- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 23 155
Pekingin yliopiston tutkijat ovat professori Peng Hailinin ja Qiu Chenguangin johdolla kehittäneet maailman ensimmäisen pii-vapaan 2D GAAFET -transistorin. Pengin mukaan heidän kehittämänsä transistori on nopein ja tehokkain transistori, mitä on saatu kehitettyä missään päin maailmaa tähän mennessä.
Kiinalaistutkijoiden kehittämä transistori perustuu perustuu piin sijasta vismuttiin tai tarkemmin vismutti-oksiselenidiin (Bi₂O₂Se), jota on tutkittu jo vuosia sen 2D-puolijohdeominaisuuksien vuoksi.
Naturessa julkaistun paperin mukaan tutkijat eivät ole myöskään kehittäneet vain yhtä transistoria, vaan "wafer-scale multi-layer-stacked single-crystalline 2D GAA configurationiksi" kutsutun rakenteen.
Lähteet: Chinese university designed 'world's first silicon-free 2D GAAFET transistor,' claims new bismuth-based tech is both the fastest and lowest-power transistor yet, Low-power 2D gate-all-around logics via epitaxial monolithic 3D integration - Nature Materials
Kiinalaistutkijoiden kehittämä transistori perustuu perustuu piin sijasta vismuttiin tai tarkemmin vismutti-oksiselenidiin (Bi₂O₂Se), jota on tutkittu jo vuosia sen 2D-puolijohdeominaisuuksien vuoksi.
Naturessa julkaistun paperin mukaan tutkijat eivät ole myöskään kehittäneet vain yhtä transistoria, vaan "wafer-scale multi-layer-stacked single-crystalline 2D GAA configurationiksi" kutsutun rakenteen.
Lähteet: Chinese university designed 'world's first silicon-free 2D GAAFET transistor,' claims new bismuth-based tech is both the fastest and lowest-power transistor yet, Low-power 2D gate-all-around logics via epitaxial monolithic 3D integration - Nature Materials
