- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 22 747
Wienin teknillisen yliopiston kehittämässä FET-transistorissa perinteisten hilan (gate), lähteen (source) ja nielun (drain) muodostamaan kolmiyhteyteen on lisätty neljäs elementti, germaniumista valmistettu "control electrode" tai "program gate" eli ohjelmointihila.
Germaniumin sähköiset ominaisuudet mahdollistavat ohjelmointihilan käytön transistorin toiminnallisuuden muokkaamiseen lennosta ja siten voidaan pienentää tarvittavien transistorien määrää. Kehittäjien mukaan perinteisten aritmeettisten funktioiden suorittamiseen menee 160 perinteistä transistoria, mutta heidän kehittämiään transistoreja tarvittaisiin vain 24. Tämä mahdollistaa paitsi enemmän toiminnallisuutta pienempään tilaan, myös potentiaalisesti korkeampia kellotaajuuksia ja parempaa suorituskykyä.
Lähde: CPUs Could Use 85 Percent Fewer Transistors With New Adaptive Tech
Germaniumin sähköiset ominaisuudet mahdollistavat ohjelmointihilan käytön transistorin toiminnallisuuden muokkaamiseen lennosta ja siten voidaan pienentää tarvittavien transistorien määrää. Kehittäjien mukaan perinteisten aritmeettisten funktioiden suorittamiseen menee 160 perinteistä transistoria, mutta heidän kehittämiään transistoreja tarvittaisiin vain 24. Tämä mahdollistaa paitsi enemmän toiminnallisuutta pienempään tilaan, myös potentiaalisesti korkeampia kellotaajuuksia ja parempaa suorituskykyä.
Lähde: CPUs Could Use 85 Percent Fewer Transistors With New Adaptive Tech
Viimeksi muokattu: