AMD Ryzen 7 (AM4 B350/X370) kellotukset ja kokemukset (Summit Ridge)

[IcePen]

Jos on joku halvempi Samsung B-die 3200C15 kitti niin meneekö se näillä uusimilla bioseilla Ryzen emoissa varmuudella sen 3200 ja ajoitukset jotain vai tarviiiko ostaa parempi kitti että saa varmuudella menemään sen 3200.

 

[Deleted member 4604]

Ylläolevilla asetuksilla AIDA:n CMB tulokset:

- Luku: ~ 50500MB/s
- Kirjoitus: ~ 46600MB/s
- Kopiointi: ~ 42500MB/s
- Latenssi: ~ 68.5ns

Nuo on toki BankGroupSwap optio disabloituna, eli AIDA:n mittaamat siirtonopeudet ottavat pari GB/s takapakkia vaikkakin reaalimaailman suorituskyky paranee.

Tuossa lisäksi suorituskykyero eri muistitaajuuksien välillä Hitmanissä, tilanteessa jossa itse prosessori on pullonkaula.

Kaikissa perustaajuuksissa on kiinteä CL16-16-16 latenssi ja se luonnollisesti vajoaa taajuuden kasvaessa.
Verokkina "3200MHz LL" jossa muistiasetukset CL12-12-12 ja aliasetukset kiristetty myös.

 

[Deleted member 3664]

Ylläolevilla asetuksilla AIDA:n CMB tulokset:

- Luku: ~ 50500MB/s
- Kirjoitus: ~ 46600MB/s
- Kopiointi: ~ 42500MB/s
- Latenssi: ~ 68.5ns

Nuo on toki BankGroupSwap optio disabloituna, eli AIDA:n mittaamat siirtonopeudet ottavat pari GB/s takapakkia vaikkakin reaalimaailman suorituskyky paranee.

Tuossa lisäksi suorituskykyero eri muistitaajuuksien välillä Hitmanissä, tilanteessa jossa itse prosessori on pullonkaula.

Kaikissa perustaajuuksissa on kiinteä CL16-16-16 latenssi ja se luonnollisesti vajoaa taajuuden kasvaessa.
Verokkina "3200MHz LL" jossa muistiasetukset CL12-12-12 ja aliasetukset kiristetty myös.

Kiitos. Tuo sitten viimeistään korjaa sen harhaluulon mitä täälläkin on levitetty että Ryzenillä muistien mhz > timingit.

Eli sinun testien perusteella nopeuden sweetspot on 3200Mhz ja sitten vaan timingit niin kireälle kuin saa?

Harmi kun ei oma ihan ok kitti saa tuota cl12 järkevillä volteilla. Pitänee kattoa subtimingeja seuraavaksi nyt kun beta biosseilla niitä pääsee ronkkimaan.

 

[Atan87]

Onkos se muuten pääasiassa tuo muistin nopeus mikä ryzenilla tökkii vai timingit myös? Huomaako prossu edes että onko muistit cas 12 vai cas 18?

 

[Taneli-]

Onkos se muuten pääasiassa tuo muistin nopeus mikä ryzenilla tökkii vai timingit myös? Huomaako prossu edes että onko muistit cas 12 vai cas 18?

Lukemalla ylläolevat viestit

Spoileri

Panostakaa ennemmin niihin latensseihin, kuin suurimpaan muistikelloon.
Omien testien mukaan 3200MHz CL12 on käytännössä yhtä nopea kuin 3600MHz CL14.
Ainoastaan tilanteissa, joissa muistikaista on rajoite on suurempi taajuus nopeampi.

Prosessorien fabricit ei vaikuta olevan enää pullonkaula >=3200MHz muistitaajuudella, eikä muistitaajuudesta sitä kautta ole enää hyötyä.

uskaltaisin mutuilla seuraavaa:
Jos sinulla on 2133 muistia CL 12 huomaat kyllä eroa vaihtamalla 3600 CL18 (3600 hyväksi)
Mutta jos sinulla on 3200 CL12 muistia ET huomaa eroa 3600 CL14 muistiin.

Kun mennään 3200MHz CL alkaa merkkaamaan sen jälkeen enempi, mutta aika monessa testissä on todettu että ns. todella surkealla CL (esim. tuo 18) varustettu 3200 on parempi Ryzenillä kuin 2133 CL12.

Edit: samaten on todettu että JOS ostaa halvemman prosessorin (esim. Ryzen 1500) eikä kellota joku 2400 tms. muisti on ihan riittävää. Mutta jos hankkii 1700+ prosessoria ja kellottaa 3200 muisti on järkevä ostos vaikka maksaakin hieman enempi.

 

[miiksu]

B-die piireissä on helvetillisiä eroja.
Mulla on B-die muisteja jotka ei mene yli 3000MHz CL14-14-14 millään jännitteellä ja sitten vastaavasti noi G.Skillin 3600C15 kammat jotka menee 3200MHz CL12-13-13 < 1.45V jännitteellä.
Speksin puolesta noi on CL14-14-14 / 3360MHz (8.333ns) @ 1.35V.

Koska piirien laatuvaihtelut on mitä on, on turha kuvitella saavansa ostamalla esim. G.Skillin 3200C15 kitin yhtä hyvää tavaraa kuin esim. 3200C14 kittiin on käytetty.
Valmistajat binnaa ne piirit ja piirit jotka eivät täytä korkeinta speksiä, päätyvät alempaan malliin jonka speksit täyttyy.

3600C15 on markkinoiden kovin muistikitti (8.333ns tCL-tRCD-tRP), joten muistien onkin syytä kulkea.

Kovat muistit. Kiitos kuitenkin tästä informaatiosta. Mutta mikä ProcODT? Sain itekin nyt postaamaan 3200CL12 mutta kovemmilla volteilla. Kaikki autolla paitsi CAS ja jännite.

Edit. Väärä quote.

 

[Deleted member 4604]

60Ohm on oikea ja samalla vakioarvo yksipuoleisille muistikammoille.
Sama vakioarvo on käytössä myös kaksipuoleisilla kammoilla, mutta Samsungin B-die kammat ei toimi sillä kovin hyvin jos ollenkaan (korkeilla taajuuksilla).
Kaksipuoleisille B-die kammoille 80 - 96Ohm on optimiarvo, itsellä jälkimmäinen arvo toimii paremmin.

 

[miiksu]

60Ohm on oikea ja samalla vakioarvo yksipuoleisille muistikammoille.
Sama vakioarvo on käytössä myös kaksipuoleisilla kammoilla, mutta Samsungin B-die kammat ei toimi sillä kovin hyvin jos ollenkaan (korkeilla taajuuksilla).
Kaksipuoleisille B-die kammoille 80 - 96Ohm on optimiarvo, itsellä jälkimmäinen arvo toimii paremmin.

Eipä auttanut saamaan voltteja alaspäin. Tällä hetkellä 1,48V. Turhan korkea taitaa olla. En ole vielä kokeillut vakautta enkä korkeäkään kun aika loppuu ja pitää mennä lepyttämään aivoja. Kuitenkin suostuu käynnistymään Windowsiin asti vaikkei nyt varmaan ihan parhaimmat muistit olekkaan. Jos ton olis tienny niin olisin varmaan hankkinut ne 3600CL15 muistit.

 

[Deleted member 4604]

ProcODT ei vaikuta muistien kulkuun. Käytännössä jos ProcODT on pielessä niin muistit ei läpäise treinausta (0xF9 koodi).
1.50V on Samsungin speksaama absoluuttinen maksimijännite ja siihen asti jännitettä voi nostaa melko turvallisesti.

 

[Atan87]

Lukemalla ylläolevat viestit

uskaltaisin mutuilla seuraavaa:
Jos sinulla on 2133 muistia CL 12 huomaat kyllä eroa vaihtamalla 3600 CL18 (3600 hyväksi)
Mutta jos sinulla on 3200 CL12 muistia ET huomaa eroa 3600 CL14 muistiin.

Kun mennään 3200MHz CL alkaa merkkaamaan sen jälkeen enempi, mutta aika monessa testissä on todettu että ns. todella surkealla CL (esim. tuo 18) varustettu 3200 on parempi Ryzenillä kuin 2133 CL12.

Edit: samaten on todettu että JOS ostaa halvemman prosessorin (esim. Ryzen 1500) eikä kellota joku 2400 tms. muisti on ihan riittävää. Mutta jos hankkii 1700+ prosessoria ja kellottaa 3200 muisti on järkevä ostos vaikka maksaakin hieman enempi.

Nyt mentiin kysymyksen pointin ohi niin että vilahti. En missään vaiheessa kysynyt millä ryzen on nopeampi, vaan että kumpi siinä tökkii enemmän. Tulee fail bootteja helpommin alhaisilla cas latensseilla vai korkeilla taajuuksilla. Kummasta se ryzen ei tykkää.

 

[Jahve3]

Nyt mentiin kysymyksen pointin ohi niin että vilahti. En missään vaiheessa kysynyt millä ryzen on nopeampi, vaan että kumpi siinä tökkii enemmän. Tulee fail bootteja helpommin alhaisilla cas latensseilla vai korkeilla taajuuksilla. Kummasta se ryzen ei tykkää.

Ei siinä mitään fail bootteja tule sitten, kun taajuudet ja latenssit ovat vakaat. Kyse on siitä, että mille asetuksille muistit venyvät.

 

[Deleted member 3664]

Mitä toi geardown tarkalleen ottaen tekee @The Stilt ? Mulla näyttäis pysyvän vakaana himpun alemmilla volteilla kun säädin geardownin disabled tilaan eli auto tilassa se on kai siten päällä. Näillä volteilla saattais olla sillä rajalla että saisin ton cl12 myös läpi jos jaksais myöhemmin kokeilla taas.

 

[hese_e]

ProcODT ei vaikuta muistien kulkuun. Käytännössä jos ProcODT on pielessä niin muistit ei läpäise treinausta (0xF9 koodi).
1.50V on Samsungin speksaama absoluuttinen maksimijännite ja siihen asti jännitettä voi nostaa melko turvallisesti.

Kuinkas vddio? Ryzen masterin mukaan: "Note that Memory VTT voltage will automatically be set to half of Memory voltage
(MEM VDDIO)"

Ainakin intel puolella on ollut ikuisuuskiistaa kestääkö prosujen muistikontrolleri kovia muistijännitteitä, vai ei.

 

[miiksu]

Ylläolevilla asetuksilla AIDA:n CMB tulokset:

- Luku: ~ 50500MB/s
- Kirjoitus: ~ 46600MB/s
- Kopiointi: ~ 42500MB/s
- Latenssi: ~ 68.5ns

Nuo on toki BankGroupSwap optio disabloituna, eli AIDA:n mittaamat siirtonopeudet ottavat pari GB/s takapakkia vaikkakin reaalimaailman suorituskyky paranee.

Tuossa lisäksi suorituskykyero eri muistitaajuuksien välillä Hitmanissä, tilanteessa jossa itse prosessori on pullonkaula.

Kaikissa perustaajuuksissa on kiinteä CL16-16-16 latenssi ja se luonnollisesti vajoaa taajuuden kasvaessa.
Verokkina "3200MHz LL" jossa muistiasetukset CL12-12-12 ja aliasetukset kiristetty myös.

Jonkin verran huonommat tulokset tulee aidalla. Prossu 4GHz:lla.

Luku ~47750 MB/s
Kirjoitus ~46550 MB/s
Kopiointi ~42250 MB/s
Viive 70,2 ns

Edit. Missäs toi geardown asetus oikein on? Onko se jotain uusimman biosin hienouksia? Tällä hetkellä 1107 bios sisässä.

 

[Deleted member 3664]

Jonkin verran huonommat tulokset tulee aidalla. Prossu 4GHz:lla.

Luku ~47750 MB/s
Kirjoitus ~46550 MB/s
Kopiointi ~42250 MB/s
Viive 70,2 ns

Edit. Missäs toi geardown asetus oikein on? Onko se jotain uusimman biosin hienouksia? Tällä hetkellä 1107 bios sisässä.

Beta biosseissa on uusimmissa

 

[Deleted member 4604]

Mitä toi geardown tarkalleen ottaen tekee @The Stilt ? Mulla näyttäis pysyvän vakaana himpun alemmilla volteilla kun säädin geardownin disabled tilaan eli auto tilassa se on kai siten päällä. Näillä volteilla saattais olla sillä rajalla että saisin ton cl12 myös läpi jos jaksais myöhemmin kokeilla taas.

GearDownModen säätömahdollisuus tuli 1.0.0.6 AGESA:ssa ja oletuksena se on päällä kaikilla yli 2400MHz taajuuksilla.
GDM:n disablointi ilman että Cmd2t asetusta disabloi samalla tarkoittaa automaattisesti, että muisteja ajetaan hitaammassa 2T moodissa (1T normaalisti).
GDM:n disablointi mahdollistaa parittomien tCL arvojen käytön, mutta tällä hetkellä parittomat tCL latenssit ovat suorituskyvyltään huonommat kuin parilliset vaikka itse latenssi onkin pienempi.

Parhaimmasta huonoimpaan:

GDM = Disabled, Cmd2t = 1T, tCL = Parillinen // tCL 14-14-14
GDM = Enabled, Cmd2t = 1T, tCL = Parillinen (parittomat ei toimi) // tCL 14-14-14
GDM = Disabled, Cmd2t = 1T, tCL = Pariton // tCL 13-13-13

Kuinkas vddio? Ryzen masterin mukaan: "Note that Memory VTT voltage will automatically be set to half of Memory voltage
(MEM VDDIO)"

Ainakin intel puolella on ollut ikuisuuskiistaa kestääkö prosujen muistikontrolleri kovia muistijännitteitä, vai ei.

Zeppelinissä kaikki VDDIO linkitetyt jännitteet on erillisen jänniteregulaattorin (dLDO) takana, joten muistijännitteen nostamisella ei ole juuri haitallisia vaikutuksia muuten kuin muisteille.

GearDownMode löytyy CBS:n UMC alivälilehdeltä tai integroituna valmistajien omiin muistiasetusvalikkoihin, sikäli kun löytyy.

 

[horemheb]

Onko mitään "ohjesääntöä" kuinka paljon uskaltaa laittaa voltteja muisteille? Yksipuoliset samsung B-die käytössä. Onko 1.40V liian kova 24/7 käyttöön? Ei sikäli tarvetta, mutta kysyn jos jatkossa olisi mahdollista saada kellotettua yli 3200mhz

 

[Keketin]

Onko mitään "ohjesääntöä" kuinka paljon uskaltaa laittaa voltteja muisteille? Yksipuoliset samsung B-die käytössä. Onko 1.40V liian kova 24/7 käyttöön? Ei sikäli tarvetta, mutta kysyn jos jatkossa olisi mahdollista saada kellotettua yli 3200mhz

Olisi suotavaa jaksaa lukea edes viimeisen sivun viestit threadista josta kyselet. Helpotan kuitenkin tuota taakkaasi.

Kahdeksan viestiä aiemmin:

1.50V on Samsungin speksaama absoluuttinen maksimijännite ja siihen asti jännitettä voi nostaa melko turvallisesti.

 

[Deleted member 4604]

Jonkin verran huonommat tulokset tulee aidalla. Prossu 4GHz:lla.

Luku ~47750 MB/s
Kirjoitus ~46550 MB/s
Kopiointi ~42250 MB/s
Viive 70,2 ns

Edit. Missäs toi geardown asetus oikein on? Onko se jotain uusimman biosin hienouksia? Tällä hetkellä 1107 bios sisässä.

Onko sulla BankGroupSwap varmasti disabloitu?
Ellet ole aliasetuksia tuunannut, niin vähän liian hyvät lukemat siihen että BGS olisi pois päältä.

 

[miiksu]

Onko sulla BankGroupSwap varmasti disabloitu?
Ellet ole aliasetuksia tuunannut, niin vähän liian hyvät lukemat siihen että BGS olisi pois päältä.

En tietääkseni ole koskenut. Takistan vielä kun pääsen kotiin.

 

[Deleted member 4604]

En tietääkseni ole koskenut. Takistan vielä kun pääsen kotiin.

Oletuksena se on vielä toistaiseksi aina päällä.
Yksipuoleisilla kammoilla (SR) se kannattaa ottaa pois päältä.
Esim. AIDA:n raportoimat tulokset (toistaiseksi) kärsivät hieman, mutta reaalimaailman suorituskyky vastaavasti paranee.

Esim. Hitmanin ja ROTR:n suorituskyky paranee BGS:n disabloinnilla < 4%.

Neljää SR tai kahta DR kampaa ajaessa BGS tulee pitää päällä.

 

[Nerkoon]

Onko toivoa, että koneessa olevat 2x16GB 3333MHz kammat vielä joskus kulkisivat vakaasti 3200Mhz 1.35V jännitteellä?

 

[horemheb]

Olisi suotavaa jaksaa lukea edes viimeisen sivun viestit threadista josta kyselet. Helpotan kuitenkin tuota taakkaasi.

Kahdeksan viestiä aiemmin:

Kiitos taakan kevennyksestä. Valitettavasti kohdalleni on osunut inhimillinen erhe ja tämän johdosta tarkkaavuuteni on häiriintynyt ja en ole huomannut tuota vaikka koko ketjun luinkin. Tästä edes huolehdin, että vireystasoni on hyvä, jolloin kognitiiviset kyvyt eivät heikkene liikaa jolloin tämän tapaiset erheet häviävät.

 

[miiksu]

Oletuksena se on vielä toistaiseksi aina päällä.
Yksipuoleisilla kammoilla (SR) se kannattaa ottaa pois päältä.
Esim. AIDA:n raportoimat tulokset (toistaiseksi) kärsivät hieman, mutta reaalimaailman suorituskyky vastaavasti paranee.

Esim. Hitmanin ja ROTR:n suorituskyky paranee BGS:n disabloinnilla < 4%.

Neljää SR tai kahta DR kampaa ajaessa BGS tulee pitää päällä.

Hyvä tietää. Autolla oli, eli siis enabled tilassa. Otanpa pois sen sitten

Edit. Täytyy vielä kattoo muutamat pelit läpi miten vaikuttaa omiin peleihin.

 

[Jahve3]

Onko toivoa, että koneessa olevat 2x16GB 3333MHz kammat vielä joskus kulkisivat vakaasti 3200Mhz 1.35V jännitteellä?

Eiköhän. Onko Hynixin vai Samsungin piireillä?

 

[Septique]

Omat corsairin kammat sain vihdoin 29xxMHz postaamaan ja toimivat vakaasti. Ainoa mitä tajusin vihdoin muuttaa on procodt auto -> 40ohm ja tämän jälkeen boottasi heti ja ei ongelmia. Kiitos tästä tämän threadin.

 

[Jahve3]

@Nerkoon postaas tämän hetkiset muistiasetuksesi.

 

[paukka]

60Ohm on oikea ja samalla vakioarvo yksipuoleisille muistikammoille.
Sama vakioarvo on käytössä myös kaksipuoleisilla kammoilla, mutta Samsungin B-die kammat ei toimi sillä kovin hyvin jos ollenkaan (korkeilla taajuuksilla).
Kaksipuoleisille B-die kammoille 80 - 96Ohm on optimiarvo, itsellä jälkimmäinen arvo toimii paremmin.

Kokeilin vaihtaa ProcODT 40 ->60 ohm ja samalla muistikellot 2666 ->2933 ja toimii.Memtestiä reilu tunnin verran,ok.
Eikä kompuroi kertaakaan kylmä bootissa..
Onko näin pienestä kiinni oikeesti
Muistit Corsair LPX 3200, 1,35V ja pari pykälää + offset jännite.

Pitihän kokeilla myös 3200 kelloja,offsettiä lisäämällä meni Windowsiin,mutta ei kestä rääkkiä.

 

[Deleted member 3664]

Pitihän kokeilla myös 3200 kelloja,offsettiä lisäämällä meni Windowsiin,mutta ei kestä rääkkiä.

Muisteja varten ei lisätä offset voltteja koska se on prossua varten. Muisteja varten lisätään Dram Voltage asetusta.

 

[paukka]

SoC jännite oli kyseessä.Siihen siis plussaa.

Ei viittis aina pilkkua viilata,kun asiantuntevaa porukkaa täällä

 

[Deleted member 3664]

SoC jännite oli kyseessä.Siihen siis plussaa.

Ei viittis aina pilkkua viilata,kun asiantuntevaa porukkaa täällä

Ei sitä SoC jännitettäkään kannata turhaan nostaa. Liian korkeana aiheuttaa epävakautta siinä missä liian matalakin jännite ja tuossa SoC:ssa on aika pieni skaala minkä jälkeen siitä ei ole hyötyä. Kannattaa koettaa nostaa tuota muistivolttia ensi alkuun ennen noita muita jänniteasetuksia.

 

[Deleted member 4604]

Kokeilin vaihtaa ProcODT 40 ->60 ohm ja samalla muistikellot 2666 ->2933 ja toimii.Memtestiä reilu tunnin verran,ok.
Eikä kompuroi kertaakaan kylmä bootissa..
Onko näin pienestä kiinni oikeesti
Muistit Corsair LPX 3200, 1,35V ja pari pykälää + offset jännite.

Pitihän kokeilla myös 3200 kelloja,offsettiä lisäämällä meni Windowsiin,mutta ei kestä rääkkiä.

Pieni on suhteellista... Signaalitasolla tuo tekee valtavan eron.
En muista nähneeni muisteja jotka olisi ylipäänsä toimineet alle 53.3Ohm terminointiresistanssilla

 

[Deleted member 4604]

Hieman heikompi tCL latenssi, mutta vastaavasti tiukemmat tRCD ja tRP latenssit verrattuna eiliseen 3200MHz CL12-13-13 ajoon. Toki kaistaa lisäksi enemmän, vaikkakaan siitä ei juuri reaalimaailmassa ole enää hyötyä.
Merkittävä pudotus myös vaadittuun muistijännitteeseen, tämä on ajettu 1.365V biosasetuksella (<1.375V mitattuna).

BGS toki disabloituna, eli pari GB/s kaistaa "puuttuu".

 

[paukka]

Pieni on suhteellista... Signaalitasolla tuo tekee valtavan eron.
En muista nähneeni muisteja jotka olisi ylipäänsä toimineet alle 53.3Ohm terminointiresistanssilla

No niin,maallikon vaikee käsittää miten tuo asetus ruohonjuuri tasolla vaikuttaa.

Se aiempi asetus (suositus) 40 ohm oli siitä AMD hemmon videolta,tiedät varmasti..

Edit: katsoin videota uudelleen ja Hallock suositti kokeilemaan väliltä 40 - 60 ohmia.

Kiitos jälleen The Stiltille asiantuntemuksesta =)

 

[Deleted member 4604]

Se aiempi asetus (suositus) 40 ohm oli siitä AMD hemmon videolta,tiedät varmasti..

Tiedän että Hallockilta on joku asiaa käsittelevä video, mutta tuo 40Ohm terminointiarvo on siinä mielessä mielenkiintoinen suositus (?) että vakioarvo on aina AMD:n puolelta 60Ohm.

 

[paukka]

Ei sitä SoC jännitettäkään kannata turhaan nostaa. Liian korkeana aiheuttaa epävakautta siinä missä liian matalakin jännite ja tuossa SoC:ssa on aika pieni skaala minkä jälkeen siitä ei ole hyötyä. Kannattaa koettaa nostaa tuota muistivolttia ensi alkuun ennen noita muita jänniteasetuksia.

Asiallinen huomautus.
Minimi steppi on 0,00625V eli pari kertaa tuo on hienoinen korotus.
Bios sanoo 0,95V std ja 1,15V max.. tuttuahan tämä lienee

 

[laavu]

Tiedän että Hallockilta on joku asiaa käsittelevä video, mutta tuo 40Ohm terminointiarvo on siinä mielessä mielenkiintoinen suositus (?) että vakioarvo on aina AMD:n puolelta 60Ohm.

Kyllä itsellä myös lähti pelaamaan 40 ohmin arvolla oma muistikitti, kun systemaattisesti aloin kokeilemaan eri arvoja. Cold-bootti ei mennyt muuten kirveelläkään läpi.

 

[miiksu]

Täälläkään toimii yksipuolisten samsungin b die muistien kanssa 40 ohm asetus.

 

[Nerkoon]

@Nerkoon postaas tämän hetkiset muistiasetuksesi.

Kyseessä G.Skill 2x16Gb F4-3333C16D-32GTZB. Piirit ovat Hwinfo64 mukaan Samsungia. Tyypistä ei ole tietoa.

Menee 2933 ihan nopeuden nostolla ja 1.35V jännitteellä
3066 menee ProcODT 80Ohm arvolla, nopeuden muuttamiselle, 1.35V jännitteellä ja laitoin varmuudeksi vielä käsin oikeat 16-18-18-38 arvot. Tämä vaikuttaa vakaalta. Boottaa näillä myös 3200 arvolla työpöydälle melkein joka kerta, mutta rasitus kaataa sen heti.

 

[Jahve3]

Kyseessä G.Skill 2x16Gb F4-3333C16D-32GTZB. Piirit ovat Hwinfo64 mukaan Samsungia. Tyypistä ei ole tietoa.

Menee 2933 ihan nopeuden nostolla ja 1.35V jännitteellä
3066 menee ProcODT 80Ohm arvolla, nopeuden muuttamiselle, 1.35V jännitteellä ja laitoin varmuudeksi vielä käsin oikeat 16-18-18-38 arvot. Tämä vaikuttaa vakaalta. Boottaa näillä myös 3200 arvolla työpöydälle melkein joka kerta, mutta rasitus kaataa sen heti.

Oletko koittanut säätää CLDO_VDDP:tä?

 

[Nerkoon]

Oletko koittanut säätää CLDO_VDDP:tä?

En ole. Minulle on jäänyt siitä kuva, että se auttaisi vain jos ei boottaa ollenkaan

 

[Jahve3]

En ole. Minulle on jäänyt siitä kuva, että se auttaisi vain jos ei boottaa ollenkaan

Mulla boottaa 945 arvolla, mutta ovat vakaat 935 arvolla, eli kyllä se jotain vaikuttaa

Edit: Lataappa Thaiphoon burner, niin näkee muistipiirien tiedot.

 

[Deleted member 4604]

Kyseessä G.Skill 2x16Gb F4-3333C16D-32GTZB. Piirit ovat Hwinfo64 mukaan Samsungia. Tyypistä ei ole tietoa.

Menee 2933 ihan nopeuden nostolla ja 1.35V jännitteellä
3066 menee ProcODT 80Ohm arvolla, nopeuden muuttamiselle, 1.35V jännitteellä ja laitoin varmuudeksi vielä käsin oikeat 16-18-18-38 arvot. Tämä vaikuttaa vakaalta. Boottaa näillä myös 3200 arvolla työpöydälle melkein joka kerta, mutta rasitus kaataa sen heti.

Tarkista vielä kampojen sarjanumerosta (kammat tai paketti) että ne on oikeasti Samsungia, koska SPD:ssä voi lukea mitä vaan.

G.Skillin DDR4 sarjanumerot:

aabbcccc

aa = Vuosi (esim. 16)
bb = Viikko (esim. 50)
cccc = Varianttikoodi: A500 tai B500 = Samsung, A400 tai B400 = Hynix

SoC jännitteen on lisäksi hyvä olla >= 1.05V ja ProcODT kannattaa laittaa 96Ohm arvoon, olettaen että ne on Samsungia.

 

[Nerkoon]

Tarkista vielä kampojen sarjanumerosta (kammat tai paketti) että ne on oikeasti Samsungia, koska SPD:ssä voi lukea mitä vaan.

G.Skillin DDR4 sarjanumerot:

aabbcccc

aa = Vuosi (esim. 16)
bb = Viikko (esim. 50)
cccc = Varianttikoodi: A500 tai B500 = Samsung, A400 tai B400 = Hynix

SoC jännitteen on lisäksi hyvä olla >= 1.05V ja ProcODT kannattaa laittaa 96Ohm arvoon, olettaen että ne on Samsungia.

96Ohm ei muuten toiminut kun kokeilin. Olisiko tuo sittenkin jonkun muun firman muistia? Sarjanumeron tarkistus vaatii koneen aukaisemista kun heitin paketin jo menemään eli menee huomiselle.

 

[WR-HW95]

Nyt kun pääsi taas testaileen, niin alotin tuon ProcODT:n säädöllä. Ennen tuo 43.5Ohm on toiminut 4x16Gb setillä. Pistin 96Ohm niin boottas 3200 jakajalla windowssiin, mutta tuli bsod ennen kun Corona kerkes käynnistyä. 80Ohm sain ainaki ajettua CB, Coronan ja RB:n.
Viimeksi kun sain boottaan tuolla 43.5Ohm arvolla 3200 jakajalla kone oli "vakaa", eli ei ollut mitään ongelmia ennen kun yritin bootata uudestaan.
Täytyy jatkaa harjotuksia.

 

[Deleted member 4604]

AGESA:n viimeaikaiset muutokset sekä pari ylimääräistä tweakkiä muuttivat hieman taajuuksien ja latenssien voimasuhteita.

 

[Nerkoon]

@The Stilt saako tiedustella merkkiä ja tarkkaa mallia noille 3200 LL muisteille?

 

[Jahve3]

@The Stilt saako tiedustella merkkiä ja tarkkaa mallia noille 3200 LL muisteille?

G.Skill 3600Mhz CL15

https://www.computeruniverse.net/products/90651992/g-skill-trident-z-16gb-ddr4-k2.asp

 

[Dygaza]

Skaalaako @The Stilt se RotR samalla tavalla kun tuo Hitman? Tuo meinaan skaalaa todella hyvin muisti nopeuden ja latenssien kanssa.

 

[Deleted member 4604]

Skaalaako @The Stilt se RotR samalla tavalla kun tuo Hitman? Tuo meinaan skaalaa todella hyvin muisti nopeuden ja latenssien kanssa.

Molemmat skaalautuvat muistien mukaan, mutta Hitman on huomattavasti persompi latenssille ja kaistalle.
Lisäksi ROTR:n on liian epäluotettava mittauksiin, joten sen takia en ole sen tuloksia laittanut esiin.