Samsung julkisti mullistavaksi luvatun a-BN 2D-materiaalin eristeeksi piisiruihin

[Kaotik]

Samsung Advanced Institute of Technology on julkistanut yhteistyssä Ulsan National Institute of Science and Technologyn ja Cambridgen yliopiston kanssa uuden amorfisen boori nitridin, uuden 2D-materiaalin. Sen kerrotaan olevan erittäin tehokas sähköisten häiriöiden minimoinnissa ja soveltuvan käytettäväksi yhdessä grafeenin kanssa tulevaisuuden piisiruissa. Aine keksittiin ilmeisesti vahingossa tutkijoiden työskennellessä valkoisen grafeenin parissa.

Lähteet:

Samsung Leads Semiconductor Paradigm Shift with New Material Discovery

Researchers at the Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) have unveiled the discovery of a new material, called amorphous boron nitride (a-BN), in

news.samsung.com

Ultralow-dielectric-constant amorphous boron nitride - Nature

Thin films of amorphous boron nitride are mechanically and electrically robust, prevent diffusion of metal atoms into semiconductors and have ultralow dielectric constants that exceed current recommendations for high-performance electronics.

www.nature.com

 

[Hannibal]

Hmm... mielenkiintoista. Eli sähköisiä elementtejä voidaan nyt tunkea vieläkin lähemmäksi toisiaan?

 

[Astire]

Ehkä epäsuorasti tehonkulutuksen vuoksi elementtejä voidaan kytkeä lähemmäskin.

Mutta tämä vaikuttaa ensisijaisesti tehonkulutukseen ja signaalin nousunopeuteen pienilläkin virroilla.

Tämä vähentää siirtolinjojen kapasitiivista kuormaa, eli tarvitaan pienempi sähkövaraus saman jännitetason saavuttamiseen. -> tehonkulutus pienenee

EDIT: Näköjään Samsungin tekstissä viitataan pienempään kytkeytymiseen linjojen välillä. Se tapahtuu ilmeisesti samasta syystä. Linjojen välinen kapasitanssi pienenee kun välissä on pienen permittiivisyyden materiaalia.

 

[Marti77]

Koitin katsoa onko tämä uusi materiaali hintatasoltaan sama mutta en löytänyt siihen mitään liittyvää kirjoitusta kun se usein on se kompastuskivi kuinka nopeasti se otetaan käyttöön.

 

[fiarska]

Amorfisesta boori nitridi löytyy googlen tieteellisistä artikkeleistä jo vuonna -89. Joten Samsung ei keksinyt pyörää uudestaan. Varmasti puolijohde käytössä yhdiste on uusi. Erityisesti kiteiset boori nitridit ovat olleet vuosikymmenten aikana erityisen tutkimuksen kohteena useissa maissa. Tarve uusille materiaaleille lastuavassa työstössä on ollut suuri.

 

[Kaotik]

Amorfisesta boori nitridi löytyy googlen tieteellisistä artikkeleistä jo vuonna -89. Joten Samsung ei keksinyt pyörää uudestaan. Varmasti puolijohde käytössä yhdiste on uusi. Erityisesti kiteiset boori nitridit ovat olleet vuosikymmenten aikana erityisen tutkimuksen kohteena useissa maissa. Tarve uusille materiaaleille lastuavassa työstössä on ollut suuri.

Onko ne saatu aiemmin 2D-muotoon (eli atomit yhdessä kerroksessa)? En siis kiistä tai puolla ollenkaan Samsungin väitteitä, ei itsellä riitä näiden settien tuntemus millään tasolla sellaiseen.

 

[fiarska]

Atomic layer deposition (ALD) menetelmällä kyllä onnistuu molekyylikerros kerrallaan. Pinnoite on homogeenisempi kuin esim kemiallisella tai fysikaalisella kaasufaasi menetelmällä. Näin siis lastuavissa työkaluissa. Tässä ALD kehityksessä on suomalaisilla tohtoreilla ollut iso panos.
Dr. Tuomo Suntola received the 2018 Millennium Technology Prize for his technology of atomic layer deposition (ALD) that enables manufacture of nanoscale thin material layers for microprocessors and digital memory devices.

In English - Millennium Technology Prize

Technology Academy Finland (TAF) awards the global one-million-euro Millennium Technology Prize and runs associated events and initiatives.

taf.fi

 

[Griffin]

2016 juttu boorikalvoista:
https://etn.fi/index.php?option=com_content&view=article&id=5173:boori-voi-olla-grafeenia-parempi-elektroniikkaan&catid=13&Itemid=101

 

[njake]

Mielenkiintoisia nämä uudet materiaalit, jotka parantaa ominaisuuksia.
Esim. Gallium Nitride, jota on jo uusissa powereissa käytetty, parantaa hyötysuhdetta kummasti. Tämä tulee myös D-Luokan vahvistimia parantamaan ja pienentämään entisestään.


Diodit on myös kehittyneet älykkääksi siitä, että ne vain päästäisi tyhmästi myötäsuuntaista virtaa lävitseen ja lämpenisi kynnysjätteensä takia.