AMD Ryzen 7 (AM4 B350/X370) kellotukset ja kokemukset (Summit Ridge)

  • Keskustelun aloittaja Keskustelun aloittaja Sampsa
  • Aloitettu Aloitettu
Jos on joku halvempi Samsung B-die 3200C15 kitti niin meneekö se näillä uusimilla bioseilla Ryzen emoissa varmuudella sen 3200 ja ajoitukset jotain vai tarviiiko ostaa parempi kitti että saa varmuudella menemään sen 3200.
 
Ylläolevilla asetuksilla AIDA:n CMB tulokset:

- Luku: ~ 50500MB/s
- Kirjoitus: ~ 46600MB/s
- Kopiointi: ~ 42500MB/s
- Latenssi: ~ 68.5ns

Nuo on toki BankGroupSwap optio disabloituna, eli AIDA:n mittaamat siirtonopeudet ottavat pari GB/s takapakkia vaikkakin reaalimaailman suorituskyky paranee.

Tuossa lisäksi suorituskykyero eri muistitaajuuksien välillä Hitmanissä, tilanteessa jossa itse prosessori on pullonkaula.

Kaikissa perustaajuuksissa on kiinteä CL16-16-16 latenssi ja se luonnollisesti vajoaa taajuuden kasvaessa.
Verokkina "3200MHz LL" jossa muistiasetukset CL12-12-12 ja aliasetukset kiristetty myös.

KxdrYPc.png
 
The Stilt sanoi:
Ylläolevilla asetuksilla AIDA:n CMB tulokset:

- Luku: ~ 50500MB/s
- Kirjoitus: ~ 46600MB/s
- Kopiointi: ~ 42500MB/s
- Latenssi: ~ 68.5ns

Nuo on toki BankGroupSwap optio disabloituna, eli AIDA:n mittaamat siirtonopeudet ottavat pari GB/s takapakkia vaikkakin reaalimaailman suorituskyky paranee.

Tuossa lisäksi suorituskykyero eri muistitaajuuksien välillä Hitmanissä, tilanteessa jossa itse prosessori on pullonkaula.

Kaikissa perustaajuuksissa on kiinteä CL16-16-16 latenssi ja se luonnollisesti vajoaa taajuuden kasvaessa.
Verokkina "3200MHz LL" jossa muistiasetukset CL12-12-12 ja aliasetukset kiristetty myös.

KxdrYPc.png
Napsauta laajentaaksesi...
Kiitos. Tuo sitten viimeistään korjaa sen harhaluulon mitä täälläkin on levitetty että Ryzenillä muistien mhz > timingit.

Eli sinun testien perusteella nopeuden sweetspot on 3200Mhz ja sitten vaan timingit niin kireälle kuin saa?

Harmi kun ei oma ihan ok kitti saa tuota cl12 järkevillä volteilla. Pitänee kattoa subtimingeja seuraavaksi nyt kun beta biosseilla niitä pääsee ronkkimaan.
 
Onkos se muuten pääasiassa tuo muistin nopeus mikä ryzenilla tökkii vai timingit myös? Huomaako prossu edes että onko muistit cas 12 vai cas 18?
 
Atan87 sanoi:
Onkos se muuten pääasiassa tuo muistin nopeus mikä ryzenilla tökkii vai timingit myös? Huomaako prossu edes että onko muistit cas 12 vai cas 18?
Napsauta laajentaaksesi...

Lukemalla ylläolevat viestit
The Stilt sanoi:
Panostakaa ennemmin niihin latensseihin, kuin suurimpaan muistikelloon.
Omien testien mukaan 3200MHz CL12 on käytännössä yhtä nopea kuin 3600MHz CL14.
Ainoastaan tilanteissa, joissa muistikaista on rajoite on suurempi taajuus nopeampi.

Prosessorien fabricit ei vaikuta olevan enää pullonkaula >=3200MHz muistitaajuudella, eikä muistitaajuudesta sitä kautta ole enää hyötyä.
Napsauta laajentaaksesi...

uskaltaisin mutuilla seuraavaa:
Jos sinulla on 2133 muistia CL 12 huomaat kyllä eroa vaihtamalla 3600 CL18 (3600 hyväksi)
Mutta jos sinulla on 3200 CL12 muistia ET huomaa eroa 3600 CL14 muistiin.

Kun mennään 3200MHz CL alkaa merkkaamaan sen jälkeen enempi, mutta aika monessa testissä on todettu että ns. todella surkealla CL (esim. tuo 18) varustettu 3200 on parempi Ryzenillä kuin 2133 CL12.

Edit: samaten on todettu että JOS ostaa halvemman prosessorin (esim. Ryzen 1500) eikä kellota joku 2400 tms. muisti on ihan riittävää. Mutta jos hankkii 1700+ prosessoria ja kellottaa 3200 muisti on järkevä ostos vaikka maksaakin hieman enempi.
 
The Stilt sanoi:
B-die piireissä on helvetillisiä eroja.
Mulla on B-die muisteja jotka ei mene yli 3000MHz CL14-14-14 millään jännitteellä ja sitten vastaavasti noi G.Skillin 3600C15 kammat jotka menee 3200MHz CL12-13-13 < 1.45V jännitteellä.
Speksin puolesta noi on CL14-14-14 / 3360MHz (8.333ns) @ 1.35V.

Koska piirien laatuvaihtelut on mitä on, on turha kuvitella saavansa ostamalla esim. G.Skillin 3200C15 kitin yhtä hyvää tavaraa kuin esim. 3200C14 kittiin on käytetty.
Valmistajat binnaa ne piirit ja piirit jotka eivät täytä korkeinta speksiä, päätyvät alempaan malliin jonka speksit täyttyy.

3600C15 on markkinoiden kovin muistikitti (8.333ns tCL-tRCD-tRP), joten muistien onkin syytä kulkea.

LboZMFI.png
Napsauta laajentaaksesi...
Kovat muistit. Kiitos kuitenkin tästä informaatiosta. Mutta mikä ProcODT? Sain itekin nyt postaamaan 3200CL12 mutta kovemmilla volteilla. Kaikki autolla paitsi CAS ja jännite.

Edit. Väärä quote.
 
60Ohm on oikea ja samalla vakioarvo yksipuoleisille muistikammoille.
Sama vakioarvo on käytössä myös kaksipuoleisilla kammoilla, mutta Samsungin B-die kammat ei toimi sillä kovin hyvin jos ollenkaan (korkeilla taajuuksilla).
Kaksipuoleisille B-die kammoille 80 - 96Ohm on optimiarvo, itsellä jälkimmäinen arvo toimii paremmin.
 
The Stilt sanoi:
60Ohm on oikea ja samalla vakioarvo yksipuoleisille muistikammoille.
Sama vakioarvo on käytössä myös kaksipuoleisilla kammoilla, mutta Samsungin B-die kammat ei toimi sillä kovin hyvin jos ollenkaan (korkeilla taajuuksilla).
Kaksipuoleisille B-die kammoille 80 - 96Ohm on optimiarvo, itsellä jälkimmäinen arvo toimii paremmin.
Napsauta laajentaaksesi...
Eipä auttanut saamaan voltteja alaspäin. Tällä hetkellä 1,48V. Turhan korkea taitaa olla. En ole vielä kokeillut vakautta enkä korkeäkään kun aika loppuu ja pitää mennä lepyttämään aivoja. Kuitenkin suostuu käynnistymään Windowsiin asti vaikkei nyt varmaan ihan parhaimmat muistit olekkaan. Jos ton olis tienny niin olisin varmaan hankkinut ne 3600CL15 muistit.
 
ProcODT ei vaikuta muistien kulkuun. Käytännössä jos ProcODT on pielessä niin muistit ei läpäise treinausta (0xF9 koodi).
1.50V on Samsungin speksaama absoluuttinen maksimijännite ja siihen asti jännitettä voi nostaa melko turvallisesti.
 
Taneli- sanoi:
Lukemalla ylläolevat viestit

uskaltaisin mutuilla seuraavaa:
Jos sinulla on 2133 muistia CL 12 huomaat kyllä eroa vaihtamalla 3600 CL18 (3600 hyväksi)
Mutta jos sinulla on 3200 CL12 muistia ET huomaa eroa 3600 CL14 muistiin.

Kun mennään 3200MHz CL alkaa merkkaamaan sen jälkeen enempi, mutta aika monessa testissä on todettu että ns. todella surkealla CL (esim. tuo 18) varustettu 3200 on parempi Ryzenillä kuin 2133 CL12.

Edit: samaten on todettu että JOS ostaa halvemman prosessorin (esim. Ryzen 1500) eikä kellota joku 2400 tms. muisti on ihan riittävää. Mutta jos hankkii 1700+ prosessoria ja kellottaa 3200 muisti on järkevä ostos vaikka maksaakin hieman enempi.
Napsauta laajentaaksesi...

Nyt mentiin kysymyksen pointin ohi niin että vilahti. En missään vaiheessa kysynyt millä ryzen on nopeampi, vaan että kumpi siinä tökkii enemmän. Tulee fail bootteja helpommin alhaisilla cas latensseilla vai korkeilla taajuuksilla. Kummasta se ryzen ei tykkää.
 
Atan87 sanoi:
Nyt mentiin kysymyksen pointin ohi niin että vilahti. En missään vaiheessa kysynyt millä ryzen on nopeampi, vaan että kumpi siinä tökkii enemmän. Tulee fail bootteja helpommin alhaisilla cas latensseilla vai korkeilla taajuuksilla. Kummasta se ryzen ei tykkää.
Napsauta laajentaaksesi...

Ei siinä mitään fail bootteja tule sitten, kun taajuudet ja latenssit ovat vakaat. Kyse on siitä, että mille asetuksille muistit venyvät.
 
Mitä toi geardown tarkalleen ottaen tekee @The Stilt ? Mulla näyttäis pysyvän vakaana himpun alemmilla volteilla kun säädin geardownin disabled tilaan eli auto tilassa se on kai siten päällä. Näillä volteilla saattais olla sillä rajalla että saisin ton cl12 myös läpi jos jaksais myöhemmin kokeilla taas.
 
The Stilt sanoi:
ProcODT ei vaikuta muistien kulkuun. Käytännössä jos ProcODT on pielessä niin muistit ei läpäise treinausta (0xF9 koodi).
1.50V on Samsungin speksaama absoluuttinen maksimijännite ja siihen asti jännitettä voi nostaa melko turvallisesti.
Napsauta laajentaaksesi...

Kuinkas vddio? Ryzen masterin mukaan: "Note that Memory VTT voltage will automatically be set to half of Memory voltage
(MEM VDDIO)"

Ainakin intel puolella on ollut ikuisuuskiistaa kestääkö prosujen muistikontrolleri kovia muistijännitteitä, vai ei.
 
The Stilt sanoi:
Ylläolevilla asetuksilla AIDA:n CMB tulokset:

- Luku: ~ 50500MB/s
- Kirjoitus: ~ 46600MB/s
- Kopiointi: ~ 42500MB/s
- Latenssi: ~ 68.5ns

Nuo on toki BankGroupSwap optio disabloituna, eli AIDA:n mittaamat siirtonopeudet ottavat pari GB/s takapakkia vaikkakin reaalimaailman suorituskyky paranee.

Tuossa lisäksi suorituskykyero eri muistitaajuuksien välillä Hitmanissä, tilanteessa jossa itse prosessori on pullonkaula.

Kaikissa perustaajuuksissa on kiinteä CL16-16-16 latenssi ja se luonnollisesti vajoaa taajuuden kasvaessa.
Verokkina "3200MHz LL" jossa muistiasetukset CL12-12-12 ja aliasetukset kiristetty myös.

KxdrYPc.png
Napsauta laajentaaksesi...
Jonkin verran huonommat tulokset tulee aidalla. Prossu 4GHz:lla.

Luku ~47750 MB/s
Kirjoitus ~46550 MB/s
Kopiointi ~42250 MB/s
Viive 70,2 ns

Edit. Missäs toi geardown asetus oikein on? Onko se jotain uusimman biosin hienouksia? Tällä hetkellä 1107 bios sisässä.
 
Viimeksi muokattu:
miiksu sanoi:
Jonkin verran huonommat tulokset tulee aidalla. Prossu 4GHz:lla.

Luku ~47750 MB/s
Kirjoitus ~46550 MB/s
Kopiointi ~42250 MB/s
Viive 70,2 ns

Edit. Missäs toi geardown asetus oikein on? Onko se jotain uusimman biosin hienouksia? Tällä hetkellä 1107 bios sisässä.
Napsauta laajentaaksesi...
Beta biosseissa on uusimmissa
 
akselic sanoi:
Mitä toi geardown tarkalleen ottaen tekee @The Stilt ? Mulla näyttäis pysyvän vakaana himpun alemmilla volteilla kun säädin geardownin disabled tilaan eli auto tilassa se on kai siten päällä. Näillä volteilla saattais olla sillä rajalla että saisin ton cl12 myös läpi jos jaksais myöhemmin kokeilla taas.
Napsauta laajentaaksesi...

GearDownModen säätömahdollisuus tuli 1.0.0.6 AGESA:ssa ja oletuksena se on päällä kaikilla yli 2400MHz taajuuksilla.
GDM:n disablointi ilman että Cmd2t asetusta disabloi samalla tarkoittaa automaattisesti, että muisteja ajetaan hitaammassa 2T moodissa (1T normaalisti).
GDM:n disablointi mahdollistaa parittomien tCL arvojen käytön, mutta tällä hetkellä parittomat tCL latenssit ovat suorituskyvyltään huonommat kuin parilliset vaikka itse latenssi onkin pienempi.

Parhaimmasta huonoimpaan:

GDM = Disabled, Cmd2t = 1T, tCL = Parillinen // tCL 14-14-14
GDM = Enabled, Cmd2t = 1T, tCL = Parillinen (parittomat ei toimi) // tCL 14-14-14
GDM = Disabled, Cmd2t = 1T, tCL = Pariton // tCL 13-13-13

hese_e sanoi:
Kuinkas vddio? Ryzen masterin mukaan: "Note that Memory VTT voltage will automatically be set to half of Memory voltage
(MEM VDDIO)"

Ainakin intel puolella on ollut ikuisuuskiistaa kestääkö prosujen muistikontrolleri kovia muistijännitteitä, vai ei.
Napsauta laajentaaksesi...

Zeppelinissä kaikki VDDIO linkitetyt jännitteet on erillisen jänniteregulaattorin (dLDO) takana, joten muistijännitteen nostamisella ei ole juuri haitallisia vaikutuksia muuten kuin muisteille.

GearDownMode löytyy CBS:n UMC alivälilehdeltä tai integroituna valmistajien omiin muistiasetusvalikkoihin, sikäli kun löytyy.
 
Onko mitään "ohjesääntöä" kuinka paljon uskaltaa laittaa voltteja muisteille? Yksipuoliset samsung B-die käytössä. Onko 1.40V liian kova 24/7 käyttöön? Ei sikäli tarvetta, mutta kysyn jos jatkossa olisi mahdollista saada kellotettua yli 3200mhz
 
horemheb sanoi:
Onko mitään "ohjesääntöä" kuinka paljon uskaltaa laittaa voltteja muisteille? Yksipuoliset samsung B-die käytössä. Onko 1.40V liian kova 24/7 käyttöön? Ei sikäli tarvetta, mutta kysyn jos jatkossa olisi mahdollista saada kellotettua yli 3200mhz
Napsauta laajentaaksesi...

Olisi suotavaa jaksaa lukea edes viimeisen sivun viestit threadista josta kyselet. Helpotan kuitenkin tuota taakkaasi.

Kahdeksan viestiä aiemmin:

The Stilt sanoi:
1.50V on Samsungin speksaama absoluuttinen maksimijännite ja siihen asti jännitettä voi nostaa melko turvallisesti.
Napsauta laajentaaksesi...
 
miiksu sanoi:
Jonkin verran huonommat tulokset tulee aidalla. Prossu 4GHz:lla.

Luku ~47750 MB/s
Kirjoitus ~46550 MB/s
Kopiointi ~42250 MB/s
Viive 70,2 ns

Edit. Missäs toi geardown asetus oikein on? Onko se jotain uusimman biosin hienouksia? Tällä hetkellä 1107 bios sisässä.
Napsauta laajentaaksesi...

Onko sulla BankGroupSwap varmasti disabloitu?
Ellet ole aliasetuksia tuunannut, niin vähän liian hyvät lukemat siihen että BGS olisi pois päältä.
 
miiksu sanoi:
En tietääkseni ole koskenut. Takistan vielä kun pääsen kotiin.
Napsauta laajentaaksesi...

Oletuksena se on vielä toistaiseksi aina päällä.
Yksipuoleisilla kammoilla (SR) se kannattaa ottaa pois päältä.
Esim. AIDA:n raportoimat tulokset (toistaiseksi) kärsivät hieman, mutta reaalimaailman suorituskyky vastaavasti paranee.

Esim. Hitmanin ja ROTR:n suorituskyky paranee BGS:n disabloinnilla < 4%.

Neljää SR tai kahta DR kampaa ajaessa BGS tulee pitää päällä.
 
Onko toivoa, että koneessa olevat 2x16GB 3333MHz kammat vielä joskus kulkisivat vakaasti 3200Mhz 1.35V jännitteellä?
 
Keketin sanoi:
Olisi suotavaa jaksaa lukea edes viimeisen sivun viestit threadista josta kyselet. Helpotan kuitenkin tuota taakkaasi.

Kahdeksan viestiä aiemmin:
Napsauta laajentaaksesi...

Kiitos taakan kevennyksestä. Valitettavasti kohdalleni on osunut inhimillinen erhe ja tämän johdosta tarkkaavuuteni on häiriintynyt ja en ole huomannut tuota vaikka koko ketjun luinkin. Tästä edes huolehdin, että vireystasoni on hyvä, jolloin kognitiiviset kyvyt eivät heikkene liikaa jolloin tämän tapaiset erheet häviävät.
 
The Stilt sanoi:
Oletuksena se on vielä toistaiseksi aina päällä.
Yksipuoleisilla kammoilla (SR) se kannattaa ottaa pois päältä.
Esim. AIDA:n raportoimat tulokset (toistaiseksi) kärsivät hieman, mutta reaalimaailman suorituskyky vastaavasti paranee.

Esim. Hitmanin ja ROTR:n suorituskyky paranee BGS:n disabloinnilla < 4%.

Neljää SR tai kahta DR kampaa ajaessa BGS tulee pitää päällä.
Napsauta laajentaaksesi...
Hyvä tietää. Autolla oli, eli siis enabled tilassa. Otanpa pois sen sitten :)

Edit. Täytyy vielä kattoo muutamat pelit läpi miten vaikuttaa omiin peleihin.
 
Viimeksi muokattu:
Omat corsairin kammat sain vihdoin 29xxMHz postaamaan ja toimivat vakaasti. Ainoa mitä tajusin vihdoin muuttaa on procodt auto -> 40ohm ja tämän jälkeen boottasi heti ja ei ongelmia. Kiitos tästä tämän threadin.
 
The Stilt sanoi:
60Ohm on oikea ja samalla vakioarvo yksipuoleisille muistikammoille.
Sama vakioarvo on käytössä myös kaksipuoleisilla kammoilla, mutta Samsungin B-die kammat ei toimi sillä kovin hyvin jos ollenkaan (korkeilla taajuuksilla).
Kaksipuoleisille B-die kammoille 80 - 96Ohm on optimiarvo, itsellä jälkimmäinen arvo toimii paremmin.
Napsauta laajentaaksesi...

Kokeilin vaihtaa ProcODT 40 ->60 ohm ja samalla muistikellot 2666 ->2933 ja toimii.Memtestiä reilu tunnin verran,ok.
Eikä kompuroi kertaakaan kylmä bootissa..
Onko näin pienestä kiinni oikeesti ;)
Muistit Corsair LPX 3200, 1,35V ja pari pykälää + offset jännite.

Pitihän kokeilla myös 3200 kelloja,offsettiä lisäämällä meni Windowsiin,mutta ei kestä rääkkiä.
 
paukka sanoi:
Pitihän kokeilla myös 3200 kelloja,offsettiä lisäämällä meni Windowsiin,mutta ei kestä rääkkiä.
Napsauta laajentaaksesi...
Muisteja varten ei lisätä offset voltteja koska se on prossua varten. Muisteja varten lisätään Dram Voltage asetusta.
 
SoC jännite oli kyseessä.Siihen siis plussaa.

Ei viittis aina pilkkua viilata,kun asiantuntevaa porukkaa täällä:)
 
Viimeksi muokattu:
paukka sanoi:
SoC jännite oli kyseessä.Siihen siis plussaa.

Ei viittis aina pilkkua viilata,kun asiantuntevaa porukkaa täällä:)
Napsauta laajentaaksesi...
Ei sitä SoC jännitettäkään kannata turhaan nostaa. Liian korkeana aiheuttaa epävakautta siinä missä liian matalakin jännite ja tuossa SoC:ssa on aika pieni skaala minkä jälkeen siitä ei ole hyötyä. Kannattaa koettaa nostaa tuota muistivolttia ensi alkuun ennen noita muita jänniteasetuksia.
 
paukka sanoi:
Kokeilin vaihtaa ProcODT 40 ->60 ohm ja samalla muistikellot 2666 ->2933 ja toimii.Memtestiä reilu tunnin verran,ok.
Eikä kompuroi kertaakaan kylmä bootissa..
Onko näin pienestä kiinni oikeesti ;)
Muistit Corsair LPX 3200, 1,35V ja pari pykälää + offset jännite.

Pitihän kokeilla myös 3200 kelloja,offsettiä lisäämällä meni Windowsiin,mutta ei kestä rääkkiä.
Napsauta laajentaaksesi...

Pieni on suhteellista... Signaalitasolla tuo tekee valtavan eron.
En muista nähneeni muisteja jotka olisi ylipäänsä toimineet alle 53.3Ohm terminointiresistanssilla :think:
 
Hieman heikompi tCL latenssi, mutta vastaavasti tiukemmat tRCD ja tRP latenssit verrattuna eiliseen 3200MHz CL12-13-13 ajoon. Toki kaistaa lisäksi enemmän, vaikkakaan siitä ei juuri reaalimaailmassa ole enää hyötyä.
Merkittävä pudotus myös vaadittuun muistijännitteeseen, tämä on ajettu 1.365V biosasetuksella (<1.375V mitattuna).

qlgGqrG.png


hGXC4By.png


BGS toki disabloituna, eli pari GB/s kaistaa "puuttuu".
 
Viimeksi muokannut ylläpidon jäsen:
The Stilt sanoi:
Pieni on suhteellista... Signaalitasolla tuo tekee valtavan eron.
En muista nähneeni muisteja jotka olisi ylipäänsä toimineet alle 53.3Ohm terminointiresistanssilla :think:
Napsauta laajentaaksesi...

No niin,maallikon vaikee käsittää miten tuo asetus ruohonjuuri tasolla vaikuttaa:tdown:.

Se aiempi asetus (suositus) 40 ohm oli siitä AMD hemmon videolta,tiedät varmasti..

Edit: katsoin videota uudelleen ja Hallock suositti kokeilemaan väliltä 40 - 60 ohmia.

Kiitos jälleen The Stiltille asiantuntemuksesta =)
 
Viimeksi muokattu:
paukka sanoi:
Se aiempi asetus (suositus) 40 ohm oli siitä AMD hemmon videolta,tiedät varmasti..
Napsauta laajentaaksesi...

Tiedän että Hallockilta on joku asiaa käsittelevä video, mutta tuo 40Ohm terminointiarvo on siinä mielessä mielenkiintoinen suositus (?) että vakioarvo on aina AMD:n puolelta 60Ohm.
 
akselic sanoi:
Ei sitä SoC jännitettäkään kannata turhaan nostaa. Liian korkeana aiheuttaa epävakautta siinä missä liian matalakin jännite ja tuossa SoC:ssa on aika pieni skaala minkä jälkeen siitä ei ole hyötyä. Kannattaa koettaa nostaa tuota muistivolttia ensi alkuun ennen noita muita jänniteasetuksia.
Napsauta laajentaaksesi...

Asiallinen huomautus.
Minimi steppi on 0,00625V eli pari kertaa tuo on hienoinen korotus.
Bios sanoo 0,95V std ja 1,15V max.. tuttuahan tämä lienee :)
 
The Stilt sanoi:
Tiedän että Hallockilta on joku asiaa käsittelevä video, mutta tuo 40Ohm terminointiarvo on siinä mielessä mielenkiintoinen suositus (?) että vakioarvo on aina AMD:n puolelta 60Ohm.
Napsauta laajentaaksesi...
Kyllä itsellä myös lähti pelaamaan 40 ohmin arvolla oma muistikitti, kun systemaattisesti aloin kokeilemaan eri arvoja. Cold-bootti ei mennyt muuten kirveelläkään läpi.
 
Täälläkään toimii yksipuolisten samsungin b die muistien kanssa 40 ohm asetus.
 
Jahve3 sanoi:
@Nerkoon postaas tämän hetkiset muistiasetuksesi.
Napsauta laajentaaksesi...
Kyseessä G.Skill 2x16Gb F4-3333C16D-32GTZB. Piirit ovat Hwinfo64 mukaan Samsungia. Tyypistä ei ole tietoa.

Menee 2933 ihan nopeuden nostolla ja 1.35V jännitteellä
3066 menee ProcODT 80Ohm arvolla, nopeuden muuttamiselle, 1.35V jännitteellä ja laitoin varmuudeksi vielä käsin oikeat 16-18-18-38 arvot. Tämä vaikuttaa vakaalta. Boottaa näillä myös 3200 arvolla työpöydälle melkein joka kerta, mutta rasitus kaataa sen heti.
 
Nerkoon sanoi:
Kyseessä G.Skill 2x16Gb F4-3333C16D-32GTZB. Piirit ovat Hwinfo64 mukaan Samsungia. Tyypistä ei ole tietoa.

Menee 2933 ihan nopeuden nostolla ja 1.35V jännitteellä
3066 menee ProcODT 80Ohm arvolla, nopeuden muuttamiselle, 1.35V jännitteellä ja laitoin varmuudeksi vielä käsin oikeat 16-18-18-38 arvot. Tämä vaikuttaa vakaalta. Boottaa näillä myös 3200 arvolla työpöydälle melkein joka kerta, mutta rasitus kaataa sen heti.
Napsauta laajentaaksesi...

Oletko koittanut säätää CLDO_VDDP:tä?
 
Nerkoon sanoi:
Kyseessä G.Skill 2x16Gb F4-3333C16D-32GTZB. Piirit ovat Hwinfo64 mukaan Samsungia. Tyypistä ei ole tietoa.

Menee 2933 ihan nopeuden nostolla ja 1.35V jännitteellä
3066 menee ProcODT 80Ohm arvolla, nopeuden muuttamiselle, 1.35V jännitteellä ja laitoin varmuudeksi vielä käsin oikeat 16-18-18-38 arvot. Tämä vaikuttaa vakaalta. Boottaa näillä myös 3200 arvolla työpöydälle melkein joka kerta, mutta rasitus kaataa sen heti.
Napsauta laajentaaksesi...

Tarkista vielä kampojen sarjanumerosta (kammat tai paketti) että ne on oikeasti Samsungia, koska SPD:ssä voi lukea mitä vaan.

G.Skillin DDR4 sarjanumerot:

aabbcccc

aa = Vuosi (esim. 16)
bb = Viikko (esim. 50)
cccc = Varianttikoodi: A500 tai B500 = Samsung, A400 tai B400 = Hynix

SoC jännitteen on lisäksi hyvä olla >= 1.05V ja ProcODT kannattaa laittaa 96Ohm arvoon, olettaen että ne on Samsungia.
 
  • Tykkää
Reactions: JPA
The Stilt sanoi:
Tarkista vielä kampojen sarjanumerosta (kammat tai paketti) että ne on oikeasti Samsungia, koska SPD:ssä voi lukea mitä vaan.

G.Skillin DDR4 sarjanumerot:

aabbcccc

aa = Vuosi (esim. 16)
bb = Viikko (esim. 50)
cccc = Varianttikoodi: A500 tai B500 = Samsung, A400 tai B400 = Hynix

SoC jännitteen on lisäksi hyvä olla >= 1.05V ja ProcODT kannattaa laittaa 96Ohm arvoon, olettaen että ne on Samsungia.
Napsauta laajentaaksesi...
96Ohm ei muuten toiminut kun kokeilin. Olisiko tuo sittenkin jonkun muun firman muistia? Sarjanumeron tarkistus vaatii koneen aukaisemista kun heitin paketin jo menemään eli menee huomiselle.
 
Nyt kun pääsi taas testaileen, niin alotin tuon ProcODT:n säädöllä. Ennen tuo 43.5Ohm on toiminut 4x16Gb setillä. Pistin 96Ohm niin boottas 3200 jakajalla windowssiin, mutta tuli bsod ennen kun Corona kerkes käynnistyä. 80Ohm sain ainaki ajettua CB, Coronan ja RB:n.
Viimeksi kun sain boottaan tuolla 43.5Ohm arvolla 3200 jakajalla kone oli "vakaa", eli ei ollut mitään ongelmia ennen kun yritin bootata uudestaan.
Täytyy jatkaa harjotuksia.
 
Skaalaako @The Stilt se RotR samalla tavalla kun tuo Hitman? Tuo meinaan skaalaa todella hyvin muisti nopeuden ja latenssien kanssa.
 
Dygaza sanoi:
Skaalaako @The Stilt se RotR samalla tavalla kun tuo Hitman? Tuo meinaan skaalaa todella hyvin muisti nopeuden ja latenssien kanssa.
Napsauta laajentaaksesi...

Molemmat skaalautuvat muistien mukaan, mutta Hitman on huomattavasti persompi latenssille ja kaistalle.
Lisäksi ROTR:n on liian epäluotettava mittauksiin, joten sen takia en ole sen tuloksia laittanut esiin.
 
Kirjaudu tai rekisteröidy kirjoittaaksesi tänne.

Uutiset

Uutisia lyhyesti

Uusimmat viestit

Statistiikka

Viestiketjuista
262 831
Viestejä
4 567 408
Jäsenet
75 029
Uusin jäsen
Wisbargo

Hinta.fi

Back
Ylös Bottom