On ollut paljon puhetta että eri yritysten (Intel, Nvidia, AMD) 14nm,12nm,10nm,7nm ovat todellisuudessa eri kokoisia eivät myös edes vastaa noita lukuja.
Onko tiedossa esimerkiksi kun verrataan jo kaikilla olevia kokoja, että kellä on todellisuudessa pienin tekniikka käytössä ja millaisista eroista puhutaan?
Wikichipistä löytyy aika hyvät tiedot noista
7 nm lithography process - WikiChip
10 nm lithography process - WikiChip
14 nm lithography process - WikiChip
Oleellisimmat luvut on nuo MMP ja CPP, niiden kertolaskusta muodostuu suoraan, että paljonko yksi transistori
vähintään vie tilaa. Tosin siihen, paljonko joku logiikka vie tilaa vaikuttaa muukin, koska luotettavuus- , sähkönkulutus- ja nopeussyistä juuri missään ei käytetä minimaalista määrää minimaalisen pieniä transistoreita. Käytännössä kun kerrotaan MPP, CPP ja prosessikirjastojen T-luku, saadaan standardikirjaston pienimpien logiikkaporttien koko, melko vertailukelposesti eri prosessien välillä. (mutta tällä voidaan siis verrata vain tiheyttä, ei nopeutta). Esim. globalfoundriesin "12nm" prosessi on aivan samoilla mitoilla kuin "14nm" prosessi, mutta sille vaan on saatavilla pienemmän T-luvun standardikirjastot.
Lisäksi CPP ilmeisesti on jossain määrin kompromissi nopeuden tiheyden välillä, samalla MMP:llä hiukan isompi CPP antanee usein hiukan paremman nopeuden, eli tiheysoptimoidussa prosessissa CPP on pienempi, nopeusoptimoidussa suurempi (mm. TSMCn "16nm" käyttää isompaa CPPtä kuin GFn "14nm", ja intel suurensi CPPtään "14nm" ja "14++" välillä, saadakseen lisää nopeutta)
Eli siis: ne oleellisimmat:
MPP:
Intel "10nm"
36nm,
TSMC "7nm" 40nm,
Intel "14nm"
52nm,
GF/Samsung "20nm/14nm/12nm" 64nm
TSMC "20nm/16nm/12nm" 64nm
CPP:
CPP: Intel "10nm" 54nm",
TSMC "7nm" 54nm".
Intel "14nm" 70nm
Intel "14++"
84nm
GF/Samsung "14nm/12nm" 78nm
GF/Samsung "20nm" 86nm
TSMC "20nm/16nm/12nm"
90nm
Kuitenkin: Tiheimmän SRAM-solun(HD= High Density) koko, Intel "10nm" 0.0312 um^2 , TSMC "7nm" 0.027 um^2. Eli vaikka intelillä prosessin mitat on pienemmät, TSMCltä voi silti valmistaa tiheämpää SRAMia. Voidaan taas tulla siihen, että intel on optimoinut enemmän nopeutta, TSMC tiheyttä siinä, millaiset SRAMit on prosessilleen suunnitellut.