- Liittynyt
- 20.10.2016
- Viestejä
- 4 547
Täältä löytyvällä videolla kerrotaan miten tuo tehdään:
The added information explains that there is no usage of microbumps - instead, there is a perfect alignment between the bottom layer (with the CCX) and the top layer (the L3 cache) which enables the bonding process to occur naturally via the TSVs (Through Silicon Vias) already present in the silicon, in a zero-gap manner, between both halves of the CPU-cache sandwich. To enable this, AMD flipped the CCX upside down (the core complex now faces the bottom of the chip, instead of the top), shaved 95% of the silicon on top of the upside-down core complexes, and then attaches the 3D V-Cache chips on top of this formation. This also has the added bonus of decreasing the distance between the L3 cache and the CCX (the distance between both in the Z axis is around 1,000 times smaller than if the L3 cache was deployed in the classical X axis), which decreases power consumption, temperatures, and latency, allowing for further increases to system performance.
Kuvina:
Tässä jää vähän epäselväksi, onko tuo bondattu CPU/Cache -piiri sen 20 mikrometriä alkuperäistä paksumpi, mutta se nyt hukkuu viimeistään koteloinnin kohinaan.
Etuna tässä on vielä se, että CPU:n ja L3-välimuistipiirin etäisyys pienenee tuhannesosaan normaaliratkaisusta, mikä mahdollistaa pienemmän signaalin kohinan ja merkittävästi lyhemmät viipeet sekä pienentää virrankulutusta ja lämpöä.
AMD Shares New Details on Their 3D V-Cache Tech for Zen 3+
AMD via its official YouTube has shared a video that goes into slightly more detail on their usage of V-Cache on the upcoming Zen 3+ CPUs. Firstly demoed to the public on AMD's Computex 2021 event, the 3D V-Cache leverages TSMC's SoIC stacking technology, which enables silicon developments along...
www.techpowerup.com
Kuvina:
Tässä jää vähän epäselväksi, onko tuo bondattu CPU/Cache -piiri sen 20 mikrometriä alkuperäistä paksumpi, mutta se nyt hukkuu viimeistään koteloinnin kohinaan.
Etuna tässä on vielä se, että CPU:n ja L3-välimuistipiirin etäisyys pienenee tuhannesosaan normaaliratkaisusta, mikä mahdollistaa pienemmän signaalin kohinan ja merkittävästi lyhemmät viipeet sekä pienentää virrankulutusta ja lämpöä.