- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 23 030
Samsung on esitellyt ISSCC 2025 -tapahtumassa 10. sukupolven V-NAND TLC -muistipiirejään.
Samsungin uusissa piireissä on muistisoluja jopa yli 400 kerroksessa ja ne valmistetaan ilman ohjauslogiikkaa ja muita oheistarpeita. Sen sijasta ne valmistetaan erikseen Samsungin logiikkapiireille tarkoitetulla prosessilla, jonka jälkeen ne sovitetaan Hybrid Bonding -menetelmällä yhteen. Myös muut valmistajat käyttävät vastaavia teknologioita.
Verrattuna 9. sukupolven piirien 3600 MT/s:n siirtonopeus kalpenee uusien 10. sukupolven piirien 5600 MT/s:n rinnalla. Sukupolvipäivityksessä myös datatiheys on parantunut selvästi 17 Gbitistä 28 Gbittiin per neliömilli.
Lähde: Samsung unveils 10th Gen V-NAND: 400+ layers, 5.6 GT/s and hybrid bonding
Samsungin uusissa piireissä on muistisoluja jopa yli 400 kerroksessa ja ne valmistetaan ilman ohjauslogiikkaa ja muita oheistarpeita. Sen sijasta ne valmistetaan erikseen Samsungin logiikkapiireille tarkoitetulla prosessilla, jonka jälkeen ne sovitetaan Hybrid Bonding -menetelmällä yhteen. Myös muut valmistajat käyttävät vastaavia teknologioita.
Verrattuna 9. sukupolven piirien 3600 MT/s:n siirtonopeus kalpenee uusien 10. sukupolven piirien 5600 MT/s:n rinnalla. Sukupolvipäivityksessä myös datatiheys on parantunut selvästi 17 Gbitistä 28 Gbittiin per neliömilli.
Lähde: Samsung unveils 10th Gen V-NAND: 400+ layers, 5.6 GT/s and hybrid bonding
