- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 21 542
Kaotik kirjoitti uutisen/artikkelin:
Maailman ylivoimaisesti suurin puolijohdevalmistaja TSMC on esitellyt uuden sukupolven valmistusprosessia ja sen mukana tulevan FinFlex-teknologian. FinFlex tulee olemaan osa yhtiön tarjontaa sen 3 nanometrin luokan N3-valmistusprosesseille.
Piisirujen valmistus on täynnä kompromisseja. Nykypäivänä valmistajilla on tietyin rajoin mahdollisuuksia kustomoida valmistusprosessin ominaisuuksia tarpeisiinsa sopiviksi, mutta kyse on lopulta aina kompromisseista, koska koko siru valmistetaan samoin parametrein. TSMC antaa esimerkiksi usean tyyppisten transistorien tarpeesta hybridiprosessorit, joissa tehokkaat prosessoriytimet, energiatehokkaat prosessoriytimet ja integroitu grafiikkaohjain haluaisivat kukin optimitilanteessa erityyppisiä transistoreita.
[gallery link="file" columns="2" size="medium" ids="76651,76650"]
TSMC FinFlex on suunniteltu ratkaisemaan tätä ongelmaa ainakin yhdestä kulmasta. N3-prosessien myötä TSMC tulee tarjoamaan kolme eri eväkonfiguraatiota, joita kaikkia voidaan käyttää saman sirun sisällä. 3-2 Fin -eväasettelu tarjoaa parhaan suorituskyvyn tiheyden kustannuksella, 2-2 Fin balanssin suorituskyvyn, energiatehokkuuden ja tiheyden suhteen ja lopulta 2-1 Fin parasta energiatehokkuutta ja tiheyttä.
Verrattuna N5:n 2 Fin -asetteluun N3E-prosessin 3-2 Fin tarjoaa 0,85-kertaista pinta-alaa, 33 % parempaa suorituskykyä ja 12 % pienempää tehonkulutusta. 2-2 Fin tiputtaa pinta-alan 0,72-kertaiseksi, nopeuden 23 % paremmaksi ja tehonkulutuksen 22 % pienemmäksi. Parasta energiatehokkuutta tarjoava N3E 2-1 Fin -asettelu tarjoaa 0,64-kertaista pinta-alaa, 11 % parempaa nopeutta ja jopa 30 % pienempää tehonkulutusta.
Lähde: TSMC
Linkki alkuperäiseen juttuun
Viimeksi muokattu:
