Intelin 14 nanometrin ja AMD:n (TSMC:n) 7 nanometrin transistorit elektronimikroskoopissa

Kaotik

Banhammer
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
14.10.2016
Viestejä
14 451
Saksalainen huippuylikellottaja Roman 'Der8auer' Hartung on julkaissut YouTubessa kolmiosaisen videosarjan vierailustaan elektronimikroskooppeja valmistavalla Tescanilla.
Videosarjan viimeisessä osassa nähdään myös kirjaimellisesti transistoritason vertailu Intelin 14 nanometrin prosessilla valmistetun prosessorin ja TSMC:n 7 nanometrin prosessilla AMD:n prosessorin välillä.



 
Liittynyt
14.12.2016
Viestejä
2 060
Lyhennelmä. Nanometrin luvuilla ei ole mitään tekemistä todellisuuden kanssa, eli ne eivät kerro mitään, eikä niitä oikein voi verrata keskenään. De8auer ehdottikin, että prosessoreja alettaisiin nimittää vaikka mansikka 1, mansikka 2, mansikka 3 ja toisella valmistajalla mustikka 1, mustikka 2, mustikka 3 jne.. jolloin isommasta numerosta näkisi, että se on uudempi versio... näin siis vapaasti käännettynä :)
 

Mawe

Thread Killer
Liittynyt
16.10.2016
Viestejä
419
Jostain syystä tuli :drool: olo. :interested:
1601044263117.png


Siistiä kyllä miten nykyisin pääsee taviksetkin edes videolla näkemään tälläisiä juttuja. :tup:
 

Asmola

Molander
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
17.10.2016
Viestejä
4 582
Lyhennelmä. Nanometrin luvuilla ei ole mitään tekemistä todellisuuden kanssa, eli ne eivät kerro mitään, eikä niitä oikein voi verrata keskenään. De8auer ehdottikin, että prosessoreja alettaisiin nimittää vaikka mansikka 1, mansikka 2, mansikka 3 ja toisella valmistajalla mustikka 1, mustikka 2, mustikka 3 jne.. jolloin isommasta numerosta näkisi, että se on uudempi versio... näin siis vapaasti käännettynä :)
Tähän voisi lisätä sen, että kun usein vedottu siihen että "AMD:llä paljon parempi valmistusprosessi" niin totuus on kaukana tuosta mitä numerot antaa ymmärtää, ainakin viivanleveyden osalta, TSMC:n 7nm on vain vähän Intelin 14nm+++++++ edellä.
 
Liittynyt
22.10.2018
Viestejä
1 790
Tähän voisi lisätä sen, että kun usein vedottu siihen että "AMD:llä paljon parempi valmistusprosessi" niin totuus on kaukana tuosta mitä numerot antaa ymmärtää, ainakin viivanleveyden osalta, TSMC:n 7nm on vain vähän Intelin 14nm+++++++ edellä.
Energiatehokkuudessa se on aika massiivisesti edellä.
 
Liittynyt
22.10.2018
Viestejä
1 790
Mikä tuossa on arkkitehtuurista riippuvaista ja mikä valmistusprosessista?
Onhan se toki mahdollista että Intel ei vaan osaa suunnitella energiatehokkaita mikroarkkitehtuureja ja tuohon sinun kysymykseesi ei tulla saamaan mitään kattavaa vastausta ennen kuin intel alkaa valmistuttamaan tuotteitaan TSMC:llä. Rocket lake antaa meille tosin aika hyvän kuvan tilanteesta myyntiin tullessaan, sillä siinä on samat ytimet kuin mitä Tiger Lakessa, joka on 10nm tuotantona tehtynä energiatehokkuutensa osalta hyvin samankaltainen zen2:n kanssa. intelin 10nm ja TSMC 7nm on avainluvuiltaaan hyvin samankaltaiset prosessit.
 
Liittynyt
07.03.2017
Viestejä
1 270
intelin 10nm ja TSMC 7nm on avainluvuiltaaan hyvin samankaltaiset prosessit.
Nyt täytyisi vähän avata mitä nämä avainluvut oikein ovat ja mistä ne on saatu. Videon perusteella TSMC:n 7nm valmistusprosessilla näyttäisi tulevan 90% kokoisia Intelin 14nm prosessin transistoreista.
 
Liittynyt
22.10.2018
Viestejä
1 790
Nyt täytyisi vähän avata mitä nämä avainluvut oikein ovat ja mistä ne on saatu. Videon perusteella TSMC:n 7nm valmistusprosessilla näyttäisi tulevan 90% kokoisia Intelin 14nm prosessin transistoreista.
Tuolta tutkimaan. yllättyisin jos intelin 10nm olisi yli 10% pienempi kuin niiden 14nm samalla mittaustekniikalla kuin mitä on videolla käytetty.

Edit: ja tosiaan inteliltä saa huomattavasti vähemmän tietoja ulos, sillä niillä ei ole tarvetta markkinoida valmistusprosessejaan.
 
Viimeksi muokattu:
Liittynyt
07.03.2017
Viestejä
1 270
Tuolta tutkimaan. yllättyisin jos intelin 10nm olisi yli 10% pienempi kuin niiden 14nm samalla mittaustekniikalla kuin mitä on videolla käytetty.
No tuolta postaamastasi Wikichip -linkistä ei sieltä pikaisesti saa muuta vertailtavaa kuin seuraavan kuvan
1601056738852.png


Tuon kuvan perusteella Intelin 10nm prosessilla valmistettuna mahtuisi lähes 3 kertaa enemmän tavaraa kuin 14nm prosessilla. Kuva taitaa olla päin honkia?
 
Liittynyt
22.10.2018
Viestejä
1 790
No tuolta postaamastasi Wikichip -linkistä ei sieltä pikaisesti saa muuta vertailtavaa kuin seuraavan kuvan

Tuon kuvan perusteella Intelin 10nm prosessilla valmistettuna mahtuisi lähes 3 kertaa enemmän tavaraa kuin 14nm prosessilla. Kuva taitaa olla päin honkia?
Kriittistä tuossa on nuo TSMC 7nm ja intel 10nm vertailu. Lisäksi en nyt tiedä että mitä käppyrää sieltä tänne linkkasit, mutta siitä voit olla varma että wikichipissä on tarkimmat julkiset tiedot prosessista kuin prosessista. Kannattaa myös huomioida että der8auer katsoi vain yhtä dimensiota ja on täysin mahdolista että toisessa dimensiossa ero transisorejen koossa olisi isompi.
 

mRkukov

Hrrrr...
Liittynyt
17.10.2016
Viestejä
6 088
No tuolta postaamastasi Wikichip -linkistä ei sieltä pikaisesti saa muuta vertailtavaa kuin seuraavan kuvan

Tuon kuvan perusteella Intelin 10nm prosessilla valmistettuna mahtuisi lähes 3 kertaa enemmän tavaraa kuin 14nm prosessilla. Kuva taitaa olla päin honkia?
Kriittistä tuossa on nuo TSMC 7nm ja intel 10nm vertailu. Lisäksi en nyt tiedä että mitä käppyrää sieltä tänne linkkasit, mutta siitä voit olla varma että wikichipissä on tarkimmat julkiset tiedot prosessista kuin prosessista. Kannattaa myös huomioida että der8auer katsoi vain yhtä dimensiota ja on täysin mahdolista että toisessa dimensiossa ero transisorejen koossa olisi isompi.
Tuo miten wikichip laskee noita on ihan transistorien määrä jaettuna piirin koolla. Eli kertoo oikeiden tuotteiden toteutuneet tiheydet, eikä vain markkinoinnin yksittäisiä lukuja.
 
Liittynyt
17.10.2016
Viestejä
1 941
Transistorit on vain yksi lukuisista perusrakenteista mikropiirissä. Pelkästään sen mitoista ei voi sanoa yhtikäs mitään prosessin mahdollistamasta tiheydestä.
 
Liittynyt
07.03.2017
Viestejä
1 270
Transistorit on vain yksi lukuisista perusrakenteista mikropiirissä. Pelkästään sen mitoista ei voi sanoa yhtikäs mitään prosessin mahdollistamasta tiheydestä.
Mutta eikö transistori ole se eniten tilaa ja hankalin asia?

Mutta katsoin nyt videota uudestaan ja laskeskelin alla olevasta kuvasta hieman tarkemmin
1601106314456.png

Eli tarkkuus jota käytin on että Intelin transistoreja mahtuu 3.5 ja TSMC:n 4.5. Siitä päädyin sitten tulokseen että TSMC:n transistorit on kooltaan 0.8 x Intelin transistorit. Noiden korkeus nyt on tosin ihan sama. Tosin TSMC:n prosessissa tuo musta alue ylhäältä alas tulee joka transistorin väliin, kun Intelillä se näkuu vain tuossa kuvassa ensimmäisessä. Tuo musta oli ilmeisesti kuparia tai jotain muuta metallia? Kuitenkin aika iso ero tuossa rakenteessa joka on siis cache -muistista.

Edit: Eikun tuo musta alue onkin tuota ihan samaa mustaa, mitä on trtansistorien välissä oleva kolmiokin. TSMC:n prosessissa siitä tulee vain tuollainen hammasrivistö ja Inteliltä vain "kulmahammas" ylhäältä alas.
 
Liittynyt
22.10.2018
Viestejä
1 790
Mutta eikö transistori ole se eniten tilaa ja hankalin asia?

Mutta katsoin nyt videota uudestaan ja laskeskelin alla olevasta kuvasta hieman tarkemmin

Eli tarkkuus jota käytin on että Intelin transistoreja mahtuu 3.5 ja TSMC:n 4.5. Siitä päädyin sitten tulokseen että TSMC:n transistorit on kooltaan 0.8 x Intelin transistorit. Noiden korkeus nyt on tosin ihan sama. Tosin TSMC:n prosessissa tuo musta alue ylhäältä alas tulee joka transistorin väliin, kun Intelillä se näkuu vain tuossa kuvassa ensimmäisessä. Tuo musta oli ilmeisesti kuparia tai jotain muuta metallia? Kuitenkin aika iso ero tuossa rakenteessa joka on siis cache -muistista.
Lisäksi jos kuvia katsoo tarkasti, niin huomaa että toi TSMC:n tuotos on rajoiltaan huomattavasti skarpimpi. Ja tosiaan sitä toista mittaa (tässä tapauksessa rakenteiden syvyys) ei ole tuossa kuvattu.
 
Liittynyt
17.10.2016
Viestejä
1 941
Mutta eikö transistori ole se eniten tilaa ja hankalin asia?
Noh, miten sen nyt ottaa. Sanoisin että se hankalin asia on valtavan kokonaisuuden valmistaminen. Transistori on vain yksi legopalikka :)

Muutaman transistorin sisältäviä pii puolijohde logiikkapiirejä on btw jo ajat sitten tehty tikittään taajuuksilla yli 100 GHz.

Mutta kun tiheys ja monimutkaisuus kasvaa niin pidot paranee.
 
Liittynyt
03.01.2018
Viestejä
166
hmm, joo, kaikkea kanssa, viivaleveys on kaiken a&o

so, what ever, 7nm on 7nm ja 14nm on 14nm.

kuvat on kuvia mutta mitä siellä tapahtuu,elektronit...sillä on eroa!

verrataanpa sitten aikanaan:

nyt;amd 7nm vs intel 14nm, ei edes kannata verrata, tehdään tietty ja amd uhoamista ja elvistelyä..
.intel 14nm boost yli 5ghz, amd ei näytä millään pääsevän, ei edes zen3:lla?, miksi??

ensi vuonna:amd 7nm vs intel 10nm , ennkkoon on jo paljon testejä.kaikki tietää

2022:amd 7nm vs intelin 7nm, siis tässä ei mitään eroa?...ja amd:lla saa olla vaikka 5nm cpu....



ja lopuksi sitten, olisko 2022-2023?,amd 5nm vs intel 5nm, jolloin vain tieto taito ratkaisee.....
 
Liittynyt
19.04.2019
Viestejä
145
Mielenkiintoinen uutinen. Viivanleveys sinällään on vain yksi "parametri" monien joukossa. Koska Intel ei ole sopimusvalmistaja, niin sen ei ole tarvinnut mainostaa omia prosessejaan, joten tässä suhteessa TSMC:n markkinointikoneisto antanut asialle suuremman merkityksen kuin sillä tosiasiallisesti on.

Tässä vastauksia muutaman nimimerkin pohdintoihin.

Tässä piti verestää vanhoja opiskeluaikoja. Kun eri kerroksien (Layers) lukumäärä lisääntyy, ongelmaksi muodostuu niiden muodostama kapasitanssi (C) (interconnect capacitance). Tällä on taas vaikutusta viipeisiin sekä tehonkulutukseen. Itse johdin materiaalilla on myös vaikutusta. Suuri hyppäys oli aikoinaan se, kun käyttöön otettiin kuparijohtimet. Tämä taas vaati sen, että johtimet piti eristää piistä, koska muuten se vahingoitti kuparijohtimia. Kuparin ominaisvastus(p) on pienempi kuin alumiinin. Matemaattisesti yksinkertaistettuna päästään siihen, että Td = RC. Jotta johtimessa signaali kulkee (tai pikemminkin muuttaa tilaansa) mahdollisemman nopeasti tällöin sekä R että C ovat mahdollisemman pieniä.

Ristiriitaisesti pääsemme sellaiseen tilanteessa, jossa viivanleveyden pienentyessä R kasvaa ja C kasvaa. Koska johtimien pinta-ala pienenee, tällöin R = pl/A (p = ominaisvastus, l = johtimen pituus, A = johtimen pinta-ala). Koska johtimia on useammassa kerroksessa, ovat lähempänä toisiaan ja niitä on enemmän kuin koskaan ennen tällöin C kasvaa. Huomaamme, että alamme tekemään vaihtokauppaa. Johtimen pituus (l) pienenee, mutta muut muuttujat kasvavat. Vaihtokauppa on kuitenkin ollut kannattavaa, mutta se ei ole tullut ilmaiseksi. Nämä asiat on otettava huomioon koko suunnittelu- ja valmistusprosessissa.

Ja sitten pääsemme siihen, että koska kupari pitää eristää, niin sekin vie tilaa. Tilaa, joka jollain muulla materiaalilla voisi kasvattaa A:ta, eli pienentää vastusta. Sitten pääsemme siihen miten kytkennät ovat fyysisesti aseteltu. Jos kaksi pitkää paksua johdinta on reititetty vierekkäin eli taas lisää C:ta. Tästä pääsemme siihen, miten eri moduulit ovat aseteltu ja miten ne on kytketty toisiinsa. Eli materiaalit, asettelu, arkkitehtuuri, väylärakenteet jne. kaikki vaikuttavat oleellisesti asiaan.

Ja eikä tässä vielä kaikki, koska viivanleveydet ovat pienentyneet, niin kysymys kuuluu kuinka lähellä transistorit ja johtimet voivat olla toisiaan ilman että tulee oikosulku? Riittääkö yksi atomi eristeeksi? Ts. vaikka viivanleveys olisi atomin luokkaa se ei tarkoita sitä, että rakenteet pienevät samaa tahtia. Jossain muualla tulee fysiikan lait vastaan. Ja tämän vuoksi pelkän viivanleveyden tuijottaminen ei ole enää mielekästä.
 
Liittynyt
03.12.2017
Viestejä
279
Kommentoit juuri uutiseen, jossa todistettiin ettei 7nm ole 7nm eikä Intelin 14nm ole 14nm. Mitä kohtaa et siis ymmärtänyt?
Tuskin mitään kohtaa, hänelle intel on uskonto ja muita ei ole ihan sama häviääkö 100-0 tai 90-10... trollailee vain.
 
Liittynyt
22.10.2016
Viestejä
6 794
Mielenkiintoinen uutinen. Viivanleveys sinällään on vain yksi "parametri" monien joukossa.
EI.

Vaan ei ole enää MITÄÄN "VIIVANLEVEYTTÄ".

On vaan markkinoinnin keksimä luku jolla ei ole mitään tekemistä minkään prosessin fyysisen mitan kanssa.

"7nm" mitä TSMC mainostaa ei ole mikään viivanleveys. "10nm" mitä intel mainostaa ei ole mikään viivanleveys.

Kahden johdon todellinen minimiväli TSMCn "7nm" (N7/N7P) prosessilla on 40nm. Kahden johdon todellinen minimiväli Intelin "10nm" prosessilla on 36nm.
 
Viimeksi muokattu:
Liittynyt
03.12.2017
Viestejä
279
Totta, nykyään varmaan koko sirua sidottu johonkin kittaan vaan tehdään miten pystytään kun alkaa olemaan jo niin pientä, osa piiristä menee pienellä heittämällä ja osa ei taivu sitten millään joten kompromissejä nuo on.
 
Liittynyt
29.10.2016
Viestejä
3 445
Nyt täytyisi vähän avata mitä nämä avainluvut oikein ovat ja mistä ne on saatu. Videon perusteella TSMC:n 7nm valmistusprosessilla näyttäisi tulevan 90% kokoisia Intelin 14nm prosessin transistoreista.
Eikö tätä jo ole aika paljon jauhettu, nykyisillä piikiekoilla tai valmistustavalla ei tiettyjä komponentteja pystytä pienentämään enempää viivaleveydestä riippumatta.
Kun keksitään uusi tekniikka tehdä saadaan käyttöön niin nykyisiä pienempiä viivaleveyksiä voidaan hyödyntää oikeasti.
Voin toki olla väärässä, mutta olen hiukan väsyny väittelyyn miten mikäkin ei ole mitä pitäisi.
Eli valmistustekniikka ei ole rajoite vaan että sillä tehdään vanhan valmistustekniikan piirejä. Käyttämäni termit ei varmaan oikeita, vain ajatusta niillä haen.

Kuten
 
Viimeksi muokattu:
Liittynyt
22.10.2016
Viestejä
6 794
Eikö tätä jo ole aika paljon jauhettu, nykyisillä piikiekoilla tai valmistustavalla ei tiettyjä komponentteja pystytä pienentämään enempää viivaleveydestä riippumatta.
Pitää näköjään toistaa sama asia kaksi kertaa tunnin sisäään:

EI OLE OLLENKAAN MITÄÄN "VIIVANLEVEYTTÄ"

Se, luku, mitä markkinointi mainostaa, on ainoastaan markkinoinnin keksimä luku, eikä sillä ole mitään tekemistä minkään valmistusprosessin mittojen tai valmistuksessa käytetyn kaluston mittojen kanssa.


Valmistusprosesseissa on muutama oleellinen mitta (mm. johtojen minimiväli(MMP) väli ja kahden portin minimiväli(CPP)), mutta MILLÄÄN näistä ei ole MITÄÄN tekemistä sen markkinointiluvun kanssa, millä valmistaja prosessia kutsuu.
 
Liittynyt
03.01.2018
Viestejä
307
Mutta eikö transistori ole se eniten tilaa ja hankalin asia?

Mutta katsoin nyt videota uudestaan ja laskeskelin alla olevasta kuvasta hieman tarkemmin

Eli tarkkuus jota käytin on että Intelin transistoreja mahtuu 3.5 ja TSMC:n 4.5. Siitä päädyin sitten tulokseen että TSMC:n transistorit on kooltaan 0.8 x Intelin transistorit. Noiden korkeus nyt on tosin ihan sama. Tosin TSMC:n prosessissa tuo musta alue ylhäältä alas tulee joka transistorin väliin, kun Intelillä se näkuu vain tuossa kuvassa ensimmäisessä. Tuo musta oli ilmeisesti kuparia tai jotain muuta metallia? Kuitenkin aika iso ero tuossa rakenteessa joka on siis cache -muistista.

Edit: Eikun tuo musta alue onkin tuota ihan samaa mustaa, mitä on trtansistorien välissä oleva kolmiokin. TSMC:n prosessissa siitä tulee vain tuollainen hammasrivistö ja Inteliltä vain "kulmahammas" ylhäältä alas.
Transistorit on kaksiulotteisia eli viivanleveys täytyy korottaa toiseen potenssiin tässä vertailussa. Eli 7nm TSMC:n transitorien koko on noin 60% Intelin 14nm transistoreista noiden mittatietojen perusteella.
 
Liittynyt
29.10.2016
Viestejä
3 445
Pitää näköjään toistaa sama asia kaksi kertaa tunnin sisäään:

EI OLE OLLENKAAN MITÄÄN "VIIVANLEVEYTTÄ"

Se, luku, mitä markkinointi mainostaa, on ainoastaan markkinoinnin keksimä luku, eikä sillä ole mitään tekemistä minkään valmistusprosessin mittojen tai valmistuksessa käytetyn kaluston mittojen kanssa.


Valmistusprosesseissa on muutama oleellinen mitta (mm. johtojen minimiväli(MMP) väli ja kahden portin minimiväli(CPP)), mutta MILLÄÄN näistä ei ole MITÄÄN tekemistä sen markkinointiluvun kanssa, millä valmistaja prosessia kutsuu.
Ei vaan valmistustekniikka.
Verrata voisi että asuintaloja haluttaisin pienentää, ikkunoita voitaisiin pienentää ja ovia kaventaa, mutta ovet pitäisi olla silti korkeita jotta kulkeminen olisi mahdollista.
Vasta kun otetaan käyttöön uusi liikumista tapa konttaaminen, voitaisiin oviakin laskea. Jolloin koko oikeasti pienenisi.
Nykyisi vasta suunnitellaan tuota elektrionien "konttaamista".
Eli tiettyjä gateja ym ei pystytä tiettyä atomien määrää pienemmäksi. Toki valmistuksen varmistamiseksi mittoja voisdaan venyttää minimiä suuremmaksi.
Tarkemmalla valmistustekniikalla voidaan aina tehdä minimi mittaa suurempia yksiköitä vain pienempi ei onnistu. Se että tehdas käyttää tiettyä valmistustekniikkaa ei tarkoita samaa että kaikki olisi tarkinta.
Se sama on mikä tahansa metallipaja, niiden vamistustarkkuus on esim. 0.001 mm, ei ne vältämättä tee tuotteita kun 0.1mm tarkkuudella. Mutta markkinointi käyttää tuota 0.001mm

Ok, voihan se elektroniikassa olla erilainen määritys tuolle arvolle, pointti oli että asiat ei oikeasti pienene ennen kuin uuden tyypin transistorit tulee tuotantoon.
Hienosäätöä varmasti tapahtuu, mutta oikea hyppy tulee vasta myöhemmin.

esim GAAFET on tulossa ryzen 3, niin se on oikea pienennys.
 
Viimeksi muokattu:
Liittynyt
22.10.2016
Viestejä
6 794
esim tuo 2030,
Ei. Et vieläkään tajua.

Tuossa samsungin tulevassa "3nm" prosessissakaan ei ole mitään mikä on 3-nanometristä. Se, "3nm"on täysin ilmasta markkoinoinnin keksimä NIMI, millä ei ole mitään tekemistä fysikaalisen 3nm pituuden kanssa


Ok, voihan se elektroniikassa olla erilainen määritys tuolle arvolle, pointti oli että asiat ei oikeasti pienene ennen kuin uuden tyypin transistorit tulee tuotantoon.

Ja kyllä ne pienenee ilman mitään uudentyyppisiiä transistoreita, nuo oikeat mitat (CPP ja MMP) on eism: "5nm" prosesseilla pienempiä kuin "7nm" prosesseilla samalta valmistajalta, mutta ne pienenee täysin eri tavalla kuin mitä markkinoinnin keksimät luvut antaa ymmärtää. Koska ne markkinoinnin keksimät luvut on AINOASTAAN MARKKINOINNIN KEKSIMIÄ LUKUJA.

Ja sen pienenemisen mahdollistaa uudet litografiatekniikat(multi-patterning, EUV, muuten vaan tarkamman litografialaitteet ja kehittyneemmät tavat käytätä niitä), ei uudentyyppiset transitorit.

Uudentyyppisiä transistoreita tosin välillä tarvitaan siihen, että se valmistustekniikan pienentäminen ei huononna suorituskykyä (esim.TSMCn, GFn ja Samsungin "20nm" prosessit sukkasivat liiallisten vuotovirtojen takia. Sitten ne prosessit korjattiin FinFET-transistoreilla, ja TSMC ei muuttanut oman prosessinsa mittoja. Mutta simsalabim- markkinointi keksi sille uuden nimen, "16nm", vaikka koko pysyi aivan samana.

Samalla kun FinFETit otettiin käyttöön, GF ja Samsung pitivät muut mitat ennallaan ja pienensivät prosessin yhtä kokoparamatria n. 10% ja simsalabim - "20nm" prosessi muuttui "14nm" prosessiksi. Koska tämä luku oli täysin markkinoinnin keksimä, ei perustu mihinkään oikeaan mittaan.
 
Viimeksi muokattu:

Proscribo

Kiitos.
Liittynyt
16.10.2016
Viestejä
563
Ei. Et vieläkään tajua.

Tuossa samsungin tulevassa "3nm" prosessissakaan ei ole mitään mikä on 3 nanometristä.. Se, "3nm"on täysin ilmasta markkoinoinnin keksimä NIMI, millä ei ole mitään tekemistä fysikaalisen 3nm pituuden kanssa
Ota happea välistä? Ei nyt oltu kiinnostuttu noista nimistä vaan siitä, että osa rakenteista ei pienene millään vaikka valmistustekniikka paranee ja joitain toisia asioita voidaan pienentää.
 
Liittynyt
22.10.2018
Viestejä
1 790
Ota happea välistä? Ei nyt oltu kiinnostuttu noista nimistä vaan siitä, että osa rakenteista ei pienene millään vaikka valmistustekniikka paranee ja joitain toisia asioita voidaan pienentää.
Mutta mikään ei pienene tuohon 3nm lukuun asti ainakaan tuolla 3nm prosessilla. Se on vaan markkinointiosaston keksimä nimi sille prosessille, joka heidän mielestään kuvaa sitä kuinka paljon parempi se on kuin edellinen 5nm tjsp. prosessi.
 

Proscribo

Kiitos.
Liittynyt
16.10.2016
Viestejä
563
Mutta mikään ei pienene tuohon 3nm lukuun asti ainakaan tuolla 3nm prosessilla.
Ei, eikä sillä jutun kannalta mitään väliä vaikka todelliset mitat olisi kätevämpi ilmoittaa mikrometreissä, kunhan jokin vain pienenee.
 
Liittynyt
22.10.2018
Viestejä
1 790
Ei, eikä sillä jutun kannalta mitään väliä vaikka todelliset mitat olisi kätevämpi ilmoittaa mikrometreissä, kunhan jokin vain pienenee.
Toteutunut transistoritiheys lienee oleellisin metriikka, millään mitoilla ei ole käytännössä merkitystä kuin henkilöille ketkä piirejä suunnittelevat.
 

459

Liittynyt
17.10.2016
Viestejä
752
Toteutunut transistoritiheys lienee oleellisin metriikka, millään mitoilla ei ole käytännössä merkitystä kuin henkilöille ketkä piirejä suunnittelevat.
Tästä voidaan johtaa myös se, mitä @hkultala yrittää kertoa meille: Valmistajien nm-lukemat ovat nykyisellään markkinointinumeroita jotka eivät ole kytköksissä prosessin todellisiin mittoihin. Täten markkinointilukemien perusteella ei kannata alkaa vertailemaan eri prosessien transistoritiheyksiä (tyyliin TSMC 7 nm vs. Intel 14 nm), sillä silloin ei todellakaan saada totuudenmukaisia lukemia näiden prosessien eroista tiheyden suhteen.
 
Liittynyt
22.10.2018
Viestejä
1 790
Tästä voidaan johtaa myös se, mitä @hkultala yrittää kertoa meille: Valmistajien nm-lukemat ovat nykyisellään markkinointinumeroita jotka eivät ole kytköksissä prosessin todellisiin mittoihin. Täten markkinointilukemien perusteella ei kannata alkaa vertailemaan eri prosessien transistoritiheyksiä (tyyliin TSMC 7 nm vs. Intel 14 nm), sillä silloin ei todellakaan saada totuudenmukaisia lukemia näiden prosessien eroista tiheyden suhteen.
Jep, siksi mainitsin että toteutunut transistoritiheys on se oleellisin metriikka. Eli siis oikeiden tuotteiden transistoritiheys laskukaavalla transistorit yhteensä / piirin pinta-ala.
 
Liittynyt
12.12.2016
Viestejä
2 671
Paitsi jos pelaa ilman kellotuksia niin erot ovat alle 20w
Ja suorituskykyerokin on siinä vaiheessa melko pieni, kun Intelinkin prossuja ajetaan jollain 4,7Ghz kelloilla. Ne jättiturbot kun ei vakiospeksien mukaan ole pysyvä tila.

Se on sit eri asia että esim Asuksen emot ajavat suoraan laatikosta sellaiset asetukset, jotka voidaan tulkita ylikellotukseksi ja ne jaksaa sit ylläpitää turboja pysyvästi
 
Toggle Sidebar

Statistiikka

Viestiketjut
102 137
Viestejä
2 048 972
Jäsenet
42 166
Uusin jäsen
kaipi

Hinta.fi

Ylös Bottom