Samsung on kehittänyt jopa 96 % vähemmän tehoa vaativan NAND-tekniikan

[Kaotik]

Samsung Advanced Institute of Technology on julkaissut Naturessa paperin ferrosähköisestä transistorista (FeFET), Ferroelectric Field-Effect Transistor) matalavirtaisiin NAND Flash -muisteihin.

Paperin mukaan FeFETit voivat tallentaa jopa 5 bittiä per dataa ja tukevat monikerroksisia rakenteita vähintään samalla tasolla kuin nykyisin käytössä olevat teknologiat. Paperin mukaan transistoreilla saavutettaisiin 286-kerroksisessa rakenteessa 94 % ja 1024-kerroksisessa jopa 96 % pienempi tehonkulutus sekä luku- että kirjoitusoperaatioissa, kuin nykyteknologioilla.

Lähde: https://www.tomshardware.com/tech-i...and-design-based-on-ferroelectric-transistors

 

[Griffin]

Olennainen tieto puuttuu:
5 bittiä per solu; Kirjoituskestävyys muutama sata kertaa..
4 Bittiä per solu: Kirjoituskestävyys lähes 1000 kertaa..

Eli melkoista paskaa, vaatii vielä reippaasti kehittelyä..