- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 22 726
Samsung on kertonut aloittaneensa yli 90-kerroksisten eli käytännössä 96-kerroksisten V-NAND-piirien massatuotannon. Piirien kapasiteetti on 256 Gb ja niiden mainostetaan olevan ensimmäiset Toggle DDR 4.0 -NAND-liitäntää tukevat piirit. Toggle DDR 4.0 mahdollistaa 1,4 Gbps:n siirtonopeudet, mikä on 40 % korkeampi kuin edeltävän sukupolven 64-kerroksisilla V-NAND-piireille.
Lähde: Samsung Electronics Brings Next Wave of High-Performance Storage with Mass Production of Fifth-generation V-NAND
Lähde: Samsung Electronics Brings Next Wave of High-Performance Storage with Mass Production of Fifth-generation V-NAND