Intel kertoi lisää Intel 4 -prosessin yksityiskohdista

Kaotik

Banhammer
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
14.10.2016
Viestejä
21 515


Kaotik kirjoitti uutisen/artikkelin:
Intel on kertonut IEEE:n VLSI Symposium tapahtumassa tarkempia tietoja Intel 4 -valmistusprosessista. Intel 4 tunnettiin aiemmin 7 nanometrin prosessina, kunnes yhtiö nimesi prosessinsa uudelleen kuvaamaan lähemmin kilpailevien prosessien nimellisiä "nanometrilukemia".

Intel 4 -prosessi tullaan ottamaan käyttöön tämänhetkisten tietojen valossa ensimmäisenä ensi vuoden Meteor Lake -prosessoreissa. Yhtiö on jo tiedottanut ensimmäisten Meteor Lake -prosessoreiden olevan toiminnassa sen laboratorioissa ja pyörittävän jo yleisimpiä käyttöjärjestelmiä. Meteor Lake tulee perustumaan useampaan siruun ja toistaiseksi ei tiedetä, tulevatko muut kuin itse prosessorisiru käyttämään Intel 4:ää vai jotain muuta tai muita prosesseja. Lisäksi tulevan Granite Rapidsin laskensirut valmistetaan Intel 4:llä.

Intel 4 on yhtiön ensimmäinen EUV-litografiaa hyödyntävä valmistusprosessi. Yhtiön mukaan prosessi tulisi tarjoamaan noin 20 % parempaa suorituskykyä per watti, kuin nykyinen Intel 7, jonka lisäksi prosessin tiheyttä on saatu parannettua jopa kaksinkertaiseksi, tai vähän ylikin. Prosessin evien väli on nyt 30, hilojen väli 50, minimi metallikerrosten väli 30 ja lopulta HP-kirjastojen korkeus 240 nanomeriä. Yksittäiset osat prosessista ovat kutistuneet 0,59-0,88-kertaisiksi Intel 7 -prosessin vastaavista.

Intelin ilmoittama prosessin tiheys mitataan HP-kirjastojen korkeuden ja hilojen välin muodostamana pinta-alana, mikä on kutistunut 0,49-kertaiseksi Intel 7:aan nähden ollen nyt 12 000 nm^2. Intelin mukaan esimerkiksi SRAM-solut eivät kuitenkaan skaalaudu uudella prosessilla vastaavasti, vaan ne kutistuvat noin 0,77-kertaiseen kokoon Intel 7:aan verrattuna.

Intelin 10 nanometrin eli sittemmin Intel 7:n ongelmat eivät varmasti jääneet keneltäkään huomaamatta. Niiden syyksi on epäilty muun muassa kuparin vaihtamista kobolttiin sirujen metallikerroksissa. Koboltin pitäisi parantaa transistorien elinikää kupariin verrattuna, mutta ilmeisesti kellotaajuuksien kannalta se on kuparia heikompi. Intel 4:ssä yhtiö onkin päättänyt käyttää niin sanottua "eCu"-kuparia eli koboltilla päällystettyä kuparia viidessä ensimmäisessä metallikerroksessa, kun lopuissa käytetään edelleen tavallista kuparia. Yhteensä Intel 4 prosessilla tullaan tekemään peräti 16-kerroksisia siruja, kun Intel 7 oli maksimissaan 15-kerroksinen.

Suosittelemme aiheesta kiinnostuneille lämpimästi AnandTechin kattavaa lähdeartikkelia aiheesta.

Lähde: AnandTech

Linkki alkuperäiseen juttuun
 
Toggle Sidebar

Statistiikka

Viestiketjut
238 960
Viestejä
4 187 683
Jäsenet
70 676
Uusin jäsen
Tapza82

Hinta.fi

Ylös Bottom