Samsung esitteli 10. sukupolven V-NAND-piirit Hybrid Bonding -tekniikalla

  • Keskustelun aloittaja Keskustelun aloittaja Kaotik
  • Aloitettu Aloitettu

Kaotik

Banhammer
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
14.10.2016
Viestejä
23 722
Samsung on esitellyt ISSCC 2025 -tapahtumassa 10. sukupolven V-NAND TLC -muistipiirejään.

Samsungin uusissa piireissä on muistisoluja jopa yli 400 kerroksessa ja ne valmistetaan ilman ohjauslogiikkaa ja muita oheistarpeita. Sen sijasta ne valmistetaan erikseen Samsungin logiikkapiireille tarkoitetulla prosessilla, jonka jälkeen ne sovitetaan Hybrid Bonding -menetelmällä yhteen. Myös muut valmistajat käyttävät vastaavia teknologioita.

Verrattuna 9. sukupolven piirien 3600 MT/s:n siirtonopeus kalpenee uusien 10. sukupolven piirien 5600 MT/s:n rinnalla. Sukupolvipäivityksessä myös datatiheys on parantunut selvästi 17 Gbitistä 28 Gbittiin per neliömilli.

Lähde: Samsung unveils 10th Gen V-NAND: 400+ layers, 5.6 GT/s and hybrid bonding
 

Uusimmat viestit

Statistiikka

Viestiketjuista
281 348
Viestejä
4 834 105
Jäsenet
78 234
Uusin jäsen
joujou200

Hinta.fi

Back
Ylös Bottom