Samsung aloitti 96-kerroksisten V-NAND-piirien massatuotannon

Viestiketju alueella 'Uutisia lyhyesti' , aloittaja Kaotik, 10.07.2018.

  1. Kaotik

    Kaotik Banhammer Ylläpidon jäsen

    Viestejä:
    6 793
    Rekisteröitynyt:
    14.10.2016
    Samsung on kertonut aloittaneensa yli 90-kerroksisten eli käytännössä 96-kerroksisten V-NAND-piirien massatuotannon. Piirien kapasiteetti on 256 Gb ja niiden mainostetaan olevan ensimmäiset Toggle DDR 4.0 -NAND-liitäntää tukevat piirit. Toggle DDR 4.0 mahdollistaa 1,4 Gbps:n siirtonopeudet, mikä on 40 % korkeampi kuin edeltävän sukupolven 64-kerroksisilla V-NAND-piireille.

    Lähde: Samsung Electronics Brings Next Wave of High-Performance Storage with Mass Production of Fifth-generation V-NAND
     
  2. E.T

    E.T

    Viestejä:
    1 569
    Rekisteröitynyt:
    27.02.2017
    No nyt aletaan puhua todellisesta pinoamisesta.
    Parempi että piipinta-alaan mahtuvaa bittimäärää kasvatetaan näin, kuin kestävyyttä heikentävällä viivanleveyden pienentämisellä.
     
  3. Wilfa

    Wilfa

    Viestejä:
    434
    Rekisteröitynyt:
    17.10.2016
    :hungry:
     
  4. vemkki

    vemkki

    Viestejä:
    2 048
    Rekisteröitynyt:
    05.02.2017
    Vaan mahtaako aiheuttaa throttlaamista entistä herkemmin kovalla kuormituksella?
     
  5. yberkurko

    yberkurko

    Viestejä:
    493
    Rekisteröitynyt:
    01.02.2017
    En ihmettelis, vaikka alkaisivat oikeasti kaivata aktiivista jäähdytystä tai vähintään kunnon siilejä.
     
  6. svk

    svk R&T Tukijäsen Köyhä

    Viestejä:
    1 360
    Rekisteröitynyt:
    14.12.2016
  7. yberkurko

    yberkurko

    Viestejä:
    493
    Rekisteröitynyt:
    01.02.2017
    Nuo taitavat olla sata liitäntäisiä ja nopeat M.2 pcie x4 asemat vievät kai luokkaa 6W (alkaa lähestyä low power läppäriprossuja ja jostain random lähteestä kun katsoin ei käynyt oikein selväksi onko keskimääräinen jollain käyttöskenaariolla vai huippu). Mutta se ongelma taitaa olla enemmänkin pieni pinta-ala jolta tuo teho pitäisi haihduttaa.
     
  8. mango

    mango

    Viestejä:
    484
    Rekisteröitynyt:
    19.02.2017
    Tuossa tiedotteessa sanotaan käyttöjännitteen laskevan 1.8 voltista 1.2 volttiin, eli luulisi lämpökuorman pienentyvän merkittävästi, vaikka tietysti samaan aikaan pakkaukseen on ahdettu paljon enemmän tavaraa. Rivijen välistä mielestäni tuolla kuitenkin sanotaan, ettei lämpöjen pitäisi nousta juurikaan.

    Mielenkiintoista myös, että aikovat seuraavaksi suunnitella 1 terabitin piirejä. Eli siis yhdellä piirillä hurjat 128 GB tallennustilaa. Paljonkohan lie noilla saisi yhteen 2.5" asemaan muistia?
     
  9. antero

    antero

    Viestejä:
    1 592
    Rekisteröitynyt:
    29.10.2016
    "Viivanleveyttä" heikennetään käyttämällä ohuempaa eristekerrosta pinojen välillä.
    En usko että tekniikka on parempi kun valmistajakin pudotti takuun 5v->3v jo edellisellä pinon kasvatuskierroksella.


    Kun jännite on laskenut, on valmistustekniikkakin varmasti pienentyny. Tuo voi toki olla välttämätöntä ddr 4.0 tiedonsiirron vuoksi.

    Mutta toki parasta SSD laatua Samsung taas tarjoaa. Tuntuu että SSD levyjen halvan hinnan vuoksi USA:ssa ei juuri panosteta kehitykseen vaan homma on luovutettu Koreaan.
     
    Viimeksi muokattu: 11.07.2018
  10. antero

    antero

    Viestejä:
    1 592
    Rekisteröitynyt:
    29.10.2016
  11. vemkki

    vemkki

    Viestejä:
    2 048
    Rekisteröitynyt:
    05.02.2017
    Tuo jännitejuttu olisi saanut kyllä olla uutisessakin, sillä onhan jännitteen pudotus kolmanneksella aika merkittävä juttu. Kovin usein ei jaksa klikkailla uutisten lähdelinkkejä.
     
    WanhaPatu tykkää tästä.
  12. Hannibal

    Hannibal

    Viestejä:
    1 206
    Rekisteröitynyt:
    14.12.2016
    Nehän pienensi merkittävästi jännitettä näihin, joten sillä kompensoidaan paksumman kerroksen huonompi jäähdytettävyys.
     
  13. yberkurko

    yberkurko

    Viestejä:
    493
    Rekisteröitynyt:
    01.02.2017
    Toivotaan näin:) Vaikka eihän nää aiemmatkaan ihan hirveän kauaa maksiminopeudella ilman jäähdytystä pysty kirjoittelemaan, muistelen testeistä lukeneeni.
     
  14. Kaotik

    Kaotik Banhammer Ylläpidon jäsen

    Viestejä:
    6 793
    Rekisteröitynyt:
    14.10.2016
    Pitkässä uutisessa se olisi taatusti ollutkin, lyhyissä kannattaa klikata se lähdelinkki aina koska usein jää jotain asioita pois
     
    Juha Kokkonen tykkää tästä.
  15. Juha Kokkonen

    Juha Kokkonen Moderator Ylläpidon jäsen

    Viestejä:
    3 902
    Rekisteröitynyt:
    17.10.2016
    Jep, näiden lyhyiden uutisten pointtina on juurikin tuoda lähinnä aihe esille ja tiivistää se lyhyesti, jolloin lukija voi halutessaan kaivaa lisätietoa linkin takaa.