- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 22 630
Samsung on julkaissut 6. sukupolven V-NAND-sirut, jotka kasvattavat sirun kerrokset 96:sta 136:een. Muistisolut 3-bittisiä eli TLC-tyyppisiä ja sirut tulevat tarjoamaan 256 gigabitin eli 32 Gt:n kapasiteetin. Yhtiö suunnittelee lisäksi kolmen 6. sukupolven V-NAND-sirun pinoamista yhteen paketointiin.
Suorituskyvyn osalta Samsung kertoo kirjoitusoperaatioiden vievän alle 450 µs ja lukuoperaatioiden alle 45 µs.
Samassa yhteydessä yhtiö julkisti 250 Gt:n SSD-aseman, joka hyödyntää uusia 6. sukupolven V-NAND-piirejä.
Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-Generation V-NAND SSDs for Client Computing
Suorituskyvyn osalta Samsung kertoo kirjoitusoperaatioiden vievän alle 450 µs ja lukuoperaatioiden alle 45 µs.
Samassa yhteydessä yhtiö julkisti 250 Gt:n SSD-aseman, joka hyödyntää uusia 6. sukupolven V-NAND-piirejä.
Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-Generation V-NAND SSDs for Client Computing