Diizzel
Ylläpidon jäsen
- Liittynyt
- 29.10.2016
- Viestejä
- 2 233
Diizzel kirjoitti uutisen/artikkelin:
Samsungin odotetaan julkistavan uuden Galaxy S23 -mallistonsa helmikuun 1. päivä pidettävässä Galaxy Unpacked -tapahtumassa. Nyt kaikista kolmesta julkaistavaksi odotetusta puhelimesta on vuotanut verkkoon käytännössä kaiken kattavat ominaisuuslistaukset.
Vuodot vahvistavat jo pitkään huhuissa pyörineet odotukset, joiden mukaan Samsung käyttäisi tulevissa puhelimissaan Qualcommin Snapdragon 8 Gen 2 -järjestelmäpiirejä kautta maailman, eli Exynoksen käytöstä olisi luovuttu kokonaan. Galaxy S23:ssa ja S23+:ssa piirin parina on 8 Gt RAM-muistia ja Ultra-mallissa puolestaan versiosta riippuen 8 tai 12 Gt. Tallennustilaa S23-perusmalliin on vuodon mukaan tarjolla 128 tai 256 Gt ja S23+:aan sekä Ultraan puolestaan minimissään 256 Gt, minkä lisäksi tarjolle tulisi myös 512 Gt:n versio.
Uuden piirin lisäksi Samsung olisi vuodon mukaan kasvattamassa perusmalliensa akkuja 200 mAh:lla, minkä myötä S23:n akun kapasiteetti olisi 3900 mAh ja S23+:n puolestaan 4700 mAh. S23 Ultran akku säilyy vuotojen mukaan ennallaan 5000 mAh:ssa. Lataustehot ovat myös viime sukupolvesta tutut, eli perusmalli tarjoaisi 25 watin pikalatauksen ja muut mallit puolestaan 45 watin pikalatauksen.
[gallery link="file" columns="2" size="medium" ids="83530,83529"]
Kameroiden osalta perusmallit luottavat 50 megapikselin pääkameraan, 12 megapikselin ultralaajakulmakameraan sekä 10 megapikselin telekameraan ja Ultran puolestaan odotetaan tarjoavan aiemmin tällä viikolla julkaistua Samsungin 200 megapikselin Isocell HP2 -sensoria käyttävän pääkameran ja S22 Ultrasta tutut ultralaajakulmakameran, 3x-telekameran ja 10x-telekameran.
Vuotojen jälkeen markkinoille on kuitenkin hiipinyt huhu, jonka mukaan Samsung ei käyttäisi puhelimissaan aivan tavanomaista Snapdragon 8 Gen 2:ta, vaan kyseessä olisi valmistajalle tehty erikoismalli. Huhujen mukaan piirin nimi olisi Qualcomm Snadragon 8 Gen 2 Mobile Platform For Galaxy.
Perusominaisuuksiltaan piiri vastaisi tavanomaista 8 Gen 2 -piiriä, mutta Samsungin version huhutaan yltävän prosessoripuoleltaan perusmallin 3,2 GHz:n sijaan korkeampaan 3,36 GHz:iin. Lisäksi huhujen mukaan piirin valmistus saattaisi tapahtua TSMC:n sijaan Samsungin omalla tehtaalla.
Lähteet: 9to5Google, GSMArena (1), (2)
Linkki alkuperäiseen juttuun
Viimeksi muokattu: