Samsung julkisti mullistavaksi luvatun a-BN 2D-materiaalin eristeeksi piisiruihin

Kaotik

Banhammer
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
14.10.2016
Viestejä
13 592
Samsung Advanced Institute of Technology on julkistanut yhteistyssä Ulsan National Institute of Science and Technologyn ja Cambridgen yliopiston kanssa uuden amorfisen boori nitridin, uuden 2D-materiaalin. Sen kerrotaan olevan erittäin tehokas sähköisten häiriöiden minimoinnissa ja soveltuvan käytettäväksi yhdessä grafeenin kanssa tulevaisuuden piisiruissa. Aine keksittiin ilmeisesti vahingossa tutkijoiden työskennellessä valkoisen grafeenin parissa.

Lähteet:
 
Liittynyt
14.12.2016
Viestejä
1 997
Hmm... mielenkiintoista. Eli sähköisiä elementtejä voidaan nyt tunkea vieläkin lähemmäksi toisiaan?
 
Liittynyt
10.02.2017
Viestejä
100
Ehkä epäsuorasti tehonkulutuksen vuoksi elementtejä voidaan kytkeä lähemmäskin.

Mutta tämä vaikuttaa ensisijaisesti tehonkulutukseen ja signaalin nousunopeuteen pienilläkin virroilla.

Tämä vähentää siirtolinjojen kapasitiivista kuormaa, eli tarvitaan pienempi sähkövaraus saman jännitetason saavuttamiseen. -> tehonkulutus pienenee

EDIT: Näköjään Samsungin tekstissä viitataan pienempään kytkeytymiseen linjojen välillä. Se tapahtuu ilmeisesti samasta syystä. Linjojen välinen kapasitanssi pienenee kun välissä on pienen permittiivisyyden materiaalia.
 

Marti77

Team H2O
Liittynyt
16.12.2016
Viestejä
2 246
Koitin katsoa onko tämä uusi materiaali hintatasoltaan sama mutta en löytänyt siihen mitään liittyvää kirjoitusta kun se usein on se kompastuskivi kuinka nopeasti se otetaan käyttöön.
 
Liittynyt
23.02.2017
Viestejä
409
Amorfisesta boori nitridi löytyy googlen tieteellisistä artikkeleistä jo vuonna -89. Joten Samsung ei keksinyt pyörää uudestaan. Varmasti puolijohde käytössä yhdiste on uusi. Erityisesti kiteiset boori nitridit ovat olleet vuosikymmenten aikana erityisen tutkimuksen kohteena useissa maissa. Tarve uusille materiaaleille lastuavassa työstössä on ollut suuri.
 

Kaotik

Banhammer
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
14.10.2016
Viestejä
13 592
Amorfisesta boori nitridi löytyy googlen tieteellisistä artikkeleistä jo vuonna -89. Joten Samsung ei keksinyt pyörää uudestaan. Varmasti puolijohde käytössä yhdiste on uusi. Erityisesti kiteiset boori nitridit ovat olleet vuosikymmenten aikana erityisen tutkimuksen kohteena useissa maissa. Tarve uusille materiaaleille lastuavassa työstössä on ollut suuri.
Onko ne saatu aiemmin 2D-muotoon (eli atomit yhdessä kerroksessa)? En siis kiistä tai puolla ollenkaan Samsungin väitteitä, ei itsellä riitä näiden settien tuntemus millään tasolla sellaiseen.
 
Liittynyt
23.02.2017
Viestejä
409
Atomic layer deposition (ALD) menetelmällä kyllä onnistuu molekyylikerros kerrallaan. Pinnoite on homogeenisempi kuin esim kemiallisella tai fysikaalisella kaasufaasi menetelmällä. Näin siis lastuavissa työkaluissa. Tässä ALD kehityksessä on suomalaisilla tohtoreilla ollut iso panos.
Dr. Tuomo Suntola received the 2018 Millennium Technology Prize for his technology of atomic layer deposition (ALD) that enables manufacture of nanoscale thin material layers for microprocessors and digital memory devices.
 

njake

get string from object
Liittynyt
17.10.2016
Viestejä
567
Mielenkiintoisia nämä uudet materiaalit, jotka parantaa ominaisuuksia.
Esim. Gallium Nitride, jota on jo uusissa powereissa käytetty, parantaa hyötysuhdetta kummasti. Tämä tulee myös D-Luokan vahvistimia parantamaan ja pienentämään entisestään.

Diodit on myös kehittyneet älykkääksi siitä, että ne vain päästäisi tyhmästi myötäsuuntaista virtaa lävitseen ja lämpenisi kynnysjätteensä takia.
 
Toggle Sidebar

Uusimmat viestit

Statistiikka

Viestiketjut
95 743
Viestejä
1 923 020
Jäsenet
40 546
Uusin jäsen
Porvarinen

Hinta.fi

Ylös Bottom