AMD CPU-spekulaatio (Zen6/Zen7 ...)

[Joku_242]

Vanha kunnon Turbo nappula takaisin koneisiin. Vakiona se 150w powerlimit ja turbolla sit kuuhun.

Mitä se nappula muuten edes teki? Joissain vanhoissa tietokoneissa tosiaan oli moinen.

 

[JiiPee]

Mitä se nappula muuten edes teki? Joissain vanhoissa tietokoneissa tosiaan oli moinen.

Eikös se kelloja vaihtanut.

 

[JiiPee]

Eikös se kelloja vaihtanut. Eli käytännössä kait kerrointa. Nykyisin sitä kerrointa muutellaan dynaamisesti.

 

[xfxpro650w]

Eikös se kelloja vaihtanut.

Joo meikäläisen 80-luvun alkupuolen XT-kloonissa oli huikea 4.7MHz tikuttava 8086, missä ei vielä ollut tuota maagista turbo-nappulaa, mutta 286:sta se jo sitten löytyikin.

Ennen oli laivat puuta...

 

[Tuna-Fish]

Syy sen nappulan olemassaoloon oli että ensimmäisen sukupolven IBM-alustalle (5150, XT, yms kaikki muut jotka käytti 8088:ia) tehtiin paljon softaa joka käytti ajastinlooppeja. Ne ovat helppo koodata, ja olivat yleisessä käytössä muissa tuon ajan kotimikroalustoilla. Niissä on vaan se vika että jos niitä ajaa liian nopealla tietokoneella, kaikki hajoaa käsiin. Kuusnepalla tämä ei ollut ongelma koska kaikissa oli aina se sama prossu, mutta x86-alustalle alettiin tehdä (suunnilleen) yhteensopivaa toista sukupolvea joka oli paljon nopeampi. Ratkaisu oli asentaa mikroihin nappuloita jotka hidastavat ne XT:n tasalle. Paitsi että "hidasta" nappi on huonoa markkinointia, joten kloonivalmistajat keksivät sen sijaan nimetä nappulan turboksi ja laittaa sen "oletuksena" painetuksi.

Joo meikäläisen 80-luvun alkupuolen XT-kloonissa oli huikea 4.7MHz tikuttava 8086, missä ei vielä ollut tuota maagista turbo-nappulaa, mutta 286:sta se jo sitten löytyikin.

XT ei tarvi ko. nappulaa juuri koska siinä on se täysin sama 4.77MHz 8088 mikä löytyi 5150:sta.

286:sen yleistymisen jälkeen koodarit oppivat käyttämään keskeytyksiä, joten ominaisuudelle ei enää ollut paljoa tarvetta.

 

[xfxpro650w]

Syy sen nappulan olemassaoloon oli että ensimmäisen sukupolven IBM-alustalle (5150, XT, yms kaikki muut jotka käytti 8088:ia) tehtiin paljon softaa joka käytti ajastinlooppeja. Ne ovat helppo koodata, ja olivat yleisessä käytössä muissa tuon ajan kotimikroalustoilla. Niissä on vaan se vika että jos niitä ajaa liian nopealla tietokoneella, kaikki hajoaa käsiin. Kuusnepalla tämä ei ollut ongelma koska kaikissa oli aina se sama prossu, mutta x86-alustalle alettiin tehdä (suunnilleen) yhteensopivaa toista sukupolvea joka oli paljon nopeampi. Ratkaisu oli asentaa mikroihin nappuloita jotka hidastavat ne XT:n tasalle. Paitsi että "hidasta" nappi on huonoa markkinointia, joten kloonivalmistajat keksivät sen sijaan nimetä nappulan turboksi ja laittaa sen "oletuksena" painetuksi.



XT ei tarvi ko. nappulaa juuri koska siinä on se täysin sama 4.77MHz 8088 mikä löytyi 5150:sta.

286:sen yleistymisen jälkeen koodarit oppivat käyttämään keskeytyksiä, joten ominaisuudelle ei enää ollut paljoa tarvetta.

No täällä nousee käsi pystyyn. Ensiaskeleet keskeytyksistä tosin otettiin jo aiemmin ZX Spectrumin Z80A prossun keskeytyksiä ohjelmoimalla pure a la assembly code

 

[jsa]

Kuusnepalla tämä ei ollut ongelma koska kaikissa oli aina se sama prossu.

Sama prossu mutta esimerkiksi NTSC/PAL laitteet toimivat eri kellotaajuudella mikä aiheuttaa ajoituksiin hieman eroavaisuutta. (NTSC 1.023 MHz vs PAL 0.985 MHz). Tämän seurauksena osa jenkkipeleistä taas toimi aikalailla paskasti PAL koneilla tai glitsasivat muuten aika reippaasti.Samoten eri näytön päivitystaajuus aiheuttaa sitten säätöä jos raster keskeytystä on käytetty jonkin asian pyörittämiseen.

 

[demu]

Mielenkiintoista, mutta ei nyt oikein liity otsikon aiheeseen.

 

[Joku_242]

XT ei tarvi ko. nappulaa juuri koska siinä on se täysin sama 4.77MHz 8088 mikä löytyi 5150:sta.

286:sen yleistymisen jälkeen koodarit oppivat käyttämään keskeytyksiä, joten ominaisuudelle ei enää ollut paljoa tarvetta.

Jostain syystä tuo nappi löytyy paljon uudemmistakin koneista. Esimerkiksi lapsuudessa kotona olleessa Pentiumissa oli moinen.

 

[Jarnis]

Jostain syystä tuo nappi löytyy paljon uudemmistakin koneista. Esimerkiksi lapsuudessa kotona olleessa Pentiumissa oli moinen.

Eli kotelo oli mallia museo johon nappi oli joskus tehty ja sen poistaminen vaatisi muutoksia linjastoon, joten...

 

[SatanTwister]

Tyhmä kysymys varmaan mutta miksi tuon zen4 IHS täytyy olla noin paksu? Tuskin nyt ainakaan jäähyjen takia kannattaisi tuollaista tehdä.

 

[Timo 2]

Tyhmä kysymys varmaan mutta miksi tuon zen4 IHS täytyy olla noin paksu? Tuskin nyt ainakaan jäähyjen takia kannattaisi tuollaista tehdä.

Kahdesta syystä:

1. Jotta tuo ei taipuisi, kuten intelillä.
2. Jotta säilytetään yhteen sopivuus am4 jäähyjen kanssa.

 

[ratkakapu]

Tyhmä kysymys varmaan mutta miksi tuon zen4 IHS täytyy olla noin paksu? Tuskin nyt ainakaan jäähyjen takia kannattaisi tuollaista tehdä.

Jäähdytinyhteensopivuuden takia. Mahdollisesti myös ehkä siksi, ettei kävisi kuten Intelille on viimesukupolvina käynyt, että kanta vetää prossun mutkalle ja tämän vuoksi lämmöt raketoivat.

 

[SatanTwister]

Kahdesta syystä:

1. Jotta tuo ei taipuisi, kuten intelillä.
2. Jotta säilytetään yhteen sopivuus am4 jäähyjen kanssa.

Jäähdytinyhteensopivuuden takia. Mahdollisesti myös ehkä siksi, ettei kävisi kuten Intelille on viimesukupolvina käynyt, että kanta vetää prossun mutkalle ja tämän vuoksi lämmöt raketoivat.

1. Tuo prossu on lähes täydellinen neliö väittäisin että ei samaa ongelmaa niin helposti kuin intelillä.
2. Tässä ei mielestäni ole juurikaan järkeä ellei ole todettu että tuon IHS ohentamisen hyödyt ovat niin pienet että ei kannata.

 

[Later]

Prossun dynaaminen tehonkulus tulee piirin kapasitanssista, jännitteen neliöstä ja siitä kuinka usein piiri keskimäärin vaihtaa tilaansa (kellotaajuus ja se, kuinka usein signaalit togglaa)

Kapasitanssi ei kuluta sähköä. Sähkönkulutuksen täytyy aiheutua metallijohtimien ja kapasitanssia ohjaavien transistorien häviöistä. Kun mennään pienempiin valmistusprosesseihin, metallijohtimille jää yhä vähemmän tilaa eli ne joudutaan tekemään ohuemmiksi, jolloin niiden resistanssi kasvaa. Kun samalla pienempi transistori kuitenkin kuluttaa hieman vähemmän, metallijohtimien osuus dynaamisesta sähkönkulutuksesta tulee suuremmaksi. Metallijohtimien resistanssi kasvaa lineaarisesti neljänneksen huoneenlämmöstä 95 asteeseen. Ja kun resistanssi kasvaa lämpenemisen myötä, se edelleen lämmittää lisää jne.

Staattiseen tehonkulutukseen toki lämpötila hiukan vaikuttaa, mutta tämän vaikutus on kokonaiskuvassa hyvin pieni.

Käsittääkseni vuotovirtojen osuus piirin sähkönkulutuksesta tulee koko ajan suuremmaksi, kun mennään pienempiin valmistusprosesseihin. Lämpötilan kasvu lisää vuotovirtoja, mikä kasvattaa staattista sähkönkulutusta, mikä puolestaan kasvattaa lämpötilaa.

Et oikein tunnu hokaavan tätä "takaisinkytkentää", mikä korkeammilla lämpötiloilla itsessään on. Eikä se koske vain prossupiiriä, ihan koko prossupaketissa sähkönkulutus kasvaa korkeampien lämpötilojen seurauksena, mikä edelleen lisää lämpenemistä jne.

Lämpötila, jolla prossu tai prossun osa taas toimii tulee kokonaistehonkulutuksesta ja siitä, kuinka tehokkaasti lämpöä siirtyy piiriltä tai piirin osalta pois.

Zen4ssa lämpötila on luonnollisesti korkea pääasiassa, koska piiri on niin pieni/piirin eniten kuumiavat osat on niin pieniä, että niiltä piirin pieniltä eniten sähköä kuluttavilta osilta lämpöä siirtyy heikosti pois. (lämmön poistuminen on verrannollinen sekä pinta-alaan että lämpötilaeroon. Kun pinta-ala on pieni, lämpötilaeron pitää olla suuri => tasapainotila jossa lämpöä tuotetaan yhtä paljon kuin poistuu tapahtuu samalla jäähdytyksellä suuremmassa lämpötilassa).

Niin, kun siirtymässä ns. 7 nm valmistusprosessista ns. 5 nm valmistusprosessiin transistoritiheys kasvaa enemmän kuin yksittäisen transistorin sähkönkulutus pienenee, tarkoittaa se sähkönkulutuksen kasvamista pinta-alayksikköä kohti. Tällöin tietenkin itse mikroarkkitehtuuri tulisi suunnitella energiatehokkaammaksi. Jollei parempaan pystytä, kellotaajuuksia tulisi laskea. Nythän on tehty päinvastoin, kellotaajuuksia on jopa nostettu.

Se, että sinne laitettaisiin alempi lämpöraja jonka jälkeen piiri alkaisi rajoittamaan kelloa tarkoittaisi vaan turhaa suorituskyvyn huononemista monen säikeen tapauksesssa.

Näkisin asian niin päin, että nyt korkeilla lämpötiloilla saavutetaan kovalla hinnalla pieni määrä useimmille käyttäjille turhaa monen säikeen suorituskykylisää.

Ja se, kuinka suuriin kellotaajuuksiin piiri pystyy riippuu toimintajännitteen ja transistorien rajajännitteen suhteesta.
Ja se, että sinne laitettaisiin oletuksena alempi toimintajännite tarkoittaisi myös turhaa suorituskyvyn huononemista yhden säikeen tapauksessa, kun kellot olisivat selvästi alemmat.

Lämpötilarajan alentaminen ei mitenkään auttaisi siihen että "jännitteet olisi voitu valita matalammaksi". Siihen auttaisi ainoastaan se, että tavoiteltaisiin matalampaa (yhden säikeen) suorituskykyä eli matalampia maksimikelloja.

Oletin, että tämä aiempi viesti

Samoin on totta, että vuotovirrat prosessorin sisällä kasvavat lämpötilan noustessa, jolloin vaaditaan isompaa jännitettä ettei toiminta häiriinny ja se taas kasvattaa prosessorin lämpötehoa.

olisi pitänyt paikkansa, että jännite asetetaan niin, että prossu toimii vakaasti 95 asteessa kaikkien ytimien rasituksessa, ja on silloin korkeimmillaan. Emolevyjen tehoratkaisu täytyy kuitenkin mitoittaa tämän käyttötilanteen mukaan. Ei sitä jännitettä yhden ytimen kuormituksessa alemmassa lämpötilassa tarvitsisikaan laskea.

 

[hese_e]

1. Tuo prossu on lähes täydellinen neliö väittäisin että ei samaa ongelmaa niin helposti kuin intelillä.

Veikkaisin, että LGA ja PGA soketeissa on hieman eri korkeus, niin IHS:n paksuntaminen on teknisesti parempi ratkaisu, kuin jatkaa johdotuksia soketissa. PCI5 & ddr5 ovat häiriöherkempiä mitä edeltäjänsä, siksi ne emotkin maksavat enemmän, kun on käytettävä parempia osia ja parempaa pcb:tä.

Edit: Taustana, osa-syyksi epäiltiin AM4 jäähyjen yhteensopivuutta ja AM4/AM5 välillä vaihtui sokettityyppikin.

 

[Jarnis]

Voi myös olla että näin jätetään IHSn sisään "tilaa" x3D-kerrosta varten, eli x3D-mallien piipalat voivat olla huoletta paksumpia eikä tule ongelmaa - IHSn sisäpuolelta vain viilataan pois hieman.

Huhu kertoo että AM4 puolella x3D-mallin kanssa oli vaikeuksia saada homma onnistumaan ja normi-diet pääsivät pienelle laihdutuskuurille paksuuden osalta että lisäkerrokset mahtuivat mukaan.

 

[SatanTwister]

Veikkaisin, että LGA ja PGA soketeissa on hieman eri korkeus, niin IHS:n paksuntaminen on teknisesti parempi ratkaisu, kuin jatkaa johdotuksia soketissa. PCI5 & ddr5 ovat häiriöherkempiä mitä edeltäjänsä, siksi ne emotkin maksavat enemmän, kun on käytettävä parempia osia ja parempaa pcb:tä.

Joo mutta pointti on lähinnä se onko se AM4 coolereiden yhteensopivuus tärkeämpi kuin se että prossu käy viileämpänä. Tuossa De8auerin videollahan direct diella lämmöt tippuu yli 20c ja kelloa tulee 100mhz (vai oliko se vain 50 en muista) lisää ilman volttien nostamista ja 100mhz kun 30mV yli kellotus ja lämmöt on silti vain 75c eli tuossa olisi vieläkin lisää kellotusvaraa ennen kuin lämmöt alkaa tulla taas vastaan. Kysyisin että jos allcorea saataisiin ilman direct die edes puolet tuosta hyödystä niin onko se AM4 coolereiden yhteensopivuus tärkeämpi vieläkin?

Toinen asia sitten on paljon tuo minkään paksuinen IHS vaikuttaa tuossa välissä. Jayztwocents jotain höpisi että haluaisi nähdä de8auerila jonkun fake IHS testin jossa välissä on joku ohut spreader ja katsoo paljon se vaikuttaa.

 

[SatanTwister]

Voi myös olla että näin jätetään IHSn sisään "tilaa" x3D-kerrosta varten, eli x3D-mallien piipalat voivat olla huoletta paksumpia eikä tule ongelmaa - IHSn sisäpuolelta vain viilataan pois hieman.

Huhu kertoo että AM4 puolella x3D-mallin kanssa oli vaikeuksia saada homma onnistumaan ja normi-diet pääsivät pienelle laihdutuskuurille paksuuden osalta että lisäkerrokset mahtuivat mukaan.

Tämä on järkevämpi selitys imho.

 

[hese_e]

Tämä on järkevämpi selitys imho.

Varmaan tuo ja yhdistelmä AM4 yhteensopivuutta. Kantaa on tarkoitus tukea useampi vuosi ja tulevat piirit on jo tiedossa, 3D cachehan on nyt huhutussa ensivuoden roadmapissakin.

Toinen on tuo kovan tason simulaatio mitä on tehty, piirien throttlausraja olisi laitettu alemmaksi, jos lämmöt olisi isompi ongelma kestävyydelle.
Throttlaahan ne toisin nytkin, lämmöt on tapissa kaikilla huoneenlämpöiseen ilmaan pohjautuvilla jäähyillä (eli ei puhuta mistään chilleristä/nestetypestä), mutta hyvällä jäähdytyksellä kellot nousee hieman.

 

[weetabix]

Eiväthän ne sinänsä throtlaa vaan käyttävät lämpöbudjettinsa. Hardware unboxed oli testannut noita AMDn perusjäähdyttimiä 7600x:llä ja lämpötila oli tuossa n. sadassa asteessa eikä siitäkään montaa megahertsiä vielä menetetty:

Tämän sisällön näkemiseksi tarvitsemme suostumuksesi kolmannen osapuolen evästeiden hyväksymiseen.
Lisätietoja löydät evästesivultamme.

Hyväksy kolmannen osapuolen evästeet

Toki normikäytössä (eli pelaamisessa) voi heittää huoletta eco-moodin päälle ja vaikka käyttää noita aiemmin prosujen mukana tulevaa jäähdyttimiä jos ei muuta satu olemaan saatavilla kun suorituskyky ei kärsi yhtään.

 

[Tuna-Fish]

Kapasitanssi ei kuluta sähköä.

Nyt menee vähän osaamisesi ulkopuolelle. CMOS-prosessilla jokainen looginen elementti koostuu n-tyypin ja p-tyypin transistorista, jotka kytkevät lähdön joko maahan tai virransyöttöön. Kun transistorin tilaa vaihdetaan, joko sen portti yhdistetään suoraan virransyöttöön, jolloin porttiin kertyy varaus, tai se yhdistetään suoraan maahan, jolloin varaus purkautuu ja tuottaa lämpöä.

Dynaaminen virrankulutus on suoraan transistorien kapasitanssi kertaa kuinka usein tila vaihtuu kertaa jännitteen neliö. Avainsanat jos haluat lukea enemmän on "CMOS dynamic power dissipation".

Käsittääkseni vuotovirtojen osuus piirin sähkönkulutuksesta tulee koko ajan suuremmaksi, kun mennään pienempiin valmistusprosesseihin.

Tämä piti paikkansa ennen siirtymistä finfetteihin. Finfet-prosessilla vuotovirrat ovat käytännössä olemattomia, >90% kulutuksesta tulee dynaamiselta puolelta. Oletettavasti kun transistoreista tehdään pienempiä, vuotovirrat kasvavat kunnes vaihdetaan taas uuteen transistorityyppiin joka tiputtaa vuodot takasin alas.

 

[hkultala]

Kapasitanssi ei kuluta sähköä.

Nyt ei oikein nähdä metsää puilta.

Kondensaattori säilöö sähköä, ja sen sähkön varaaminen ja purkaminen sinne kondensaattoriin tarkoittaa tehonkulutusta.

Piirin sisällä oleva sähkövaraus on suoraan verrannollinen piirin kapasitanssista ja jännitteestä.

Piirin sisällä olevaan sähkövaraukseen sitoutunut energia on suoraan verrannollinen piirin kapasitanssista ja neliöllisesti verrannollinen jännitteen neliöstä.

Piirin dynaaminen sähköteho tulee hyvin pitkälti siitä, kuinka monta kertaa tämä energia pitää aikayksikköä kohden purkaa ja uudelleen ladata.

Sähkönkulutuksen täytyy aiheutua metallijohtimien ja kapasitanssia ohjaavien transistorien häviöistä. Kun mennään pienempiin valmistusprosesseihin, metallijohtimille jää yhä vähemmän tilaa eli ne joudutaan tekemään ohuemmiksi, jolloin niiden resistanssi kasvaa. Kun samalla pienempi transistori kuitenkin kuluttaa hieman vähemmän, metallijohtimien osuus dynaamisesta sähkönkulutuksesta tulee suuremmaksi.

Sen transistorin ja niiden välillä olevien johtojen kapasitanssi myös pienenee valmistustekniikan pienentyessä.

Metallijohtimien resistanssi kasvaa lineaarisesti neljänneksen huoneenlämmöstä 95 asteeseen. Ja kun resistanssi kasvaa lämpenemisen myötä, se edelleen lämmittää lisää jne.

Sen resistanssin vaikutus on lähinnä se, että se sähkövaraus latautuu sinne signaaliin hitaammin, kun signaali nousee tilasta 0 tilaan 1, tai kun se purkautuu sieltä pois kun signaali laskee tilasta 1 tilaan 0.

Käsittääkseni vuotovirtojen osuus piirin sähkönkulutuksesta tulee koko ajan suuremmaksi, kun mennään pienempiin valmistusprosesseihin.

Käsityksesi on virheellinen, koska uusien valmistustekniikoiden myötä on otettu käyttöön tekniikoita, jotka dramaattisesti auttavat vuotovirtaan.

Vuotovirrat oli suurimmillaan jollain TSMCn ja GFn niinsanotulla "20nm" prosessilla(todellinen johtoväli 64nm). Sitten sen jälkeen otettiin käyttöön FinFETit jotka pudottivat vuotovirtoja dramaattisesti. Intel taas otti FinFETit käyttöön jo P1270-prosessissaan (jota markkinamiehet kutsuu feikkinanometriluvulla 22).

Ja kaikilla valmistustekniikoilla voidaan aina valmistaa erilaisia transistoreita - eniten vuotavat ULVT(Ultra Low Voltage Threshold)-solut, jotka ovat nopeimpia, mutta niitä ei ole pakko käyttää. Toki niitä halutaan käyttää sellaisissa paikoissa, jotka ovat nopeuden kannalta kriittisiä, mutta niiden osuus koko piiristä voi olla hyvin pieni, suurin osa piiristä voi käyttää vähemmän vuotavia transistoreita.

Lämpötilan kasvu lisää vuotovirtoja, mikä kasvattaa staattista sähkönkulutusta, mikä puolestaan kasvattaa lämpötilaa.

Staattisen virrankulutuksen osuus virrankulutuksesta on jossain CPUn monen säikeen maksimikulutuksessa (josta eniten tunnut valittavan) todella pientä.

Et oikein tunnu hokaavan tätä "takaisinkytkentää", mikä korkeammilla lämpötiloilla itsessään on. Eikä se koske vain prossupiiriä, ihan koko prossupaketissa sähkönkulutus kasvaa korkeampien lämpötilojen seurauksena, mikä edelleen lisää lämpenemistä jne.

Hoksaan sen oikein hyvin. Sinä sen sijaan et tunnu ymmärtävän kokonaiskuvaa ja kuvittelet ymmärtäväsi näistä asioista enemmän kuin ihmiset joille piirien suunnittelu on ammatti.

Niin, kun siirtymässä ns. 7 nm valmistusprosessista ns. 5 nm valmistusprosessiin

Ei ole mitään todellista 7nm tai 5nm prosessia. On N7-prosessi jolla pienin johtoväli on 40nm ja N5-prosessi jolla pienin johtoväli on jotain n. 30-32nm luokkaa.

transistoritiheys kasvaa enemmän kuin yksittäisen transistorin sähkönkulutus pienenee, tarkoittaa se sähkönkulutuksen kasvamista pinta-alayksikköä kohti. Tällöin tietenkin itse mikroarkkitehtuuri tulisi suunnitella energiatehokkaammaksi.

Ei, vaan tällöin prosessorin luonnollinen toimintalämpötila kasvaa, mutta mitään ei tarvi suunnitella uusiksi. Suuri sähkönkulutus pinta-alaa kohden ja siitä seuraava pieni maksimilämpötilojen nousu ei ole mikään suuri ongelma.

Jollei parempaan pystytä, kellotaajuuksia tulisi laskea. Nythän on tehty päinvastoin, kellotaajuuksia on jopa nostettu.

Kellotaajuuksia voidaan nostaa, koska
1) uusi valmistustekniikka pystyy toimimaan nopeammin.
2) uusi valmistustekniikka on energiatehokkaampi kuin vanha, samalla sähkönkulutuksella voidaan piiriä ajaa suuremmalla kellotaajuudella.

Suorituskyky paranee, mutta pellepelottomat jotka tuijottaa vaan lämpömittarisoftan lukemaa ja pelkää suuria lukuja valittaa.

Siinä, että suorituskykyä täysin turhaan heikennettääisiin vain että suuria lukuja pelkäävät harrastelijat saisivat vähemmän pelättävää ei ole mitään järkeä.

Näkisin asian niin päin, että nyt korkeilla lämpötiloilla saavutetaan kovalla hinnalla pieni määrä useimmille käyttäjille turhaa monen säikeen suorituskykylisää.

Se, että piirin jotkut osat käy kuumempana ja sen näkee vain siitä, että lämpötilamittarisofta näyttää suurempia lukuja ei ole mikään "kova hinta". Päin vastoin, se on hyvin halpa hinta.

Ja sillä, että piiriä käytetään suurehkolla jännitteellä ei ole mitään tekemistä monen säikeen suorituskyvyn kanssa. Siinä on kyse täysin siitä, että tavoitellaan suuria maksimikelloja eli yhden säikeen suorituskykyä

Oletin, että tämä aiempi viesti

olisi pitänyt paikkansa, että jännite asetetaan niin, että prossu toimii vakaasti 95 asteessa kaikkien ytimien rasituksessa, ja on silloin korkeimmillaan. Emolevyjen tehoratkaisu täytyy kuitenkin mitoittaa tämän käyttötilanteen mukaan. Ei sitä jännitettä yhden ytimen kuormituksessa alemmassa lämpötilassa tarvitsisikaan laskea.

Se, mikä jännite tarvitaan riippuu täysin siitä, mitä kellotaajuutta tavoitellaan.

Jännitettä tarvitaan paljon siihen, että saavutetaan korkea maksimikello eli yhden säikeen suorituskyky.

Että sotket nyt ihan täysin
1) yhden säikeen ja monen säikeen suorituskyvyn
2) Lämpötilarajan (eli sen, koska piiri laitetaan throttlaamaan lämpöjen takia) ja jännitteen.

 

[Later]

Nyt menee vähän osaamisesi ulkopuolelle. CMOS-prosessilla jokainen looginen elementti koostuu n-tyypin ja p-tyypin transistorista, jotka kytkevät lähdön joko maahan tai virransyöttöön. Kun transistorin tilaa vaihdetaan, joko sen portti yhdistetään suoraan virransyöttöön, jolloin porttiin kertyy varaus, tai se yhdistetään suoraan maahan, jolloin varaus purkautuu ja tuottaa lämpöä.

Dynaaminen virrankulutus on suoraan transistorien kapasitanssi kertaa kuinka usein tila vaihtuu kertaa jännitteen neliö. Avainsanat jos haluat lukea enemmän on "CMOS dynamic power dissipation".

Sähkönkulutus täytyy kuitenkin tapahtua kapasitanssia varatessa ja purkaessa. Metallijohtimissa tapahtuva jännitehäviö näkyy siten korkeampana jännitteenä.

Tämä piti paikkansa ennen siirtymistä finfetteihin. Finfet-prosessilla vuotovirrat ovat käytännössä olemattomia, >90% kulutuksesta tulee dynaamiselta puolelta. Oletettavasti kun transistoreista tehdään pienempiä, vuotovirrat kasvavat kunnes vaihdetaan taas uuteen transistorityyppiin joka tiputtaa vuodot takasin alas.

Jännitteet ja lämpötilat prosessoreissa ovat aika lailla muuta kuin piireissä, joilla puolijohdetalot valmistusprosessejaan demoavat. Nopealla googlauksella vuotovirrat kasvavat eksponentiaalisesti lämpötilan funktiona.

 

[hkultala]

Jännitteet ja lämpötilat prosessoreissa ovat aika lailla muuta kuin piireissä, joilla puolijohdetalot valmistusprosessejaan demoavat.

... ja nimenomaan siihen suuntaan, että CPUissa ja GPUissa sen dynaamisen kulutuksen osuus on suhteessa paljon suurempi kuin monilla muilla piireillä.

Vuotovirroilla on paljon väliä sulautetuissa piireissä, joita käytetään laitteissa jotka toimii pienellä akulla/patterilla ja keskimääräinen kuormitus on todella pientä.

CPUn esim 100 watin dynaamisen virrankulutuksen rinnalla joku 5 watin vuotovirta ei merkittävästi tunnu, mutta sulautetun akusta virtansa saavan piirin muutaman watin kulutuksessa parinkin watin vuotovirta tuntuu todella merkittävästi.

 

[peikko763]

Mitä tuo 5nm varsinaisesti tarkoittaa ? eikö se tarkoita pienintä viivaleveyttä prosessorissa. Olisi kyllä sillain jännä juttu, jos pienin viivaleveys onkin paljon suurempi tuota. Vaikka johtoleveys olisikin paljon suurempi kuin tuo. Tästä olisi mielenkiintoista päästä katsomaan jotain kuvia tai artikkeleitakin. Mielekiintoinen juttu sinänsä. Linkatkaa jotain, jos tulee mieleen.
Tälläisen olen löytänyt tuosta ainakin :

A Better Way to Measure Progress in Semiconductors

It’s time to throw out the old Moore’s Law metric

spectrum.ieee.org

 

[laamanaator]

Mitä tuo 5nm varsinaisesti tarkoittaa ? eikö se tarkoita pienintä viivaleveyttä prosessorissa. Olisi kyllä sillain jännä juttu, jos pienin viivaleveys onkin paljon suurempi tuota.

Markkinointiluku, ei mitään fyysistä merkitystä. Varmaan jossain "90nm" prosessissa on tainnut vastata sinnepäin jotain oikeaa prosessin mittaa.

 

[kajakkivajakki]

Se on semmosta, markkinointimiehet osaa hommansa.
Aikoinaan myitiin jotain roadstarin autostereoita tyyliin 500w teholla, luvussa oli mukana kaiuttimien maksimipiikkikesto, aparaatin lähtöteho kerrottuna kymmenellä ja luultavasti vielä se teho mitä markkinoija kulutti pohtiessaan kuinka lukua saisi isommaksi

 

[aleksejjj]

Mitä tuo 5nm varsinaisesti tarkoittaa ? eikö se tarkoita pienintä viivaleveyttä prosessorissa. Olisi kyllä sillain jännä juttu, jos pienin viivaleveys onkin paljon suurempi tuota.

Tuo luku on ihan puhdas markkinointikikka. Ei mitään tekemistä minkään transistorin osan oikean koon kanssa. Kannattaa käyttää lainausmerkkejä kun puhutaan näistä "viivanleveyksistä". Esim. "5 nanometrin" luokan piireissä todelliset koot taitavat olla tyyliin 22 nanometriä, jos en väärin muista. Ainakaan kymmeneen vuoteen tuo markkinointiluku ei ole kertonut mitään transistorien koosta rehellisesti. Esimerkiksi Intel aiemmin työskenteli "10 nanometrin" prosessin kanssa pitkään ja sillä oli vaikeuksia saada se tuotantokuntoon, kun hyppäys "14nm" pienempään kokoon oli liian kunnianhimoinen tavoite. Intel tajusi, että kilpailijat Samsung ja TSMC valehtelevat enemmän kuin he, joten Intel päätti uudelleennimetä tuon "10nm" prosessin "Intel 7":ksi. Ja tuleva aiemmin "7nm:n" nimeä kantava prosessi nimettiin "Intel 4:ksi". Toisin sanoen, Intel aiemmin valehteli muita vähemmän näissä prosessien "kehitystä" kuvaavissa nimissä.

Tuolta kannattaa käydä lukemassa tarkemmin esimerkiksi "Intel 7" -prosessista:

7 nm lithography process - WikiChip

The 7 nanometer (7 nm) lithography process is a technology node semiconductor manufacturing process following the 10 nm process node. Mass production of integrated circuit fabricated using a 7 nm process began in 2018. The process technology will be phased out by leading-edge foundries by...

en.wikichip.org

EDIT: Sori offtopicista

 

[Mechanical Man]

Sähkönkulutus täytyy kuitenkin tapahtua kapasitanssia varatessa ja purkaessa. Metallijohtimissa tapahtuva jännitehäviö näkyy siten korkeampana jännitteenä.

...

Ja kapasitanssi vaikuttaa siihen paljonko sitä virtaa sinne pitää saada, että jännite nousee tarpeeksi suureksi. Sillä on siis suuri merkitys vaikka ei toki sinänsä reaktanssina näykään.

 

[peikko763]

Tuo luku on ihan puhdas markkinointikikka. Ei mitään tekemistä minkään transistorin osan oikean koon kanssa. Kannattaa käyttää lainausmerkkejä kun puhutaan näistä "viivanleveyksistä". Esim. "5 nanometrin" luokan piireissä todelliset koot taitavat olla tyyliin 22 nanometriä, jos en väärin muista. Ainakaan kymmeneen vuoteen tuo markkinointiluku ei ole kertonut mitään transistorien koosta rehellisesti. Esimerkiksi Intel aiemmin työskenteli "10 nanometrin" prosessin kanssa pitkään ja sillä oli vaikeuksia saada se tuotantokuntoon, kun hyppäys "14nm" pienempään kokoon oli liian kunnianhimoinen tavoite. Intel tajusi, että kilpailijat Samsung ja TSMC valehtelevat enemmän kuin he, joten Intel päätti uudelleennimetä tuon "10nm" prosessin "Intel 7":ksi. Ja tuleva aiemmin "7nm:n" nimeä kantava prosessi nimettiin "Intel 4:ksi". Toisin sanoen, Intel aiemmin valehteli muita vähemmän näissä prosessien "kehitystä" kuvaavissa nimissä.

Tuolta kannattaa käydä lukemassa tarkemmin esimerkiksi "Intel 7" -prosessista:

7 nm lithography process - WikiChip

The 7 nanometer (7 nm) lithography process is a technology node semiconductor manufacturing process following the 10 nm process node. Mass production of integrated circuit fabricated using a 7 nm process began in 2018. The process technology will be phased out by leading-edge foundries by...

en.wikichip.org

EDIT: Sori offtopicista

Osaatko sanoa onko Intel vai Amd kumpi edellä valmistustekniikassa. Kummalla on enemmän transistoreita neliömillimetriä kohti. Luulisi että eroavaisuudet eivät ole merkittävän suuria kun nopeustesteissä niin lähellä toisiaan tällä hetkellä.

 

[aleksejjj]

Osaatko sanoa onko Intel vai Amd kumpi edellä valmistustekniikassa. Kummalla on enemmän transistoreita neliömillimetriä kohti. Luulisi että eroavaisuudet eivät ole merkittävän suuria kun nopeustesteissä niin lähellä toisiaan tällä hetkellä.

@hkultala osaa paremmin vastata tuohon. Käsittääkseni nyt Intel ja AMD ovat melko tasaväkisiä tämän suhteen.

 

[hsalonen]

@hkultala osaa paremmin vastata tuohon. Käsittääkseni nyt Intel ja AMD ovat melko tasaväkisiä tämän suhteen.

Ei ole. Intel käyttää Intel 7 , joka on uudelleennimetty 10nm, ja AMD TSMC:n 5nm. Pieniä markkinointimiesten eroja tässä on , mutta AMD:lla on pienemmän prosessin edut tässä.

--

Tuolla on hyvin selitetty:

Comparison of TSMC, Intel, and Samsung’s new process roadmaps for future chips

Comparison of TSMC, Intel, and Samsung’s new process roadmaps for future chips

www.granitefirm.com

Käytännössä Intel on generaation jäljessä.

 

[MOS6510]

Ei ole. Intel käyttää Intel 7 , joka on uudelleennimetty 10nm, ja AMD TSMC:n 5nm. Pieniä markkinointimiesten eroja tässä on , mutta AMD:lla pienemmän prosessin edut tässä.

Tuossa omassa linkissäsi on tiheystaulukko lopussa. Siitä selviää, että Intel 7 on tiheydeltään jokseenkin identtinen TSMC:n 5 nm prosessin kanssa.

 

[hsalonen]

Tuossa omassa linkissäsi on tiheystaulukko lopussa. Siitä selviää, että Intel 7 on tiheydeltään jokseenkin identtinen TSMC:n 5 nm prosessin kanssa.

Luet sitä väärin. Intel 7 on sillä rivillä, jossa lukee 10nm.

Intel Now Packs 100 Million Transistors in Each Square Millimeter

This week, Intel revealed more about its 10 nm technology, which it says leads the industry by years

spectrum.ieee.org

 

[thaimonen]

Millonkas nuo AM5 B650E emot on tulossa kauppojen hyllylle?

 

[hsalonen]

Millonkas nuo AM5 B650E emot on tulossa kauppojen hyllylle?

Varmaan tänään illalla tulee listoille. Hyllysaatavuudesta ei ole huhuja, mutta B650-julkaisupäivä on tänään. Olemme vaan niin monta tuntia Jenkkejä edellä, että siellä on vasta päivä vaihtumassa.

 

[thaimonen]

Rupesin jo inteliä tässä miettimään 13700K, mutta jos nuo "edullisemmat" amd tässä tulee, niin jotenkin 7700x houkuttaisi ja sit, kun amd tulee useamman sukupolven tukikin samalla. Intelillä taas vaan enää tämä nykyinen.

 

[hsalonen]

Varmaan tänään illalla tulee listoille. Hyllysaatavuudesta ei ole huhuja, mutta B650-julkaisupäivä on tänään. Olemme vaan niin monta tuntia Jenkkejä edellä, että siellä on vasta päivä vaihtumassa.

Vielä ei näy missään. Hinnatkin on jo vuotaneet osittain, niin miksi ei?

Esimerkki tuoreesta hintavuodosta:

MSI AMD B650 motherboard pricing leaks out, starts at 189 USD - VideoCardz.com

MSI B650 motherboards cost at least 189 USD Coming soon to mid-range AMD builds, the B650 series from MSI. MSI AMD B650 series, Source: MSI It looks like the vast majority of the MSI B650 lineup will cost more than 200 USD. The cheapest AMD B650 motherboard from MSI will cost 189 USD, that’s...

videocardz.com

--

Valmistajien sivuillekin on päivitetty B650- ja B650E -mallit.. Missä ne on kaupoista?

 

[thaimonen]

Vielä ei näy missään. Hinnatkin on jo vuotaneet osittain, niin miksi ei?

Esimerkki tuoreesta hintavuodosta:

MSI AMD B650 motherboard pricing leaks out, starts at 189 USD - VideoCardz.com

MSI B650 motherboards cost at least 189 USD Coming soon to mid-range AMD builds, the B650 series from MSI. MSI AMD B650 series, Source: MSI It looks like the vast majority of the MSI B650 lineup will cost more than 200 USD. The cheapest AMD B650 motherboard from MSI will cost 189 USD, that’s...

videocardz.com

--

Valmistajien sivuillekin on päivitetty B650- ja B650E -mallit.. Missä ne on kaupoista?

Joo 200€ emot kyllä kiinnostas. Ei nuita 350-400€ emoja, niin innosta ostaa.

 

[Hellsinki]

ZEN 4 oli kyllä todella onneton päivitys. IPC on vain 3prosenttia nopeampi ZEN3 verrattuna. Lisäteho on otettu aivan jäätävällä ylikellotuksella. Sähköä palaa ja julmetun kallista päivittää

AMD Ryzen 9 7950X review

The year is 2022, and the Ryzen iteration ZEN4 has arrived. in this review, we test and benchmark the AMD Ryzen 9 7950X. Loaded with 16 CPU cores on that updated processor architecture and an entirel... Performance - IPC

www.guru3d.com

 

[thaimonen]

Onhan tuossa ihan kovat boostit single coreenkin.

 

[Tuna-Fish]

ZEN 5 oli kyllä todella onneton päivitys. IPC on vain 3prosenttia nopeampi ZEN4 verrattuna. Lisäteho on otettu aivan jäätävällä ylikellotuksella. Sähköä palaa ja julmetun kallista päivittää

Zen4, ei Zen5.

Ja vain 3% enemmän IPC:tä Cinebenchissä. Monimutkaisemmilla kuormilla tulee paljonkin enemmän.

 

[hkultala]

ZEN 4 oli kyllä todella onneton päivitys. IPC on vain 3prosenttia nopeampi ZEN3 verrattuna.

... YHDELLÄ antiikkisella testisoftalla, joka ei käytä edes 11 vuotta vanhaa käskykantalaajennosta, vaan vain sitä vanhempia. Ja kyseessä vielä softa, josta on tullut ulos uudempia, paremmin optimoituja versioista, ja silti testisite käyttää tuota antiikkista versiota, vaikka tuotantokäytössä sitä ei ole vuosiin käytetty.

Ja IPC on eri asia kuin suorituskyky.

Zen4 toimii paljon suuremmalla kellolla kuin zen3 joten suorituskyky on paljon parempi.

Ja softilla, joilla AVX512 on tuettu ero kasvaa entisestään.

Lisäteho on otettu aivan jäätävällä ylikellotuksella.

Puhdasta paskapuhetta. Ei se ole mitään ylikellotusta vaan uudemman valmistustekniikan mahdollistamaa kellotaajuuksien nostoa.

Suosittelisin opettelemaan, mitä sana "ylikellotus" tarkoittaa.

Sähköä palaa ja julmetun kallista päivittää

Höpöhöpö.

Saman suorituskyvyn saa zen4sta paljon pienemmällä sähkönkulutuksella kuin aiemmista prossuista.

Se, että on myös sen lisäksi mahdollisuus saada selvästi parempi suorituskyky käyttämällä enemmän sähköä ei ole huono asia.

 

[Makikou]

ZEN 4 oli kyllä todella onneton päivitys. IPC on vain 3prosenttia nopeampi ZEN3 verrattuna. Lisäteho on otettu aivan jäätävällä ylikellotuksella. Sähköä palaa ja julmetun kallista päivittää

AMD Ryzen 9 7950X review

The year is 2022, and the Ryzen iteration ZEN4 has arrived. in this review, we test and benchmark the AMD Ryzen 9 7950X. Loaded with 16 CPU cores on that updated processor architecture and an entirel... Performance - IPC

www.guru3d.com

Osasit katsoa graafia mutta et sen yllä olevaa tekstiä?

Coming from the Ryzen 9 5950X (Vermeer), we see an increase of 13% in IPC over last gen, exactly what AMD claimed it to be.

 

[JiiPee]

ZEN 4 oli kyllä todella onneton päivitys. IPC on vain 3prosenttia nopeampi ZEN3 verrattuna. Lisäteho on otettu aivan jäätävällä ylikellotuksella. Sähköä palaa ja julmetun kallista päivittää

AMD Ryzen 9 7950X review

The year is 2022, and the Ryzen iteration ZEN4 has arrived. in this review, we test and benchmark the AMD Ryzen 9 7950X. Loaded with 16 CPU cores on that updated processor architecture and an entirel... Performance - IPC

www.guru3d.com

Yksi testi ei kerro kaikkea.

Tuota AMD:n diaa ei käsittääkseni kukaan ole haastanut, paitsi sen osalta että siinä on sekaisin ST että MT ajoja. Mutta siellä on esim. geekbench ST +14%

EDIT: Phoronix tehny jonkinverran AVX-512 testausta.

AMD Zen 4 AVX-512 Performance Analysis On The Ryzen 9 7950X Review - Phoronix

www.phoronix.com

Keskimäärin 59% parannusta verrattuna AVX2 ajoihin. Eikä kelloissa ja kulutuksessa ollut mitään merkittäviä muutoksia joten tämän AVX-512 toteutuksen kanssa ei ole sitä ongelmaa joka Intelin toteutuksessa aikoinaan oli että kuorman piti olla ainoastaan AVX-512 kuormaa, jos oli sekakäyttöä niin suorituskyky tunkkasi pahasti koska kellot tiputettiin sen AVX-512 takia paljon alemmas josta kärsi sitten se ei AVX-512 kuorma.

Eli jos verrataan vaikka 5950X (AVX2) vs. 7950X (AVX-512) niin eiköhän tuossa vertailussa olla tupla tehoissa jossain tapauksissa pitkälti ylittekin samalla core määrällä. Että se miten hyvä/huono Zen 4 on riippuu siitä mitä se käyttö on.

 

[Mechanical Man]

Yksi testi ei kerro kaikkea.

Tuota AMD:n diaa ei käsittääkseni kukaan ole haastanut, paitsi sen osalta että siinä on sekaisin ST että MT ajoja. Mutta siellä on esim. geekbench ST +14%

EDIT: Phoronix tehny jonkinverran AVX-512 testausta.

AMD Zen 4 AVX-512 Performance Analysis On The Ryzen 9 7950X Review - Phoronix

www.phoronix.com

Keskimäärin 59% parannusta verrattuna AVX2 ajoihin. Eikä kelloissa ja kulutuksessa ollut mitään merkittäviä muutoksia joten tämän AVX-512 toteutuksen kanssa ei ole sitä ongelmaa joka Intelin toteutuksessa aikoinaan oli että kuorman piti olla ainoastaan AVX-512 kuormaa, jos oli sekakäyttöä niin suorituskyky tunkkasi pahasti koska kellot tiputettiin sen AVX-512 takia paljon alemmas josta kärsi sitten se ei AVX-512 kuorma.

Eli jos verrataan vaikka 5950X (AVX2) vs. 7950X (AVX-512) niin eiköhän tuossa vertailussa olla tupla tehoissa jossain tapauksissa pitkälti ylittekin samalla core määrällä. Että se miten hyvä/huono Zen 4 on riippuu siitä mitä se käyttö on.

Jossain tuosta olikin AMD maininnut, että täysleveä AVX-512 kuluttaa suhteettoman paljon virtaa joka johtaisi myös AMD:llä kellojen tiputukseen. Käytännössä siis tämä "puolikas" toteutus siis ei ole puolet hitaampi kuin täysleveä kun kellot voidaan pitää täysillä.

Mielenkiintoista nähdä tuleeko intel tekemään saman vai ei. Siis mikäli nyt tuovat koko AVX512 takaisin kuluttajamarkkinoille..

 

[Later]

Nyt ei oikein nähdä metsää puilta.

Kondensaattori säilöö sähköä, ja sen sähkön varaaminen ja purkaminen sinne kondensaattoriin tarkoittaa tehonkulutusta.

Piirin sisällä oleva sähkövaraus on suoraan verrannollinen piirin kapasitanssista ja jännitteestä.

Piirin sisällä olevaan sähkövaraukseen sitoutunut energia on suoraan verrannollinen piirin kapasitanssista ja neliöllisesti verrannollinen jännitteen neliöstä.

Piirin dynaaminen sähköteho tulee hyvin pitkälti siitä, kuinka monta kertaa tämä energia pitää aikayksikköä kohden purkaa ja uudelleen ladata.

Joo, mutta kapasitanssi on mitä on, siihen ei voi ulkoapäin enää vaikuttaa. Jännitteet ja kellotaajuudet voidaan säätää järkevästi niin, etteivät lämpötila ja sähkönkulutus karkaa järjettömiksi. Nyt näin ei ole tehty.

Eikö tuo kapasitanssi muutenkin tarkoita suomeksi sanottua lähinnä, että suurempi määrä transistoreja kuluttaa enemmän sähköä. Ja sitä pyritään vähentämään niin, ettei jokainen transistori vaihda tilaansa joka kellojaksolla. Tällöin vuotovirroilla on merkitystä.

Staattisen virrankulutuksen osuus virrankulutuksesta on jossain CPUn monen säikeen maksimikulutuksessa (josta eniten tunnut valittavan) todella pientä.

Mää valitan aina kaikesta, mutta sähkönkulutuksesta kuuluukin olla huolissaan ihan joka tilanteessa.

Ei ole mitään todellista 7nm tai 5nm prosessia. On N7-prosessi jolla pienin johtoväli on 40nm ja N5-prosessi jolla pienin johtoväli on jotain n. 30-32nm luokkaa.

Lyhenne ns. tarkoittaa niin sanottua.

Ei, vaan tällöin prosessorin luonnollinen toimintalämpötila kasvaa, mutta mitään ei tarvi suunnitella uusiksi. Suuri sähkönkulutus pinta-alaa kohden ja siitä seuraava pieni maksimilämpötilojen nousu ei ole mikään suuri ongelma.

Kellotaajuuksia voidaan nostaa, koska
1) uusi valmistustekniikka pystyy toimimaan nopeammin.
2) uusi valmistustekniikka on energiatehokkaampi kuin vanha, samalla sähkönkulutuksella voidaan piiriä ajaa suuremmalla kellotaajuudella.

Pitkällä aikavälillä prossujen koot tuppaavat pysymään muuttumattomina. Jos sähkönkulutus halutaan pitää samana, myös lämmöntuotto pinta-alayksikköä kohti täytyy pysyä muuttumattomana. Tämän pitäisi olla siis piirinsuunnittelun lähtökohta. Itse en ainakaan tykkää nykysuuntauksesta, että näytönohjainten ja prosessorien sähkönkulutus vain kasvaa jatkuvasti.

Ok, nyt piirien koot hieman pienenivät, joten kellotaajuksien laskeminen ei ollut tarpeellista, mutta mielestäni se N5:n tarjoama energiatehokkuuden paraneminen olisi ollut paljon parempi käyttää sähkönkulutuksen alentamiseen. Nythän tilanne on absurdi: valmistusprosessit kehittyivät, piirien koot pienenivät, ydinmäärät pysyivät samoina, mutta niistä huolimatta prossujen tdp kasvoi merkittävästi. Katastrofisuoritus!

Se, että piirin jotkut osat käy kuumempana ja sen näkee vain siitä, että lämpötilamittarisofta näyttää suurempia lukuja ei ole mikään "kova hinta". Päin vastoin, se on hyvin halpa hinta.

No, ainakin emolevyillä on kova hinta, eikä halpa hinta. Sähkölläkin on aika kova hinta.

Ja sillä, että piiriä käytetään suurehkolla jännitteellä ei ole mitään tekemistä monen säikeen suorituskyvyn kanssa. Siinä on kyse täysin siitä, että tavoitellaan suuria maksimikelloja eli yhden säikeen suorituskykyä

Se, mikä jännite tarvitaan riippuu täysin siitä, mitä kellotaajuutta tavoitellaan.

Jännitettä tarvitaan paljon siihen, että saavutetaan korkea maksimikello eli yhden säikeen suorituskyky.

Että sotket nyt ihan täysin
1) yhden säikeen ja monen säikeen suorituskyvyn
2) Lämpötilarajan (eli sen, koska piiri laitetaan throttlaamaan lämpöjen takia) ja jännitteen.

Sittenhän nimenomaan olisi ollut järkeä asettaa alemmat lämpötilarajat, kuten aiemmin esitin. Tällöin jännite olisi alempi vain siinä kaikkein eniten sähköä kuluttavassa tilanteessa. Yhden säikeen suorituskykyyn se ei olisi vaikuttanut, kun lämpötila ei nouse yhtä korkeaksi, sähkönkulutuksen maksimia olisi saatu paljon alas, ja emolevyt olisivat halvempia.

 

[Taneli-]

Pitkällä aikavälillä prossujen koot tuppaavat pysymään muuttumattomina. Jos sähkönkulutus halutaan pitää samana, myös lämmöntuotto pinta-alayksikköä kohti täytyy pysyä muuttumattomana. Tämän pitäisi olla siis piirinsuunnittelun lähtökohta.

Toisaalta jos pitkällä aikavälillä tarkastellaan asiaa niin mitä pitäisi sitten tapahtua prosessorin nopeudelle? Eli kun 8086 nopeus oli sen 5 MHz ja 10 MHz ja jäähdytykseen riitti oikein hyvin passiivinen jäähdytys niin moniko sitten oikeasti nykyaikana ostaisi sellaista prosessoria missä olisi 100% passivinen jäähdytys ja vaikka jopa 100% enemmän nopeutta (eli 500 - 1000MHz) ehkä myös useampia kuin yksi ydin?

Epäilen että suurin osa ihmisistä ei vain olisi tyytyväisiä jos mentäisiin takaisin aikaan milloin oli erillinen 2D ja 3D kortti, tietysti kaikki olivat passiivijäähdytteisiä ja prosessori myös. Vaikka ne veisivät nykyisellä teknologialla rakennettuina vähemmän virtaa tai vaikka samankin verran mutta olisivat silti tehokkaampia kuin 70 ja 80-luvun esikuvansa?

 

[Later]

Puhelimet, tabletit, kannettavat. Kyllähän niitä passiivisesti jäähdytettäviä tietokoneita varsin moni ostaa.

Nämä ovat tietenkin mieltymyksiä ja riippuvat tarpeista. Omasta puolestani voin sanoa, että työpöytäprosessorit ovat jo vuosia sitten olleet tarpeeksi nopeita. Mies kuitenkin vain hidastuu ajan myötä. Sen sijaan tietokoneet ovat kookkaita, painavia, meluisia ja kuumenevia. Uusien mikroarkkitehtuurien ja valmistusprosessien tulisi tähdätä siihen, miten tietokoneen käytöstä saataisiin näiltä osin miellyttävämpää, sen sijaan että kellotaajuutta tai ydinmäärää vielä entisestään yritettäisiin kasvattaa.

Menestystä ei kuitenkaan määrittele minun neuroosini kasata mahdollisimman pieni ja hiljainen tietokone, vaan myynnit. Toistaiseksi uusi alusta ei ole saanut järin innostunutta vastaanottoa. Kyllä mää näkisin, että AMD:n viime vuosien menestystä on paljon selittänyt halvemmat emolevyt ja alhaisempi tarve jäähdytykselle ja powerille kuin kilpailevilla Rocket Lake ja Alder Lake -alustoilla. Jos uusien prossujen myynnit jäävät tavoitteista kuluttajien mielestä liian kalliiden emolevyjen vuoksi, kritiikki kasvaneesta sähkönkulutuksesta osuu täysin oikeaan.