi ratkaisuksi, joten sikäli kummallinen jankutuksesi vaikuttaa melkoisen turhalta.

Todetaan nyt kuitenkin vielä, että yleisesti on arvioitu, että keskivertokäyttäjä kirjoittaa dataa 10-30 GB päivässä.
Esimerkiksi yllä olevista malleista heikoimman, eli Crucial MX100:n 72 TB kirjoituskestävyys taas tarkoittaisi 40 GB päivittäistä kirjoitusmäärää viiden vuoden aikana, joten jokainen voi miettiä, että onko 72 TB suuremmilla kirjoituskestävyyksillä keskivertokäyttäjälle käytännössä merkitystä, jos SSD-aseman takuu on alle 5 vuotta.

Eli käytännössä jo Crucial MX100:n 72 TB on peruskäyttäjälle riittävä, eikä näennäisesti paremmasta kirjoituskestävyydestä kannata välttämättä maksaa ylimääräistä.

 

[Threadripper]

Noloa! Et ymmärrä mitä P/E cyclet tarkoittavat, vaikka artikkelissa käydään myös tuo asia selkeästi läpi

Tavaappa vielä kerran mitä kommentissani sinulle yritin opettaa:

Sinä et sen sijaan ymmärrä, että kukaan asiaan perehtynyt ei käy vertailua vain yhteen parhaista SSD-asemista.

Esimerkiksi Crucial MX100 oli erittäin hyvä, laadukkaaksi tunnetun valmistajan 2D MLC:tä käyttävä SSD-asema, joka kuitenkin hävisi kestävyydessä 840 PRO:lle. (Mikä ei ole toki ihme, koska 840 PRO on aivan eri hintaluokan SSD-asema kuin Crucial MX100. Crucial MX100 sijoittuu hintaluokaltaan lähemmäksi Samsungin EVO-malleja.)

P/E. cyclen. määrää. ei. pysty. päättelemään. lyhyen. smart. testin. perusteella. Piste. Se että ylipäätään uskot tuohon roskaan, kertoo kaiken olennaisen. Tuo "P/E cyclen määrän määrittely kun Smart arvo tippuu yhdellä" on testinä luokkaa pilipali ja pätee tasan yhteen asemaan, siihen jota "testataan". Koko "testi" on niin typerä etten ymmärrä miksi sellainen edes tehtiin.

840 Pro on MLC asema. Eli pointtisi on mikä? Kalliimpaan MLC asemaan luvataan parempi kestävyys kuin halpaan MLC asemaan?

Mikäli taas tarkoitat tuota P/E cyclejen määrää, se on 850 Evon osalta täysin hatusta heitetty arvo.

Ja taas kerran osoitat oman tietämättömyytesi. Sinun "tarkat" arvosi eivät päde jokaiseen myytyyn levyyn, koska kaikki valmistajat eivät ole ilmoittaneet kaikille SSD-malleilleen TBW-arvoja.
Muutenkin valmistajan itsensä ilmoittama TBW-arvo on parhaimmillaankin vain suuntaa-antava, ei tarkka...

Kun verrataan saman valmistajan levyjä keskenään, on luonnollista käyttää vertailuun P/E cyclejä - varsinkin, kun asiaan perehtyneet tietävät, ettei Samsung aikoinaan antanut kaikille SSD-levyille TBW-luokitusta:
Samsung SSD 840 EVO Review: 120GB, 250GB, 500GB, 750GB & 1TB Models Tested

TBW arvot pätevät jokaiseen malliin, koska ne vaikuttavat siihen meneekö levy takuuseen vai ei.

Moni valmistaja ei aikanaan antanut levyille minkäänlaista TBW luokitusta koska asialle ei nähty tarvetta. Osa antoi sinne päin (yleensä alakanttiin) kun sitä pyydettiin. Joka tapauksessa valmistajien ilmoittava TBW arvo on tarkka koska se ratkaisee takuun kohtalon. TBW arvon yli kun mennään, ei mene enää takuuseen joten valmistaja ilmoittaa arvon jonka se arvelee kaikkien yksilöiden vähintään kestävän. Kaikkien eikä vain yhden testikappaleen.

Et ole todellisuudessa todistanut mitään, vaan vain ja ainoastaan esittänyt joukon perättömiä väitteitä...

Mutta jos haluat vertailla TBW-arvoja, niin seuraavassa muutamia laadukkaaksi tunnettuja SSD-asemia:
Crucial MX100 256 GB: 72 TB
Crucial MX200 256 GB: 80 TB
Sandisk Extreme Pro 240 GB: 80 TB
Samsung 850 EVO 250 GB: 75 TB
Samsung 850 PRO 256 GB: 150 TB

Crucial MX100 512 GB: 72 TB
Crucial MX200 512 GB: 160 TB
Sandisk Extreme Pro 480 GB: 80 TB
Samsung 850 EVO 500 GB: 150 TB
Samsung 850 PRO 512 GB: 300 TB

Hyvinhän sekä Samsungin TLC (EVO) että MLC (PRO) V-NAND näyttävät pärjäävän silloisia pahimpia kilpailijoitaan vastaan.
Ja myös 3D TLC:tä käyttävää 850 EVO:a heikompia TBW-luokituksia löytyy 2D MLC:tä käyttävien SSD-asemien joukosta...


Mutta kuten tyhmempikin voi yllä olevista TBW-luokituksista huomata, eivät luokitukset ole todellakaan tarkkoja, koska muussa tapauksessa saman mallin kapasiteetiltaan suurempi SSD-asema saisi luonnillisesti aina suuremman TBW-luokituksen.

Nokitan 850 Evo:a vanhemmalla Micron's M600 solid-state drive reviewed

256GB 200 TBW
512GB 300 TBW

Kovempi kuin Samsung 840 Pro vaikka on 16nm NAND:lla. Crucialin levyt olivat tuohon aikaan 850 Evo:a halvempia ja vieläpä MLC:ta, jossakin sen hinnan pitää näkyä, yllätys.

Suurempi asema ei välttämättä saisi suurempaa luokitusta koska tietoa voidaan kirjoittaa enemmän kuin asemalle tallennetaan tietoa.

Joka tapauksessa TBW kertoo paljon paremmin kestävyydestä kuin joku yksittäinen SMART arvon muutos, joka sattuu olemaan ainoa mitä sinulla on tarjota.

Ei ollut, vaikka toki saat noin kuvitella.

Samsungin V-NAND on muutenkin osoittautunut hyväksi ja toimivaksi ratkaisuksi, joten sikäli kummallinen jankutuksesi vaikuttaa melkoisen turhalta.

Todetaan nyt kuitenkin vielä, että yleisesti on arvioitu, että keskivertokäyttäjä kirjoittaa dataa 10-30 GB päivässä..-
Esimerkiksi yllä olevista malleista heikoimman, eli Crucial MX100:n 72 TB kirjoituskestävyys taas tarkoittaisi 40 GB päivittäistä kirjoitusmäärää viiden vuoden aikana, joten jokainen voi miettiä, että onko 72 TB suuremmilla kirjoituskestävyyksillä keskivertokäyttäjälle käytännössä merkitystä, jos SSD-aseman takuu on alle 5 vuotta.

Eli käytännössä jo Crucial MX100:n 72 TB on peruskäyttäjälle riittävä, eikä näennäisesti paremmasta kirjoituskestävyydestä kannata välttämättä maksaa ylimääräistä.

Kyllä se tuohon aikaan oli. Nythän Samsung on julkaissut myös 2D TLC levyn ja moni muu on julkaissut myös 3D TLC:ta, joten ei se enää olisi. Tuohon aikaan oli. Lisäksi kun TLC:n on annettu ymmärtää olevan MLC:ta halvempaa, TLC levyjen pitäisi myös olla MLC levyjöä halvempia. Samsung käänsi tuon asetelman ylösalaisin (TLC kalliimpaa kuin MLC) ja porukka osti silti. En tajua.

Samsungin V-NAND on osoittautunut paremmaksi kuin Samsungin edellinen TLC. Siihen ei tosin paljoa vaadita. Kallista se on silti.

Keskivertokäyttäjän kirjoittama datamäärä voi kasvaa huomattavastikin mikäli jokin ohjelma bugittaa ja kirjoittaa levylle oikein kunnolla. SSD:lle pystyy kirjoittamaan nopeasti ja paljon. Sen takia kirjoitusmäärissä kannattaa olla pelivaraa.

Jahas, 850 Evo jutun kirjoittaja on nykyisin Samsungilla töissä. "Yllätys".

 

[M_M]

P/E. cyclen. määrää. ei. pysty. päättelemään. lyhyen. smart. testin. perusteella. Piste. Se että ylipäätään uskot tuohon roskaan, kertoo kaiken olennaisen. Tuo "P/E cyclen määrän määrittely kun Smart arvo tippuu yhdellä" on testinä luokkaa pilipali ja pätee tasan yhteen asemaan, siihen jota "testataan". Koko "testi" on niin typerä etten ymmärrä miksi sellainen edes tehtiin.

En nyt oikein näe mitään järkeä mutuiluissasi.

P/E cyclejen määrähän saadaan suoraan SMART -arvosta:
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

The 'Current Value' of the WLC SMART value gives the remaining endurance as a percentage (starts from 99), whereas the 'Raw Data' value indicates the number of consumed P/E cycles.

Ja Samsunghan ilmoittaa P/E cyclet suoraan SMART-arvoissa:
Using SMART Attributes to Estimate Enterprise SSD Lifetime

SMART ID Description          Raw                    Normalized
  177    Wear Leveling Count  Consumed P/E cycles    Percentage of
                                                     remaining P/E
                                                     cycles
  241    Total LBAs Written   Host writes in number
                              of sectors (512 bytes)

Etkö vieläkään ymmärrä miksi testi tehtiin?
No minäpä väännän vielä kerran rautalangasta:
Kun saman valmistajan eri SSD-levyjä verrataan keskenään, antavat täsmälleen saman testin perusteella saadut P/E cyclejen määrät varsin hyvän pohjan vertailuille - varsinkin kun tiedetään, ettei kaikille kyseisen vertailun malleille ollut saatavilla TBW-arvoja.
Kun arviota tehtiin nimenomaan uudesta 850 EVO-mallista ja aiemmalle 840 EVO-mallille valmistaja ei ollut antanut TBW-luokitusta, oli varsin luonnollista, että kirjoituskestoa pyrittiin arvioimaan ja vertailemaan muilla ja erittäin hyvin perustelluilla menetelmillä. Mutta toki arviossa annetaan luonnollisesti myös TBW-luokitukset:
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

endurance ratings Samsung is giving to the 850 EVO (75TB for 120/250GB and 150TB for 500GB/1TB).

Miksi TBW-arvot eivät sinulle kelpaa?

Jokainen voi lukea artikkelit, joihin olen viitannut ja todeta, kuinka uskottavia sinun väittämäsi ovat niihin verrattuna...

840 Pro on MLC asema. Eli pointtisi on mikä? Kalliimpaan MLC asemaan luvataan parempi kestävyys kuin halpaan MLC asemaan?

Mikäli taas tarkoitat tuota P/E cyclejen määrää, se on 850 Evon osalta täysin hatusta heitetty arvo.

850 EVO:n osalta kaivoin sinulle myös TBW-arvot, jotka ovat paremmat kuin tuossa halvassa MLC-asemassa...

TBW arvot pätevät jokaiseen malliin, koska ne vaikuttavat siihen meneekö levy takuuseen vai ei.

Moni valmistaja ei aikanaan antanut levyille minkäänlaista TBW luokitusta koska asialle ei nähty tarvetta. Osa antoi sinne päin (yleensä alakanttiin) kun sitä pyydettiin. Joka tapauksessa valmistajien ilmoittava TBW arvo on tarkka koska se ratkaisee takuun kohtalon. TBW arvon yli kun mennään, ei mene enää takuuseen joten valmistaja ilmoittaa arvon jonka se arvelee kaikkien yksilöiden vähintään kestävän. Kaikkien eikä vain yhden testikappaleen.

Et näköjään ymmärrä mitä nuo TBW-arvot käytännössä tarkoittavat.

Normaalilla kotikäytöllä TBW-arvojen mukaisia kirjoitusmääriä ei saavuteta ennen valmistajien antamien takuuaikojen päättymistä...

Nokitan 850 Evo:a vanhemmalla Micron's M600 solid-state drive reviewed

256GB 200 TBW
512GB 300 TBW

Kovempi kuin Samsung 840 Pro vaikka on 16nm NAND:lla. Crucialin levyt olivat tuohon aikaan 850 Evo:a halvempia ja vieläpä MLC:ta, jossakin sen hinnan pitää näkyä, yllätys.

Nokituksesi ei tuo mitään lisäarvoa keskusteluun...

Kovemmasta lähtöhinnasta huolimatta 850 EVO:ja myytiin varsin usein hyvin pitkälti samalla hintatasolla ja jopa halvemmalla kuin kilpailevia Crucialeja...

Ja edelleen Crucial käytti 2D MLC:tä, kun taas 850 EVO:ssa käytettiin 3D TLC:tä...

Suurempi asema ei välttämättä saisi suurempaa luokitusta koska tietoa voidaan kirjoittaa enemmän kuin asemalle tallennetaan tietoa.

Kyllä erittäin todennnäköisesti saisi...
TBW = Total Bytes Written

Joka tapauksessa TBW kertoo paljon paremmin kestävyydestä kuin joku yksittäinen SMART arvon muutos, joka sattuu olemaan ainoa mitä sinulla on tarjota.

Miksi valehtelet?
Tarjosin sinulle kasan TBW-arvoja

Kyllä se tuohon aikaan oli. Nythän Samsung on julkaissut myös 2D TLC levyn ja moni muu on julkaissut myös 3D TLC:ta, joten ei se enää olisi. Tuohon aikaan oli. Lisäksi kun TLC:n on annettu ymmärtää olevan MLC:ta halvempaa, TLC levyjen pitäisi myös olla MLC levyjöä halvempia. Samsung käänsi tuon asetelman ylösalaisin (TLC kalliimpaa kuin MLC) ja porukka osti silti. En tajua.

Miksi valehtelet?

Samsungin TLC:tä käyttävät SSD-asemat ovat olleet aina Samsungin vastaavia MLC:tä käyttäviä malleja halvempia.
Ja edelleenkään 2D TLC ei ole sama asia kuin 3D TLC.

Lisäksi kannattaisi huomioida myös se, että eri valmistajien 3D-toteutuksissa on varsin merkittäviäkin eroja.

Muiden valmistajien malleihin vertailtaessa pitää luonnollisesti verrata kokonaisuuksia, ei vain muistitekniikkaa ja hintaa...

 

[Threadripper]

En nyt oikein näe mitään järkeä mutuiluissasi.

Etkö vieläkään ymmärrä miksi testi tehtiin?
No minäpä väännän vielä kerran rautalangasta:
Kun saman valmistajan eri SSD-levyjä verrataan keskenään, antavat täsmälleen saman testin perusteella saadut P/E cyclejen määrät varsin hyvän pohjan vertailuille - varsinkin kun tiedetään, ettei kaikille kyseisen vertailun malleille ollut saatavilla TBW-arvoja.

Jokainen voi lukea artikkelit, joihin olen viitannut ja todeta, kuinka uskottavia sinun väittämäsi ovat niihin verrattuna...

Eivätkä anna koska valmistaja voi määritellä ne arvot miten haluaa. Koska toisaalta TBW arvo monta kertaluokkaa pienempi kuin tuolla saatava P/E arvo, ei valmistaja voi ihan vapaasti laittaa ne yläkanttiin eikä kukaan sitä voi todistaa vääräksi

850 EVO:n osalta kaivoin sinulle myös TBW-arvot, jotka ovat paremmat kuin tuossa halvassa MLC-asemassa...

Niin? TLC asema joka maksaa enemmän kuin MLC asema... Jossakin sen halvan hinnan pitää näkyä kuten sanoin ajat sitten.

Et näköjään ymmärrä mitä nuo TBW-arvot käytännössä tarkoittavat.

Normaalilla kotikäytöllä TBW-arvojen mukaisia kirjoitusmääriä ei saavuteta ennen valmistajien antamien takuuaikojen päättymistä...

Normaaliiin kotikäyttöön voidaan laskea myös bugittavat ohjelmistot.

Nokituksesi ei tuo mitään lisäarvoa keskusteluun...

Kovemmasta lähtöhinnasta huolimatta 850 EVO:ja myytiin varsin usein hyvin pitkälti samalla hintatasolla kuin kilpailevia Crucialeja...

Crucial on MLC, 850 Evo TLC joten 850 Evo:n olisi pitänyt olla reilusti halvempi jotta olisi vertailukelpoinen.

Kyllä saisi.
TBW = Total Bytes Written

Eikä saa koska siihen vaikuttaa myös write amplification.

Toisin sanottuna, koska WAF ei ole tiedossa, ei myöskään voi laskea SMART arvojen perusteella mitään P/E cyclejä. Tietenkin noilla OLETUKSILLA voi laskea Write amplification arvon 250GB Evolle joka olisi niinkin kova kuin 6,66. Ohjain vaikuttaa melkoiselta kuralta.

Miksi valehtelet?
Tarjosin sinulle kasan TBW-arvoja

Samoin ja ei näytä Samsungin 3D TLC pärjäävän edes vähää alusta Crucialin 2D MLC:lle.

Miksi valehtelet?

Samsungin TLC:tä käyttävät SSD-asemat ovat olleet aina Samsungin vastaavia MLC:tä käyttäviä malleja halvempia.
Ja edelleenkään 2D TLC ei ole sama asia kuin 3D TLC.

Lisäksi kannattaisi huomioida myös se, että eri valmistajien 3D-toteutuksissa on varsin merkittäviäkin eroja.

Muiden valmistajien malleihin vertailtaessa pitää taas luonnollisesti verrata kokonaisuuksia, ei vain muistitekniikkaa ja hintaa...

Samsungin TLC asemat ovat olleet Samsungin MLC asemia kalliimpia mutta Samsungin TLC asemat ovat myös olleet muiden valmistajien MLC asemia kalliimpia. Samsungin 2D TLC maksaa hyvin lähelle saman kuin Samsungin 3D TLC. Kukahan sitä 2D roskaa ostaa

Toteutuksissa on eroja muttei järisyttävän suuria kun puhutaan saman aikakauden tuotteista.

Kokonaisuuksia verrattaessa Samsungin TLC asemat voittivat joissakin asioissa ja hävisivät toisissa. Joten pääasialliseksi valintakriteeriksi jää lopulta TLC vs MLC.

 

[M_M]

Eivätkä anna koska valmistaja voi määritellä ne arvot miten haluaa. Koska toisaalta TBW arvo monta kertaluokkaa pienempi kuin tuolla saatava P/E arvo, ei valmistaja voi ihan vapaasti laittaa ne yläkanttiin eikä kukaan sitä voi todistaa vääräksi

Et siis vieläkään ymmärrä, miksi P/E cycle -arvoja pyrittiin arvioimaan ja käyttämään vertailtaessa 840 EVO:a ja 850 EVO:a?

Mutta toki arviossa annetaan luonnollisesti myös TBW-luokitukset niitä kaipaaville:
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

endurance ratings Samsung is giving to the 850 EVO (75TB for 120/250GB and 150TB for 500GB/1TB).

Niin? TLC asema joka maksaa enemmän kuin MLC asema... Jossakin sen halvan hinnan pitää näkyä kuten sanoin ajat sitten.

3D TLC, joka tarjoaa mm. paremman TBW:n - puhumattakaan muista eroista...

Normaaliiin kotikäyttöön voidaan laskea myös bugittavat ohjelmistot.

Niin voidaan...

Crucial on MLC, 850 Evo TLC joten 850 Evo:n olisi pitänyt olla reilusti halvempi jotta olisi vertailukelpoinen.

Crucial on MLC, 850 Evo 3D TLC - eivätkä nuo ole edes ainoat erot asemien välillä...

Eikä saa koska siihen vaikuttaa myös write amplification.

Miksi write amplification olisi suuremmilla SSD-asemilla pienempiä kertaluokkaa heikompi?

Kokonaisuuksia verrattaessa Samsungin TLC asemat voittivat joissakin asioissa ja hävisivät toisissa. Joten pääasialliseksi valintakriteeriksi jää lopulta TLC vs MLC.

Voit vapaasti jankuttaa yhä uudelleen omia mielipiteitäsi.
Omat perustelusi olet yrittänyt antaa ja jokainen osaa varmasti arvioida kuinka vakuuttavia ne ovat.

Samoin olen itse kertonut ja perustellut mielipiteeni useita asiantuntijalähteitä käyttäen, joten en näe mitään järkeä toistella samoja asioita yhä uudelleen...

 

[Threadripper]

Et siis vieläkään ymmärrä, miksi P/E cycle -arvoja pyrittiin arvioimaan ja käyttämään vertailtaessa 840 EVO:a ja 850 EVO:a?

Mutta toki arviossa annetaan luonnollisesti myös TBW-luokitukset niitä kaipaaville:
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

Ihan sama miksi kun niitä ei tuolla tavalla pysty tarkasti arvioimaan.

3D TLC, joka tarjoaa mm. paremman TBW:n - puhumattakaan muista eroista...

Paremman TBW:n verrattuna mihin? Mikäli tarkoitat MX100:a, tuossa on samaa NAND:a Micron's M600 solid-state drive reviewed

MX100 julkaistiin hyvin pian sen jälkeen kun TBW arvoja ylipäätään alettiin ilmoittamaan. Siksi tuo Crucial on parempi vertailukohta koska NAND on samaa. Ts. Samsungin 3D TLC ei tarjoa lähellekään samaa kestävyyttä kuin Micronin 16nm 2D MLC.

Kun kerran pidät laskuista, lasken samalla write amplification arvolla P/E cyclet kuin mitä oli 2000 P/E arviossa 850 Evolla. Se on 5328 eli yli 2,5 kertaa 3D TLC:n arvioitu kestävyys

Niin voidaan...

Crucial on MLC, 850 Evo 3D TLC - eivätkä nuo ole edes ainoat erot asemien välillä...

Ja juuri tuossa ylempänä todistan Crucialin NAND:n olevan selvästi parempaa.

Miksi write amplification olisi suuremmilla SSD-asemilla pienempiä kertaluokkaa heikompi?

Ehkä suuremmat asemat jakavat dataa tasaisemmin?

Voit vapaasti jankuttaa yhä uudelleen omia mielipiteitäsi.
Omat perustelusi olet yrittänyt antaa ja jokainen osaa varmasti arvioida kuinka vakuuttavia ne ovat.

Samoin olen itse kertonut ja perustellut mielipiteeni useita asiantuntijalähteitä käyttäen, joten en näe mitään järkeä toistella samoja asioita yhä uudelleen...

Ongelma on siinä ettet sinä esitä mitään mielipiteitä, vaan lähinnä copypasteat amatöörilähteistä ymmärtämättä mistä kyse. Minä taas esitän mielipiteitä joiden tueksi annan faktoja. Kuten tuossa ylempänä todistan, Crucialin 2D MLC on täysin ylivoimaista verrattuna Samsungin 3D TLC:n. Käytin laskuissa lukuja joita "asiantuntijalähteesi" antoivat joten jos ei kelpaa, kannattaa oikeasti luovuttaa.

 

[M_M]

Ihan sama miksi kun niitä ei tuolla tavalla pysty tarkasti arvioimaan.

Pystyy asiayhteys huomioiden riittävällä tarkkuudella. Perustelut löytyvät arviosta:
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

Kun kerran pidät laskuista, lasken samalla write amplification arvolla P/E cyclet kuin mitä oli 2000 P/E arviossa 850 Evolla. Se on 5328 eli yli 2,5 kertaa 3D TLC:n arvioitu kestävyys

Niin?
P/E cycleinä annettu arvo ei ole sama asia kuin TBW... Ja arviot ovat aina arvioita, eivätkä tarkkoja arvoja, kuten kuvittelet.

Ja juuri tuossa ylempänä todistan Crucialin NAND:n olevan selvästi parempaa.

Niinkö luulet?

Ehkä suuremmat asemat jakavat dataa tasaisemmin?

Ole hyvä ja vastaa kysymykseeni!

Ongelma on siinä ettet sinä esitä mitään mielipiteitä, vaan lähinnä copypasteat amatöörilähteistä ymmärtämättä mistä kyse. Minä taas esitän mielipiteitä joiden tueksi annan faktoja. Kuten tuossa ylempänä todistan, Crucialin 2D MLC on täysin ylivoimaista verrattuna Samsungin 3D TLC:n. Käytin laskuissa lukuja joita "asiantuntijalähteesi" antoivat joten jos ei kelpaa, kannattaa oikeasti luovuttaa.

Ongelmasi on se, että kuvittelet omien mielipiteidesi olevan faktoja...
Kommenttiesi perusteella asiantuntemuksesi ei myöskään ole lähelläkään antamieni useiden eri asiantuntijalähteiden tasoa.

Lopulta tosiasia on kuitenkin se, että me molemmat olemme esittäneet omia mielipiteitämme!

 

[Threadripper]

Pystyy asiayhteys huomioiden riittävällä tarkkuudella. Perustelut löytyvät arviosta:
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

Miten vaan, siinä tapauksessa Crucialin NAND kestää 5328 P/E ja Samsungin 3D TLC vain 2000...

Väite "lähes samasta kestävyydestä" on siis roskaa.

Niin?
P/E cycleinä annettu arvo ei ole sama asia kuin TBW... Ja arviot ovat aina arvioita, eivätkä tarkkoja arvoja, kuten kuvittelet.

TBW lasketaan P/E:n perusteella ja kun write amplification pidetään samana molemmissa tapauksissa, P/E:n voi laskea TBW:n avulla. Yksinkertaista.

Niinkö luulet?

Todistin sen jo käyttäen tuota artikkelin dataa.

Ole hyvä ja vastaa kysymykseeni!

Vastasin jo, tuo on yksi mahdollinen selitys.

Ongelmasi on se, että kuvittelet omien mielipiteidesi olevan faktoja...
Kommenttiesi perusteella asiantuntemuksesi ei myöskään ole lähelläkään antamieni useiden eri asiantuntijalähteiden tasoa.

Lopulta tosiasia on kuitenkin se, että me molemmat olemme esittäneet omia mielipiteitämme!

En kuvittele vaan tiedän. Mikäli Samsungin 3D TLC:n P/E cycles on 2000 ja TBW 250GB mallilla 75TBW (käyttäen sinun asiantuntijalähdettäsi), on helppo laskea write amplification factor. Laita sitten saatu write amplification factor kaavaan johon laitat Crucial M500 256GB TBW:n 200. Hyvin yksinkertaista.

 

[M_M]

Miten vaan, siinä tapauksessa Crucialin NAND kestää 5328 P/E ja Samsungin 3D TLC vain 2000...

Väite "lähes samasta kestävyydestä" on siis roskaa.

Samsung ei ole Crucial, eikä SSD-asemien tekninen toteutuskaan vastaa toisiaan, joten Samsungin SMART-datan perusteella Crucialin NANDista tekemissäsi arvioissa/vertailuissa ei ole juurikaan järkeä.

Ja Samsunghan ilmoittaa P/E cyclet suoraan SMART-arvoissa:
Using SMART Attributes to Estimate Enterprise SSD Lifetime

SMART ID   Description          Raw                    Normalized

  177      Wear Leveling Count  Consumed P/E cycles    Percentage of
                                                       remaining P/E
                                                       cycles
  241      Total LBAs Written   Host writes in number
                                of sectors (512 bytes)

The raw value of Wear Leveling Count reports the amount of NAND writes as a function of consumed P/E cycles, meaning that an increment of 1 corresponds to one full drive write.

Ja noinhan myös Anandtechin artikkelissa aivan oikein todetaan:
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

The 'Current Value' of the WLC SMART value gives the remaining endurance as a percentage (starts from 99), whereas the 'Raw Data' value indicates the number of consumed P/E cycles.

Mutta molemmille vertailtaville SSD-asemille on onneksi annettu TBW-arvot, joita voidaan käyttää suntaa-antaviin vertailuihin. Näin ollen onkin helppoa nähdä, että väite "lähes samasta kestävyydestä" ei ollut roskaa, kun verrataan muiden valmistajien ilmoittamia kilpailevien SSD-asemien TBW-arvoja:

Crucial MX100 256 GB: 72 TB
Crucial MX200 256 GB: 80 TB
Sandisk Extreme Pro 240 GB: >80 TB
Samsung 850 EVO 250 GB: 75 TB
Samsung 850 PRO 256 GB: 150 TB

Crucial MX100 512 GB: 72 TB
Crucial MX200 512 GB: 160 TB
Sandisk Extreme Pro 480 GB: >80 TB
Samsung 850 EVO 500 GB: 150 TB
Samsung 850 PRO 512 GB: 300 TB

Ja tottakai esimerkiksi uudempien tai kalliimpien tai enterprise tason (ei kuluttajien ostettavissa olevien) SSD asemien TBW -luokitukset voivat olla selkeästi suurempia.
Jos taas tarkastellaan keskusteluun mukaan nostamaasi Micron M600:sta, niin:
Micron's M600 solid-state drive reviewed

However, the drive won't be sold through normal retail channels, and Micron isn't publishing an official price list.

Micron M600 (128GB, 256GB & 1TB) SSD Review

Since the M600 is an OEM-only product, it will not be available through the usual retail channels. Thus the pricing will depend highly on the quantity ordered

Ei yksi tai edes muutama em. kaltainen esimerkki poista sitä tosiasiaa, että EVO 850:ssä käytetty 3D TLC V-NAND oli arvosteluhetkellä TBW-arvon perusteellakin kestoltaan erittäin kilpailukykyinen SSD-asema.

Pelkkää TBW-arvoa ei kuitenkaan kannata liikaa tuijottaa.
Siksipä todetaankin nyt kuitenkin vielä, että yleisesti on arvioitu, että keskivertokäyttäjä kirjoittaa dataa 10-30 GB päivässä.
Esimerkiksi yllä olevista malleista heikoimman, eli Crucial MX100:n 72 TB kirjoituskestävyys taas tarkoittaisi 40 GB päivittäistä kirjoitusmäärää viiden vuoden aikana, joten jokainen voi miettiä, että onko 72 TB suuremmilla kirjoituskestävyyksillä keskivertokäyttäjälle käytännössä merkitystä, jos SSD-aseman takuu on alle 5 vuotta.

Eli käytännössä jo Crucial MX100:n 72 TB on peruskäyttäjälle riittävä, eikä näennäisesti paremmasta kirjoituskestävyydestä kannata välttämättä maksaa ylimääräistä.

Todella hyvä ja kilpailukykyinen SSD-asemahan tuo Crucial MX100 oli aikoinaan. Siksi itsekin kyseisen SSD-aseman hankin.

TBW lasketaan P/E:n perusteella ja kun write amplification pidetään samana molemmissa tapauksissa, P/E:n voi laskea TBW:n avulla. Yksinkertaista.

Ei voi, koska mm. write amplificationia ei voida pitää samana eri valmistajien eri malleja verrattaessa, vaan:
Endurance Ratings: How They Are Calculated

The equation for endurance is rather simple. All you need to take into account is the capacity of the drive, the P/E cycles of the NAND and the wear leveling and write amplification factors. When all that is put into an equation, it looks like this:

Notice that the correct term for TBW is TeraBytes Written, not TotalBytes Written although both are fairly widely used.

Ultimately none of the manufacturers are willing to disclose the exact details of how they calculate their endurance ratings but at the high-level this is how it's done according to JEDEC's standards. Furthermore, I wouldn't rule out the possibility that some OEMs artificially lower the ratings for their consumer drives just to make sure they are not used by enterprises. In the end, there isn't really a way for us to find out whether the TBW is accurate or not since the efficiency factors are not easily measurable by third parties like us.

Tuossa myös sinulle selitys sille, miksi saman valmistajan saman mallin suuremmalla kapasiteetilla varustettujen SSD-asemien TBW on lähtökohtaisesti todennäköisesti pienemmällä kapasiteetilla varustettuja suurempi.

Tässä kohtaa kannattaisi aina myös huomioida, että eri valmistajien eri mallien TBW-arvojen laskemista kokeellista SMART-datan (mm. P/E cyclejen määrän) vertailua käyttäen vaikeuttavat esim. mahdollinen SLC-cache sekä mahdollinen over provicioning, jonka koko voi vaihdella suurestikin mallista ja valmistajasta toiseen. Lisäksi eri valmistajat saattavat raportoida SMART-datan arvotkin eri tavalla...

Todistin sen jo käyttäen tuota artikkelin dataa.

Ja hienosti "todistitkin"...

En kuvittele vaan tiedän. Mikäli Samsungin 3D TLC:n P/E cycles on 2000 ja TBW 250GB mallilla 75TBW (käyttäen sinun asiantuntijalähdettäsi), on helppo laskea write amplification factor. Laita sitten saatu write amplification factor kaavaan johon laitat Crucial M500 256GB TBW:n 200. Hyvin yksinkertaista.

Nyt olet niin pahasti hakoteilla, että ei mitään rajaa...

Crucial itse ilmoittaa Crucial M500:n eri kapasiteeteilla varustetuilla SSD-asemille saman TBW:n, eli 72:
M500 SSD Solid State Drive | Product Info | Crucial.com

72TB total bytes written (TBW), equal to 40GB per day for 5 years

Jospa vaan vertailisit niitä TBW-arvoja, jos molemmille/kaikille vertailtaville SSD-asemille on TBW-arvot ilmoitettu.

Näin enimmäkseen Crucialin ja Sandiskin SSD-asemia suosineena on vaikeaa ymmärtää valtaisaa Samsungin vastaista kiimaasi!

 

[JuSiZ]

@Threadripper @M_M
Turhanäistä monta sivua väitellä ainut mikä erottuu molempien linkkauksista on että lompsaan kattomatta 850 evo ja pro luokkanssa parraat levyt ja nuokin ollut jo usean vuoden markkinoilla ja eipä muilla valmistajilla ole tullut parempaakaan tyrkylle pois lukien viimeisimmät nvme tuotokset ja tuossakin samsung vie pois lukien optanet kun ovat täysin eri muisti tekniikkaa.

 

[Nervous]

Paljonkos Samsungin 830 256 GB levyllä on suurinpiirtein tuo TBW? Samsung ei sitä spekseissään näytä kertovan.
Jonkin sortin MLC:tä tuo käyttää.
Ei ole kovin ahkerassa käytössä näköjään ollut. Vajaa 24000 tuntia ja Host-kirjoituksia Tasan 10 teraa.

840 Prossa on jonkun tiedon mukaan samat muistit: 840 PRO Series 128GB/256GB/512GB 5 years (73 TBW for enterprise applications)
Mikä lienee enterprise-varmuuskerroin takuun kierämiseen, mutta kuulostaa todella vaatimattomalta ja hatusta vedetyltä.
36 vuotta ja tämä 830 on paskaksi kirjoitettu. Tosin takuuta ei ole enää voimassa, joten elektroniikka vioittuu jollain muulla tapaa hetkenä minä hyvänsä.

 

[Lallijuoppo]

Mikä lienee enterprise-varmuuskerroin takuun kierämiseen, mutta kuulostaa todella vaatimattomalta ja hatusta vedetyltä.
36 vuotta ja tämä 830 on paskaksi kirjoitettu. Tosin takuuta ei ole enää voimassa, joten elektroniikka vioittuu jollain muulla tapaa hetkenä minä hyvänsä.

Oma mielipiteeni on, että jos tietsikka kestää kymmenen vuotta, niin silloin se on hoitanut hommansa ihan tarpeeksi hyvin eikä voi valittaa huonosta laadusta, kun jotain hajoaa. Tämä siis silloin, kun on tehnyt tietsikan laatuosista.

 

[Threadripper]

Samsung ei ole Crucial, eikä SSD-asemien tekninen toteutuskaan vastaa toisiaan, joten Samsungin SMART-datan perusteella Crucialin NANDista tekemissäsi arvioissa/vertailuissa ei ole juurikaan järkeä.

Ja Samsunghan ilmoittaa P/E cyclet suoraan SMART-arvoissa:
Using SMART Attributes to Estimate Enterprise SSD Lifetime

SMART ID   Description          Raw                    Normalized

  177      Wear Leveling Count  Consumed P/E cycles    Percentage of
                                                       remaining P/E
                                                       cycles
  241      Total LBAs Written   Host writes in number
                                of sectors (512 bytes)

Ja noinhan myös Anandtechin artikkelissa aivan oikein todetaan:
Samsung SSD 850 EVO (120GB, 250GB, 500GB & 1TB) Review

Vertailussa on järkeä koska molemmista tiedetään TBW arvot ja vastassa on 3D TLC ja 2D MLC.

Ne SMART datan perusteella tehdyt vertailut perustuvat vain siihen mitä Samsung sattuu arpomaan NAND:n P/E cycle määräksi. Samsung voisi arpoa sinne vaikka 100 000 P/E cycleä jos huvittaisi. Tuon luvun arpomisella ei ole mitään tekemistä todellisen kestävyyden kanssa koska luvuksi voi laittaa niin suuren kuin SMART sallii.

Artikkelin kirjoittaja on nykyään Samsungilla töissä, joten tuo voi jonkun mielestä olla maksettu mainos.

Mutta molemmille vertailtaville SSD-asemille on onneksi annettu TBW-arvot, joita voidaan käyttää suntaa-antaviin vertailuihin. Näin ollen onkin helppoa nähdä, että väite "lähes samasta kestävyydestä" ei ollut roskaa, kun verrataan muiden valmistajien ilmoittamia kilpailevien SSD-asemien TBW-arvoja:

Crucial MX100 256 GB: 72 TB
Crucial MX200 256 GB: 80 TB
Sandisk Extreme Pro 240 GB: >80 TB
Samsung 850 EVO 250 GB: 75 TB
Samsung 850 PRO 256 GB: 150 TB

Crucial MX100 512 GB: 72 TB
Crucial MX200 512 GB: 160 TB
Sandisk Extreme Pro 480 GB: >80 TB
Samsung 850 EVO 500 GB: 150 TB
Samsung 850 PRO 512 GB: 300 TB

Ja tottakai esimerkiksi uudempien tai kalliimpien tai enterprise tason (ei kuluttajien ostettavissa olevien) SSD asemien TBW -luokitukset voivat olla selkeästi suurempia.
Jos taas tarkastellaan keskusteluun mukaan nostamaasi Micron M600:sta, niin:
Micron's M600 solid-state drive reviewed

​

Micron M600 (128GB, 256GB & 1TB) SSD Review

​

Ei yksi tai edes muutama em. kaltainen esimerkki poista sitä tosiasiaa, että EVO 850:ssä käytetty 3D TLC V-NAND oli arvosteluhetkellä TBW-arvon perusteellakin kestoltaan erittäin kilpailukykyinen SSD-asema.

Pelkkää TBW-arvoa ei kuitenkaan kannata liikaa tuijottaa.
Siksipä todetaankin nyt kuitenkin vielä, että yleisesti on arvioitu, että keskivertokäyttäjä kirjoittaa dataa 10-30 GB päivässä.
Esimerkiksi yllä olevista malleista heikoimman, eli Crucial MX100:n 72 TB kirjoituskestävyys taas tarkoittaisi 40 GB päivittäistä kirjoitusmäärää viiden vuoden aikana, joten jokainen voi miettiä, että onko 72 TB suuremmilla kirjoituskestävyyksillä keskivertokäyttäjälle käytännössä merkitystä, jos SSD-aseman takuu on alle 5 vuotta.

Eli käytännössä jo Crucial MX100:n 72 TB on peruskäyttäjälle riittävä, eikä näennäisesti paremmasta kirjoituskestävyydestä kannata välttämättä maksaa ylimääräistä.

Todella hyvä ja kilpailukykyinen SSD-asemahan tuo Crucial MX100 oli aikoinaan. Siksi itsekin kyseisen SSD-aseman hankin.

Johan siirtyvät maalitolpat. Aiemmin selitit kuinka tuo "SMART arvotesti" on se ainoa oikea, nyt kelpaakin TBW. Virkistetään muistia hieman:

Koetappa Googlettaa mitä TBW tarkoittaa! Nyt nimittäin vaikuttaa siltä, ettet ymmärrä mistä tuo TBW-arvo eri SSD-asemille ilmestyy ja mitä käytännön merkitystä TBW-arvolla on...

Tuo TBW-arvo on vain valmistajan oma, "hatusta" vetämä arvo kirjoituskestävyydelle, joten kyseisen arvon perusteella tehdyt päätelmät menevät varsin usein pahasti metsään - ellet sitten arvosta valmistajia sen mukaan kuka uskaltaa mainostaa tuotetiedoissaan suurinta TBW-arvoa.

Hatusta vedetty arvo onkin nyt vertailukelpoinen, mainiota. Ja mikäs siinä. Kyse on NAND:n kestävyydestä, ei jonkin yksittäisen aseman kestävyydestä. Siksi tuo M600on täysin validi vertailukohta ja siihen verrattuna Samsungin 3D TLC häviää kevyesti.

Lähteesi puhui Samsungin 3D TLC:n kestävyydestä 2D MLC:n nähden, ei 850 Evo:n kestävyydestä johonkin randomi Crucialiin nähden. Ja edelleen sillä onko XX TBW riittävä tai onko saatavuus mitä on ei ole mitään merkitystä kun verrataan kahden erityyppisen NAND:n kestävyyttä. Kumpikaan ei vaikuta NAND:n P/E cycleihin millään tavalla. Joten lähteesi oli täysin kiistatta ja yksiselitteisesti väärässä, ei yllätä.

Ei voi, koska mm. write amplificationia ei voida pitää samana eri valmistajien eri malleja verrattaessa, vaan:
Endurance Ratings: How They Are Calculated

​

Tuossa myös sinulle selitys sille, miksi saman valmistajan saman mallin suuremmalla kapasiteetilla varustettujen SSD-asemien TBW on lähtökohtaisesti todennäköisesti pienemmällä kapasiteetilla varustettuja suurempi.

Tässä kohtaa kannattaisi aina myös huomioida, että eri valmistajien eri mallien TBW-arvojen laskemista kokeellista SMART-datan (mm. P/E cyclejen määrän) vertailua käyttäen vaikeuttavat esim. mahdollinen SLC-cache sekä mahdollinen over provicioning, jonka koko voi vaihdella suurestikin mallista ja valmistajasta toiseen. Lisäksi eri valmistajat saattavat raportoida SMART-datan arvotkin eri tavalla...

Kiitokset "uutisesta". Write amplification tuskin on sama kaikilla valmistajilla. Silti Micronille pitäisi laittaa todella korkea write amplification arvo (noin 15) jotta Samsung pääsisi lähelle. Crucialissa se sama NAND tuskin kestää noin paljon huonommin kuin Micronissa koska on samaa NAND:a. Muistutan vertailun olleen NAND vs NAND eikä asema vs asema.

Ja tässä samalla myönnät ettei Samsung välttämättä ilmoita SMART arvoja siten kuin lähteesi kuvittelee tehtävän "". Eli koko laskenta voi hyvin olla rikki jo perusteiltaan.

Koska itsekin toteat etteivät nuo laskukaavat kunnolla päde, TBW arvo on varsin hyvä mittari aseman kestävyydelle, vaikka halpa hinta ja moni muu asia pitää huomioida.

Ja hienosti "todistitkin"...

Niin todistin. Laskemallahan sen pystyy helposti todistamaan, vähintään suuntaa-antavasti. Ja taastusti paremmin kuin jossakin Samsungin SMART arvosta joka voidaan laittaa vaikka jokaiseen myytyyn yksilöön erikseen.

Nyt olet niin pahasti hakoteilla, että ei mitään rajaa...

Crucial itse ilmoittaa Crucial M500:n eri kapasiteeteilla varustetuilla SSD-asemille saman TBW:n, eli 72:
M500 SSD Solid State Drive | Product Info | Crucial.com

​

Jospa vaan vertailisit niitä TBW-arvoja, jos molemmille/kaikille vertailtaville SSD-asemille on TBW-arvot ilmoitettu.

Näin enimmäkseen Crucialin ja Sandiskin SSD-asemia suosineena on vaikeaa ymmärtää valtaisaa Samsungin vastaista kiimaasi!

Olet kerrankin oikeassa, meni sekaisin Crucial M500 ja Micron M600. Tuossa tarkoitin mainittua Micron M600:a, 200 TBW.

TBW arvojen vertailu sopii mainiosti. Otetaan samalta valmistajalta eli Samsungilta 2 mallia:

Samsung 850 Evo 250GB, Samsung 3D TLC, 75 TBW
Samsung 750 Evo 250GB, Samsung 2D TLC, 70 TBW

Kuten luvuista huomataan, Samsungin 3D TLC kestää yhtä hyvin kuin 2D TLC. Toisin sanoen, lähteesi väittää Samsungin 2D TLC:n olevan yhtä kestävää kuin Samsungin 3D TLC:n joka kuulemma "on lähellä 2D MLC:n kestävyyttä". Eli lähteesi mukaan Samsungin 2D TLC on lähellä muiden valmistajien 2D MLC:n kestävyyttä

Näin lähteesi väitteet on kiistatta todistettu roskaksi ja samalla lentää pohja pois väitteiltäsi. MOT.

@Threadripper @M_M
Turhanäistä monta sivua väitellä ainut mikä erottuu molempien linkkauksista on että lompsaan kattomatta 850 evo ja pro luokkanssa parraat levyt ja nuokin ollut jo usean vuoden markkinoilla ja eipä muilla valmistajilla ole tullut parempaakaan tyrkylle pois lukien viimeisimmät nvme tuotokset ja tuossakin samsung vie pois lukien optanet kun ovat täysin eri muisti tekniikkaa.

850 Evo on todella kaukana parhaasta, sitäpaitsi on jo ajat sitten vanhentunut. Muut valmistajat ovat viimeistään tänä vuonna menneet reippaasti ohi 3D MLC:lla. Siksi täytyykin ihmetellä miksi 3 vuotta vanha 850 Evo edelleen myy noin korkealla hinnalla. Kai niitä Samsungin fanipoitsut ostavat.

Paljonkos Samsungin 830 256 GB levyllä on suurinpiirtein tuo TBW? Samsung ei sitä spekseissään näytä kertovan.
Jonkin sortin MLC:tä tuo käyttää.
Ei ole kovin ahkerassa käytössä näköjään ollut. Vajaa 24000 tuntia ja Host-kirjoituksia Tasan 10 teraa.

840 Prossa on jonkun tiedon mukaan samat muistit: 840 PRO Series 128GB/256GB/512GB 5 years (73 TBW for enterprise applications)
Mikä lienee enterprise-varmuuskerroin takuun kierämiseen, mutta kuulostaa todella vaatimattomalta ja hatusta vedetyltä.
36 vuotta ja tämä 830 on paskaksi kirjoitettu. Tosin takuuta ei ole enää voimassa, joten elektroniikka vioittuu jollain muulla tapaa hetkenä minä hyvänsä.

Tuon aikakauden levyissä ei yleensä ilmoitettu TBW arvoa ja 840 Pro:n osalta se on todennäköisesti heitetty pitkälti hatusta niin pieneksi ettei tule ongelmia.

 

[M_M]

Paljonkos Samsungin 830 256 GB levyllä on suurinpiirtein tuo TBW? Samsung ei sitä spekseissään näytä kertovan.
Jonkin sortin MLC:tä tuo käyttää.

Seuraavasta arviosta löytyy jonkinlainen suuntaa-antava tieto Samsung 830 256 GB:n kirjoituskestosta:
Samsung SSD 830 256GB review: Verdict | TechRadar

Samsung's own test results show a 64 year lifespan for the SSD 830 with 10 GB written onto it each day, or 16 years with a rather improbable 40 GB daily write.

Mahdollinen TBW-arvo olisi toki luonnollisesti yo. arvojen perusteella laskettua selkeästi pienempi, mutta saatavilla olevan tiedon perusteella Samsung 830:n kirjoituskestävyys oli varsin hyvällä tasolla.

Ei ole kovin ahkerassa käytössä näköjään ollut. Vajaa 24000 tuntia ja Host-kirjoituksia Tasan 10 teraa.

Vaikuttaa siltä, että noilla kirjoitusmäärillä saat odottaa melkoisen pitkään ennenkuin kirjoituskestävyyden rajat tulevat vastaan. Taitaapi tuo SSD-asema hajota/muuttua käyttökevottomaksi aivan muista syistä.

840 Prossa on jonkun tiedon mukaan samat muistit: 840 PRO Series 128GB/256GB/512GB 5 years (73 TBW for enterprise applications)
Mikä lienee enterprise-varmuuskerroin takuun kierämiseen, mutta kuulostaa todella vaatimattomalta ja hatusta vedetyltä.
36 vuotta ja tämä 830 on paskaksi kirjoitettu. Tosin takuuta ei ole enää voimassa, joten elektroniikka vioittuu jollain muulla tapaa hetkenä minä hyvänsä.

Anandtechin arviossa kerrotaan 830:n ja 840 PRO:n muisteista seuraavaa:
Samsung SSD 840 Pro (256GB) Review

While the 830 used Samsung's 27nm MLC NAND, the 840 Pro uses Samsung's latest 21nm MLC NAND.
...
The move to 21nm is also coupled with a move to a 400Mbps Toggle 2.0 NAND interface. Block and page sizes remain the same for 2bpc MLC 21nm NAND, and maximum capacity per die is still 8GB.

 

[KovaDekki]

Onko SSD pakollinen hankia? itellä 160GB HDD ja kone on päällä 10-15 sec välillä.

Mun emos on fastboot option luulis et nykypäivänä kaikissa olis sellainen optio.

Pari teraa HDD ja 240GB SSD kyll niillä pärjää vuos pari. (jos asentaa käyttiksen SSD ja muut HDD)

 

[M_M]

Vertailussa on järkeä koska molemmista tiedetään TBW arvot ja vastassa on 3D TLC ja 2D MLC.

Ne SMART datan perusteella tehdyt vertailut perustuvat vain siihen mitä Samsung sattuu arpomaan NAND:n P/E cycle määräksi. Samsung voisi arpoa sinne vaikka 100 000 P/E cycleä jos huvittaisi. Tuon luvun arpomisella ei ole mitään tekemistä todellisen kestävyyden kanssa koska luvuksi voi laittaa niin suuren kuin SMART sallii.

Artikkelin kirjoittaja on nykyään Samsungilla töissä, joten tuo voi jonkun mielestä olla maksettu mainos.

Samsung ei arvo SMART-arvoihin P/E cyclejä, vaan ilmoittaa spekseissä selkeästi miten P/E cyclejen määrä muodostuu:
Using SMART Attributes to Estimate Enterprise SSD Lifetime

SMART ID   Description          Raw                    Normalized

  177      Wear Leveling Count  Consumed P/E cycles    Percentage of
                                                       remaining P/E
                                                       cycles
  241      Total LBAs Written   Host writes in number
                                of sectors (512 bytes)

The raw value of Wear Leveling Count reports the amount of NAND writes as a function of consumed P/E cycles, meaning that an increment of 1 corresponds to one full drive write.

Mutta jos tosiaan kuvittelet Samsungin arpovan P/E cyclejen määrän todellisuudesta poikkeavaksi, niin mikä estäisi arpomasta varsinasia kirjoitusmääriäkin...
Eli se siitä vainoharhaisesta päätelmästäsi!

Johan siirtyvät maalitolpat. Aiemmin selitit kuinka tuo "SMART arvotesti" on se ainoa oikea, nyt kelpaakin TBW. Virkistetään muistia hieman:

"SMART arvotesti" on luonnollisesti paikallaan silloin, kun TBW-arvoja ei ole kaikille vertailun SSD-asemille annettu (tässä tapauksessa 850 EVO:n edeltäjä 840 EVO).

Koetappa ymmärtää sellainen fakta, että siinä missä P/E cyclet kertovat muistipiireille kirjoitetun datan määrän, on TBW-arvo arvio siitä, kuinka paljon kirjoituksia itse SSD-asema vähintään kestää.

Hatusta vedetty arvo onkin nyt vertailukelpoinen, mainiota. Ja mikäs siinä. Kyse on NAND:n kestävyydestä, ei jonkin yksittäisen aseman kestävyydestä. Siksi tuo M600on täysin validi vertailukohta ja siihen verrattuna Samsungin 3D TLC häviää kevyesti.

Kyse on yhden SSD-aseman kestävyydestä verrattuna saman hintaluokan ja tuotesegmentin kilpailijoihin.

Kuvitteletko, että Samsungin 3D TLC:lle ei löydy EVO 850:ntä parempia luokituksia esim. enterprise -malleista?

Tässäpä sinulle esimerkki:
http://www.thessdreview.com/our-reviews/samsung-sm863-pm863-ssd-review-960gb/

Samsung PM863 TLC 3D V-NAND
Endurance is improved over the 845DC EVO with endurance figures ranging from 170 TBW for the 120GB model to 5,600 TBW for the 3.84TB model. Calculated out the PM863 provides for 1.3 DWPD. The PM863 comes with a 3-year warranty.

Esim. 480 GB -mallille luvataan varsin mukava 700 TBW.

Lähteesi puhui Samsungin 3D TLC:n kestävyydestä 2D MLC:n nähden, ei 850 Evo:n kestävyydestä johonkin randomi Crucialiin nähden. Ja edelleen sillä onko XX TBW riittävä tai onko saatavuus mitä on ei ole mitään merkitystä kun verrataan kahden erityyppisen NAND:n kestävyyttä. Kumpikaan ei vaikuta NAND:n P/E cycleihin millään tavalla. Joten lähteesi oli täysin kiistatta ja yksiselitteisesti väärässä, ei yllätä.

Lähteenä oli Samsung 850 EVO:n arvio, mistä nyt useimmat ymmärtänevät mitä kestävyyttä arvioitiin...

Nyt näyttääkin valitettavasti siltä, että et näköjään ymmärrä artikkelissa esitettyjä varsin yksinkertaisia faktoja, vaan teet omia varsin ihmeellisiä tulkintojasi.

Kiitokset "uutisesta". Write amplification tuskin on sama kaikilla valmistajilla. Silti Micronille pitäisi laittaa todella korkea write amplification arvo (noin 15) jotta Samsung pääsisi lähelle. Crucialissa se sama NAND tuskin kestää noin paljon huonommin kuin Micronissa koska on samaa NAND:a. Muistutan vertailun olleen NAND vs NAND eikä asema vs asema.

Saat toki tehdä omia vertailujasi miten haluat, vaikka noilla vertailuilla ei olisikaan mitään käytännön merkitystä.

Ja tässä samalla myönnät ettei Samsung välttämättä ilmoita SMART arvoja siten kuin lähteesi kuvittelee tehtävän "". Eli koko laskenta voi hyvin olla rikki jo perusteiltaan.

Miksi valehtelet?
Yksi lähteistäni, eli Anandtech tulkitsee SMART-arvoja juurikin niin kuin SMART-arvot on Samsungin asemille määriteltykin. Lue niitä speksejä mutuilun sijaan!

Koska itsekin toteat etteivät nuo laskukaavat kunnolla päde, TBW arvo on varsin hyvä mittari aseman kestävyydelle, vaikka halpa hinta ja moni muu asia pitää huomioida.

Nuo yleisesti tunnetut laskukaavat kyllä pätevät, kun laskennassa käytetään oikeita arvoja, eikä esim. sekoiteta eri valmistijien SSD-asemien arvoja keskenään.
TBW on hyvä suuntaa-antava mittari aseman kirjoituskestävyydelle. Mutta koska useimmat SSD-asemat kestävät kirjoitusta normaalissa kotikäytössä enemmän kuin tarpeeksi, kertoo TBW-arvo lopulta hyvin vähän siitä kuinka pitkään SSD-asemien voi olettaa kestävän käytössä.

Niin todistin. Laskemallahan sen pystyy helposti todistamaan, vähintään suuntaa-antavasti. Ja taastusti paremmin kuin jossakin Samsungin SMART arvosta joka voidaan laittaa vaikka jokaiseen myytyyn yksilöön erikseen.

Taidat olla hiukan vainoharhainen?¨

Toki SSD-asemat voisivat raportoida myös moninkertaisia kirjoitusmääriä, jolloin annettu TBW-raja täyttyisi nopeammin. Spekulointisi onkin melkoisen kaukaa haettua ja toisaalta samoilla perusteilla olisi syytä epäillä myös muita valmistajia kuin Samsungia.

Olet kerrankin oikeassa, meni sekaisin Crucial M500 ja Micron M600. Tuossa tarkoitin mainittua Micron M600:a, 200 TBW.

TBW arvojen vertailu sopii mainiosti. Otetaan samalta valmistajalta eli Samsungilta 2 mallia:

Samsung 850 Evo 250GB, Samsung 3D TLC, 75 TBW
Samsung 750 Evo 250GB, Samsung 2D TLC, 70 TBW

Kuten luvuista huomataan, Samsungin 3D TLC kestää yhtä hyvin kuin 2D TLC. Toisin sanoen, lähteesi väittää Samsungin 2D TLC:n olevan yhtä kestävää kuin Samsungin 3D TLC:n joka kuulemma "on lähellä 2D MLC:n kestävyyttä". Eli lähteesi mukaan Samsungin 2D TLC on lähellä muiden valmistajien 2D MLC:n kestävyyttä

Anandtech kirjoitti 850 EVO:n arvion vuonna 2014 ja 750 EVO tuli markkinoille 2016, joten et nyt oikein taida hahmottaa milloin SSD-asemat on julkaistu tai miten SSD-asemien tekniikka kehittyy muutamassa vuodessa...

Ja osaan minäkin tehdä typeriä vertailuja:
Samsung PM863 TLC 3D V-NAND 960 GB: 1400 TBW
Micron M600 MLC 2D NAND 1 TB: 400 TBW

Näin lähteesi väitteet on kiistatta todistettu roskaksi ja samalla lentää pohja pois väitteiltäsi. MOT.

Oman uskottavuutesi sinä lähinnä tuhoat kommenteillasi.

Onneksi jokainen kommenttejasi lukeva voi helposti tehdä vertailua ja todeta kommenttiesi eri lähteiden asiantuntevuuden tason.

 

[Threadripper]

Samsung ei arvo SMART-arvoihin P/E cyclejä, vaan ilmoittaa spekseissä selkeästi miten P/E cyclejen määrä muodostuu:
Using SMART Attributes to Estimate Enterprise SSD Lifetime

SMART ID   Description          Raw                    Normalized

  177      Wear Leveling Count  Consumed P/E cycles    Percentage of
                                                       remaining P/E
                                                       cycles
  241      Total LBAs Written   Host writes in number
                                of sectors (512 bytes)

Mutta jos tosiaan kuvittelet Samsungin arpovan P/E cyclejen määrän todellisuudesta poikkeavaksi, niin mikä estäisi arpomasta varsinasia kirjoitusmääriäkin...
Eli se siitä vainoharhaisesta päätelmästäsi!

Hienosti tajuttu taas kerran. Kirjoitusmääriä ei tarvitse arpoa mutta entäs tuo?

Percentage of remaining P/E cycles

Eli jotenkin täytyy määritellä montako P/E cycleä on maksimissaan jotta voidaan sanoa paljonko niistä on käytetty. Tuohon voi laittaa vaikka miljardin ja asema "muuttuu" todella kestäväksi

"SMART arvotesti" on luonnollisesti paikallaan silloin, kun TBW-arvoja ei ole kaikille vertailun SSD-asemille annettu (tässä tapauksessa 850 EVO:n edeltäjä 840 EVO).

Koetappa ymmärtää sellainen fakta, että siinä missä P/E cyclet kertovat muistipiireille kirjoitetun datan määrän, on TBW-arvo arvio siitä, kuinka paljon kirjoituksia itse SSD-asema vähintään kestää.

Koitappa ymmärtää tuon SMART:sta saadun P/E cyclen määrän olevan sen minkä Samsung on sinne arponut.

Kyse on yhden SSD-aseman kestävyydestä verrattuna saman hintaluokan ja tuotesegmentin kilpailijoihin.

Kuvitteletko, että Samsungin 3D TLC:lle ei löydy EVO 850:ntä parempia luokituksia esim. enterprise -malleista?

Tässäpä sinulle esimerkki:
http://www.thessdreview.com/our-reviews/samsung-sm863-pm863-ssd-review-960gb/

​

Esim. 480 GB -mallille luvataan varsin mukava 700 TBW.

Ei kiinnosta enterprise levyt koska siellä myös Micronin 2D MLC saa maagisesti lisää kirjoituskestävyyttä. Siellä voidaan käyttää kalliimpia temppuja joilla write amplification saadaan selvästi pienemmäksi vaikka itse NAND:n kestävyys ei muutu miksikään.

Lähteenä oli Samsung 850 EVO:n arvio, mistä nyt useimmat ymmärtänevät mitä kestävyyttä arvioitiin...

Nyt näyttääkin valitettavasti siltä, että et näköjään ymmärrä artikkelissa esitettyjä varsin yksinkertaisia faktoja, vaan teet omia varsin ihmeellisiä tulkintojasi.

Copypaste:

Endurance: Close to Planar MLC NAND

Tuossa siis verrataan 850 Evon NAND:n kestävyyttä 2D MLC:n. Tuota on mahdotonta ymmärtää väärin.

Miksi valehtelet?
Yksi lähteistäni, eli Anandtech tulkitsee SMART-arvoja juurikin niin kuin SMART-arvot on Samsungin asemille määriteltykin. Lue niitä speksejä mutuilun sijaan!

Mistä tiedät Samsungin määritelleen ne juuri noin sillä hetkellä kun artikkeli julkaistiin?

Nuo yleisesti tunnetut laskukaavat kyllä pätevät, kun laskennassa käytetään oikeita arvoja, eikä esim. sekoiteta eri valmistijien SSD-asemien arvoja keskenään.
TBW on hyvä suuntaa-antava mittari aseman kirjoituskestävyydelle. Mutta koska useimmat SSD-asemat kestävät kirjoitusta normaalissa kotikäytössä enemmän kuin tarpeeksi, kertoo TBW-arvo lopulta hyvin vähän siitä kuinka pitkään SSD-asemien voi olettaa kestävän käytössä.

Tuosta olen pitkälti samaa mieltä.Vertailussa 2D MLC NAND:n tarvittaisiin kuitenkin jotain muuta kuin joku SMART arvo varsinkin kun TBW ei tue väitettä edes vähää alusta.

Taidat olla hiukan vainoharhainen?

Toki SSD-asemat voisivat raportoida myös moninkertaisia kirjoitusmääriä, jolloin annettu TBW-raja täyttyisi nopeammin. Spekulointisi onkin melkoisen kaukaa haettua ja toisaalta samoilla perusteilla olisi syytä epäillä myös muita valmistajia kuin Samsungia.

Golden sampletusta on ennenkin harrastettu. Tuo testiyksilö oin hyvin voinut olla golden sample ja muissa asemissa on hieman erilainen arvo. P/E cyclien määrää voi reilusti pienentää ilman että TBW tulee ontgelmaksi.

Anandtech kirjoitti 850 EVO:n arvion vuonna 2014 ja 750 EVO tuli markkinoille 2016, joten en nyt oikein taida hahmottaa miten SSD-asemien tekniikka kehittyy muutamassa vuodessa...

Ja osaan minäkin tehdä typeriä vertailuja:
Samsung PM863 TLC 3D V-NAND 960 GB: 1400 TBW
Micron M600 MLC 2D NAND 1 TB: 400 TBW

16nm 2D TLC ei kuulosta kovin kestävältä kun hinnankin "piti" olla halvempi kuin 850 Evo:lla. Eli ihan hyvä vertailu tuokin on.

Enterprise vs consumer vertailuja ei lasketa. Tuossa malliksi 2D MLC:ta 1,5TB kapasiteetti ja 8000 TBW: Seagate Introduces New Nytro PCIe SSDs: XP6500 & XF/XM1440

Oman uskottavuutesi sinä lähinnä tuhoat kommenteillasi.

Onneksi jokainen kommenttejasi lukeva voi helposti tehdä vertailua ja todeta kommenttiesi eri lähteiden asiantuntevuuden tason.

Hah. Et ole juuri muuta esittänyt kuin parin Samsung fanipoitsun kirjoituksia. Valitettavasti kylmät faktat eivät puolla kirjoituksista löytyviä mielipiteitä

 

[Pertti Kosunen]

Paljonkos Samsungin 830 256 GB levyllä on suurinpiirtein tuo TBW? Samsung ei sitä spekseissään näytä kertovan.
Jonkin sortin MLC:tä tuo käyttää.
Ei ole kovin ahkerassa käytössä näköjään ollut. Vajaa 24000 tuntia ja Host-kirjoituksia Tasan 10 teraa.

840 Prossa on jonkun tiedon mukaan samat muistit: 840 PRO Series 128GB/256GB/512GB 5 years (73 TBW for enterprise applications)
Mikä lienee enterprise-varmuuskerroin takuun kierämiseen, mutta kuulostaa todella vaatimattomalta ja hatusta vedetyltä.
36 vuotta ja tämä 830 on paskaksi kirjoitettu. Tosin takuuta ei ole enää voimassa, joten elektroniikka vioittuu jollain muulla tapaa hetkenä minä hyvänsä.

Käytännössä nuo kestävät kirjoitusta paljon enemmän kuin on luvattu.

Oman työpöytäkoneen 128GB 830:llä on vasta 13TB kirjoitusta (~18kh/päällä 5 ja puolen vuoden aikana) vaikka mm. Firefox ja Spotify ovat jauhaneet täysillä eli nykylevyjen TBW ei tule täyteen takuuaikana vaikka triplaisi kirjoitukset ja koko kirjoituskestävyys on merkityksetöntä, koska koneita ei käytetä kymmeniä tai satoja vuosia.

 

[M_M]

Hienosti tajuttu taas kerran. Kirjoitusmääriä ei tarvitse arpoa mutta entäs tuo?

WLC -arvon prosenttimäärä on luonnollisesti "arvottu" aivan kuten TBW-arvokin.

Eli jotenkin täytyy määritellä montako P/E cycleä on maksimissaan jotta voidaan sanoa paljonko niistä on käytetty. Tuohon voi laittaa vaikka miljardin ja asema "muuttuu" todella kestäväksi

Millä perusteella lähdet tekemään olettamuksia siitä, että arvo ei olisi realistinen/uskottavalla tasolla?
Miten sinä vertailisit 840 EVO:n ja 850 EVO:n kestävyyttä, kun 840 EVO:lle ei ole saatavilla TBW-arvoa?

Koitappa ymmärtää tuon SMART:sta saadun P/E cyclen määrän olevan sen minkä Samsung on sinne arponut.

P/E cyclejen määrä saadaan suoraan SMART-datasta ja luonnollisesti prosenttiarvo kehittyy Samsungin määritelmien mukaisesti.

Ei kiinnosta enterprise levyt koska siellä myös Micronin 2D MLC saa maagisesti lisää kirjoituskestävyyttä. Siellä voidaan käyttää kalliimpia temppuja joilla write amplification saadaan selvästi pienemmäksi vaikka itse NAND:n kestävyys ei muutu miksikään.

Miksi Micronin M600 ei käyttäisi Crucialin SSD-asemiin verrattuna "kalliimpia temppuja joilla write amplification saadaan selvästi pienemmäksi"?
Ja itseasiassa Micron M600:n arviosta paljastuu seuraavaa:
Micron's M600 solid-state drive reviewed

Micron's 16-nm NAND can switch between SLC and MLC modes on the fly. The MX100 doesn't take advantage of this capability, but in the M600, custom firmware manages the transitions at the block level.

There's another potential fly in the ointment, though. Any cached data that makes its way to MLC storage will be written twice, eating into the NAND's limited endurance. Fortunately, SLC writes are less damaging than MLC ones. Micron has also adjusted "proprietary NAND trims" to offset the endurance penalty associated with write caching. These top-secret settings are "configured during the NAND fabrication process," and they can be "tuned for different performance and endurance characteristics." Despite the name, they're unrelated to the TRIM command used by the operating system to identify deleted data.

Tweaking NAND trims is apparently quite effective, because the M600 has the most impressive endurance ratings we've seen in a client-oriented SSD. Micron's other drives in this category are specced for 72TB of total writes, and so are their Crucial cousins.

Ja edelleen:
Micron's M600 solid-state drive reviewed

However, the drive won't be sold through normal retail channels, and Micron isn't publishing an official price list.

Micron M600 (128GB, 256GB & 1TB) SSD Review

Since the M600 is an OEM-only product, it will not be available through the usual retail channels. Thus the pricing will depend highly on the quantity ordered

Copypaste:

Endurance: Close to Planar MLC NAND

Tuossa siis verrataan 850 Evon NAND:n kestävyyttä 2D MLC:n. Tuota on mahdotonta ymmärtää väärin.

Ja väite on mielestäni arvio-ajankohta ja kilpailevat SSD-asemat huomioonottaen uskottava.
Sinä saat toki olla eri mieltä.

Mistä tiedät Samsungin määritelleen ne juuri noin sillä hetkellä kun artikkeli julkaistiin?

Samsungin spekseistä nuo voi jokainen halutessaan varmistaa. Ja kyllä ne olivat juuri noin.

Golden sampletusta on ennenkin harrastettu. Tuo testiyksilö oin hyvin voinut olla golden sample ja muissa asemissa on hieman erilainen arvo. P/E cyclien määrää voi reilusti pienentää ilman että TBW tulee ontgelmaksi.

Arviossa on annettu myös TBW, joten sinulla on kaikki edellytykset keskittyä vain TBW-arvoihin tehdessäsi vertailuja muiden valmistajien SSD-asemiin.

Hah. Et ole juuri muuta esittänyt kuin parin Samsung fanipoitsun kirjoituksia. Valitettavasti kylmät faktat eivät puolla kirjoituksista löytyviä mielipiteitä

Alat näköjään haukkumaan kaikkia annettuja lähteitä "fanipojiksi" siinä vaiheessa, kun et enää kykene käymään keskustelua faktapohjalta ja tukien omia väittämiäsi asiantuntijalähteillä...

 

[Threadripper]

Käytännössä nuo kestävät kirjoitusta paljon enemmän kuin on luvattu.

Oman työpöytäkoneen 128GB 830:llä on vasta 13TB kirjoitusta (~18kh/päällä 5 ja puolen vuoden aikana) vaikka mm. Firefox ja Spotify ovat jauhaneet täysillä eli nykylevyjen TBW ei tule täyteen takuuaikana vaikka triplaisi kirjoitukset ja koko kirjoituskestävyys on merkityksetöntä, koska koneita ei käytetä kymmeniä tai satoja vuosia.

Datan säilyvyys on täysin toinen juttu. Kirjoitus voi näennäisesti onnistua vaikka se data häviäisi samantien.

Itse sain 20 teratavua vähän yli puolessa vuodessa kirjoitusta.

WLC -arvon prosenttimäärä on luonnollisesti "arvottu" aivan kuten TBW-arvokin.

Aivan joten miksi käyttää arvoa joka on puhtaasti arvottu?

Millä perusteella lähdet tekemään olettamuksia siitä, että arvo ei olisi realistinen/uskottavalla tasolla?
Miten sinä vertailisit 840 EVO:n ja 850 EVO:n kestävyyttä, kun 840 EVO:lle ei ole saatavilla TBW-arvoa?

TBW:n perusteella laskettuna se ei ole uskottavalla tasolla.

En mitenkään koska toteaisin kunnollisen vertailun olevan mahdotonta lyhyessä ajassa.

P/E cyclejen määrä saadaan suoraan SMART-datasta ja luonnollisesti prosenttiarvo kehittyy Samsungin määritelmien mukaisesti.

Miten artikkelin tekijä voi olla varma tavasta jolla Samsung datan ilmoittaa?

Miksi Micronin M600 ei käyttäisi Crucialin SSD-asemiin verrattuna "kalliimpia temppuja joilla write amplification saadaan selvästi pienemmäksi"?
Ja edelleen:
Micron's M600 solid-state drive reviewed

​

Micron M600 (128GB, 256GB & 1TB) SSD Review

Noiden perusteella hinta oli samaa luokkaa kuin MX100:lla.

Ja väite on mielestäni arvio-ajankohta ja kilpailevat SSD-asemat huomioonottaen uskottava.
Sinä saat toki olla eri mieltä.

Väite on klikkihuorausta jolla annetaan ymmärtää 3D MLC:n tekevän pian 2D MLC:n tarpeettomaksi (pahasti väärin) ja lisäksi sillä yrittää kirjoittaja pönkittää aiemmin mainitsemaansa "Samsung state of the art" -mielikuvaa.

Samsungin spekseistä nuo voi jokainen halutessaan varmistaa. Ja kyllä ne olivat juuri noin.

En olisi tuosta kovinkaan varma.

Arviossa on annettu myös TBW, joten sinulla on kaikki edellytykset keskittyä vain TBW-arvoihin tehdessäsi vertailuja muiden valmistajien SSD-asemiin.

Micron M600 ei ainakaan kelvannut jostain syystä. Edelleen kyse oli NAND vs NAND, ei asema vs asema.

Alat näköjään haukkumaan kaikkia annettuja lähteitä "fanipojiksi" siinä vaiheessa, kun et enää kykene käymään keskustelua faktapohjalta ja tukien omia väittämiäsi asiantuntijalähteillä...

Tämän mennessä olen haukkunut lähinnä tuota Samsungin nykyistä työntekijää fanipojaksi, täysin aiheesta. Siksikin ettet paljoakaan muita lähteitä ole käyttänyt. En tarvitse isoa kasaa asiantuntijalähteitä väitteitäni tukemaan koska olen asiantuntija kuten tässä vaiheessa on hyvin käynyt selväksi.

 

[M_M]

Aivan joten miksi käyttää arvoa joka on puhtaasti arvottu?

Niin?
Miksi sitten yrität käyttää pelkkää TBW:tä NANDin kestävyyden arvioimiseen eri valmistajien SSD-asemien välillä?

Miten artikkelin tekijä voi olla varma tavasta jolla Samsung datan ilmoittaa?

Katsomalla spekseistä aivan kuten muidenkin valmistajien kohdalla.

Noiden perusteella hinta oli samaa luokkaa kuin MX100:lla.

Ei ollut:
Micron's M600 solid-state drive reviewed

However, the drive won't be sold through normal retail channels, and Micron isn't publishing an official price list.

Micron M600 (128GB, 256GB & 1TB) SSD Review

Since the M600 is an OEM-only product, it will not be available through the usual retail channels. Thus the pricing will depend highly on the quantity ordered

Väite on klikkihuorausta jolla annetaan ymmärtää 3D MLC:n tekevän pian 2D MLC:n tarpeettomaksi (pahasti väärin) ja lisäksi sillä yrittää kirjoittaja pönkittää aiemmin mainitsemaansa "Samsung state of the art" -mielikuvaa.

Ei todellakaan annettu ymmärtää 3D MLC:n tekevän pian 2D MLC:n tarpeettomaksi!
Näyttää siltä, ettet ymmärrä lukemaasi.

Micron M600 ei ainakaan kelvannut jostain syystä. Edelleen kyse oli NAND vs NAND, ei asema vs asema.

Vertailit eri tuotesegmenttien (OEM vs retail) SSD-asemia, etkä myöskään vertaillut NAND vs NAND, koska:
Micron's M600 solid-state drive reviewed

Micron's 16-nm NAND can switch between SLC and MLC modes on the fly. The MX100 doesn't take advantage of this capability, but in the M600, custom firmware manages the transitions at the block level.

There's another potential fly in the ointment, though. Any cached data that makes its way to MLC storage will be written twice, eating into the NAND's limited endurance. Fortunately, SLC writes are less damaging than MLC ones. Micron has also adjusted "proprietary NAND trims" to offset the endurance penalty associated with write caching. These top-secret settings are "configured during the NAND fabrication process," and they can be "tuned for different performance and endurance characteristics." Despite the name, they're unrelated to the TRIM command used by the operating system to identify deleted data.

Tweaking NAND trims is apparently quite effective, because the M600 has the most impressive endurance ratings we've seen in a client-oriented SSD. Micron's other drives in this category are specced for 72TB of total writes, and so are their Crucial cousins.

Mutta varmasti hyvä SSD-asemahan tuo Micron M600 on. Valitettavasti vaan tuota ei ole tullut oikein minkään myyntikanavan kautta vastaan, jotta ostamista olisi edes voinut harkita - hintavertailuista puhumattakaan.
Tyhjästä on paha nyhjäistä...

Tämän mennessä olen haukkunut lähinnä tuota Samsungin nykyistä työntekijää fanipojaksi, täysin aiheesta. Siksikin ettet paljoakaan muita lähteitä ole käyttänyt. En tarvitse isoa kasaa asiantuntijalähteitä väitteitäni tukemaan koska olen asiantuntija kuten tässä vaiheessa on hyvin käynyt selväksi.

Turhaan haukut ketään fanipojaksi, kun oma tietämyksesi taso on varsin heikolla tasolla verrattuna antamiini asiantuntijalähteisiin.

Kommenttiesi perusteella sinä nimenomaan kaipaisit kipeästi faktoja ja asiantuntijalähteitä omien väittämiesi tueksi. Asiantuntijaksi sinua kukaan tuskin erehtyy luulemaan kommenttisi luettuaan. Olet lähinnä luonut itsestäsi kuvaa fanaattisena Samsungin vastustajana - et asiantuntijana.

Mutta toki saat kuvitella itsesi ihan vapaasti asiantuntijaksi, jos se oloasi tässä tilanteessa helpottaa...