Kiinalaisen SMIC:n käyttöön ottaman N+3-valmistusprosessin kerrotaan vastaavan jo TSMC:n N6-prosessia

Kaotik

Banhammer
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
14.10.2016
Viestejä
23 262
smic-building-logo-20240208.jpg

Kiina pyrkii kovaa vauhtia omavaraiseksi myös puolijohdevalmistuksen saralla. Maan johtava puolijohdevalmistaja SMIC on valmistanut jo useamman vuoden TSMC:n 7 nanometrin luokan prosessia vastaavia piirejä.

SMIC:llä tai muillakaan kiinalaisyrityksillä ei ole mahdollisuutta hankkia ASML:lta moderneja valmistuslaitteita. Sillä on kuitenkin käytössään ASML:n vanhempia NXT:2000i DUV -skannereita ajalta, ennen kuin myös niiden vieminen maahan kiellettiin. NXT:2000i DUV mahdollistaa 7 nanometrin luokan valmistusprosessit ja parhaimmillaan sen uskotaan venyvän 5 nanometrin luokkaan asti. SMIC kutsuu omaa 7 nanometrin luokan prosessiaan nimellä N+2, viitaten toiseen kehitysaskeleen samalla laitteistolla.

ComputerBase raportoi SMIC:n saaneen nyt tuotantoon uuden N+3-valmistusprosessin, joka vastaa ensitietojen perusteella jo TSMC:n 6 nanometrin luokan valmistusprosesseja ominaisuuksiltaan. Sen kerrotaan yltävän noin 125 miljoonan transistorin per neliömillimetri tiheyteen. Vaikka 6 nanometrin tai jopa 5 nanometrin luokan piirien valmistus ASML:n vanhoilla laitteilla on mahdollista, se on erittäin monimutkaista ja sen myötä paitsi kallista, myös epävarmaa saantojen osalta.

SMIC:n kenties merkittävin asiakas on Huawei, joka luonnollisestikaan ei pakotteista johtuen voi valmistuttaa piirejään TSMC:llä, vaikka sen tiedetäänkin saaneen tuotettua taiwanilaisyhtiöllä merkittäviä määriä piirejä monimutkaisten asiakasyrityskuvioiden kautta. TSMC on sittemmin tiettävästi onnistunut estämään vastaavan toiminnan jatkossa. Huawei ottaa siis epäilemättä tiedot uudesta valmistusprosessista vastaan avosylin.

Lähde: ComputerBase
 
DUV:llä voidaan lisätä multipatterningin määrää ja saada efektiivistä ”viivaleveyttä” alas. Tuo kuitenkin vähentää sitä kiekkomäärää joka saadaan valotettua samassa ajassa, joten tehtaan kapasiteetti laskee.

Karkeasti voidaan sanoa, että saat tuotettua karkeasti saman määrän transistoreja kuukaudessa, mutta enemmällä multipatteriningilla saat ne ahdettua pienempään pinta-alaan.

Mutta mitä tiheämpää teet, sitä vähemmän piirejä saat ja luonnollisesti sitä kalliimpia piirit ovat kun valtava tehdas tuottaa pahimmissa skenaarioissa vain murto-osan piirimäärästä mihin se pystyisi ilman multipatterningia.
 
Olet vastaamassa viestiketjuun: Kiinalaisen SMIC:n käyttöön ottaman N+3-valmistusprosessin kerrotaan vastaavan jo TSMC:n N6-prosessia

Statistiikka

Viestiketjuista
272 788
Viestejä
4 708 164
Jäsenet
76 935
Uusin jäsen
m1kael_68

Hinta.fi

Back
Ylös Bottom