- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 22 512
SK Hynix on ilmoittanut saavuttaneensa uuden rajapyykin NAND-piirien pinoamisen saralla. Yhtiö on ensimmäinen, joka on saanut aloitettua yli 300-kerroksisten NAND-piirien massatuotannon.
SK Hynixin uuden sukupolven TLC NAND -piirirt ovat jopa 321-kerroksisia ja niiden kapasiteetti on yksi terabitti. Yhtiö kutsuu piirejään 4D NAND Flash -piireiksi, viitaten Charge Trap Flash- ja Periphery Under Cell -teknologioihin, jotka eivät ole käytössä perinteisissä 3D NAND -piireissä. Avain yli 300-kerroksiseen rakenteeseen on uusi ”3 plugs” -teknologia itse piirien valmistuksessa. ”Plug” tarkoittaa yhtiön termistössä kerrosten läpivientejä.
Uudet piirit tarjoavat yhtiön mukaan 12 % aiempaa suurempia siirtonopeuksia ja 13 % parempaa lukusuorituskykyä, kuin nykyiset 238-kerroksiset piirit. Datan luvun kerrotaan olevan uutuuksilla myös 10 % aiempaa energiatehokkaampaa.
SK Hynix alkoo aloittaa uusien NAND-piirien toimitukset asiakkailleen ensi vuoden ensimmäisellä puoliskolla, eli markkinoille niihin perustuvia tuotteita voitaneen odotella ensi vuoden jälkimmäisen puoliskon aikana. Yhtiö visioi uusien piirien vahvistavan sen asemaa erityisesti tekoäly- ja datakeskusmarkkinoilla, kun samalta yritykseltä on saatavilla paitsi johtavat NAND-muistit, myös HBM-muistit.
Lähde: SK Hynix
