- Liittynyt
- 13.10.2016
- Viestejä
- 12 747
Sampsa kirjoitti uutisen/artikkelin:
AMD:n toimitusjohtaja Lisa Su kertoi Computex-virtuaalimessujen keynote-esityksensä päätteeksi yhtiön edistysaskeleista piirivalmistuksen ja paketoinnin saralla. Su esitteli toimivaa prototyyppiä 12-ytimisestä Zen 3 -arkkitehtuurin Ryzen 9 5900X -prosessorista, jossa molempien TSMC:n 7 nanometrin prosessilla valmistettavien CCD- eli Core Chiplet Die -piirien päälle oli pinottu 64 megatavua ylimääräistä SRAM-muistia. 3D V-Cache -teknologian avulla prosessori L3-välimuistin koko on saatu kolminkertaistettua 192 megatavuun (32 + 64 Mt per CCD). SRAM-muistipiirin koko on 6 x 6 millimetriä (36 mm^2) eli noin puolet CCD-piirin pinta-alasta ja se oli liitetty piisiruun Through Silicon Vias -tekniikan avulla (TSVs). .
[gallery link="file" columns="2" size="medium" ids="62488,62487"]
Käytännön demona AMD esitteli Ryzen 9 5900X -prosessoria toimimassa kiinteällä 4 GHz:n kellotaajuudella ja verrokkina oli vastaava 3D V-Cache -prosessorin prototyyppi. 3D V-Cachen mahdollistaman isomman L3-välimuistin avulla AMD kertoo ruudunpäivitysnopeuden paranevan peleissä Full HD -resoluutiolla keskimäärin 15 %.
- DOTA2 (Vulkan): +18%
- Gears 5 (DX12): +12%
- Monster Hunter World (DX11): +25%
- League of Legends (DX11): +4%
- Fortnite (DX12): +17%
AMD ilmoitti olevansa valmis ottamaan 3D V-Cache -teknologian käyttöön tämän vuoden lopulla. Samassa yhteydessä AMD varmisti olevansa 5 nanometrin valmistusprosessin kanssa aikataulussa ja tuovansa Zen 4 -prosessorit markkinoille ensi vuonna.
Lähde: AMD
Linkki alkuperäiseen juttuun
Viimeksi muokannut ylläpidon jäsen: