TSMC:ltä ensimmäinen 7 nanometrin EUV-prosessia käyttävä piiri

Kaotik

Banhammer
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
14.10.2016
Viestejä
17 669



Tilanne puolijohdevalmistajien vähälukuisilla markkinoilla on tapahtunut viime aikoina huomattavia muutoksia. Intel kärsii jatkuvista ongelmista 10 nanometrin valmistusprosessinsa kanssa, mikä on viivästyttänyt sen käyttöön ottoa jo yli kahdella vuodella, ja GlobalFoundries ilmoitti yllättäen lopettavansa sekä 7 nanometrin valmistusprosessin että EUV:n (Extreme UltraViolet -litografia) kehitystyön.

Kilpailijoiden ongelmat eivät ole hidastaneet kuitenkaan TSMC:tä. Markkinoille on vasta saatu ensimmäiset yhtiön valmistamat 7 nanometrin piirit ja nyt yhtiö kertoo saaneensa ensimmäisen 7 nanometrin EUV:tä hyödyntävällä ”7N+”-prosessilla valmistetun asiakaspiirin tape-out-vaiheeseen. 7N+-valmistusprosessissa voidaan käyttää EUV-teknologiaa maksimissaan neljässä kerroksessa.

7N+-prosessin uutisten lisäksi TSMC uskoo voivansa aloittaa riskituotannon 5 nanometrin EUV-prosessilla jo ensi vuoden maaliskuussa. 5N-prosessilla EUV:tä voidaan hyödyntää maksimissaan 14 kerroksessa, mikä tekee siitä ”täyden EUV-prosessin”.

TSMC:n kertomien lukujen mukaan 7N+ tulee tarjoamaan 6 – 12 % pienempää tehonkulutusta ja 20 % korkeampaa tiheyttä, ilmeisesti verrattuna nykyiseen 7N-prosesiin. 5N:n puolestaan povataan tarjoavan poikkeuksellisen tarkasti 14,7 – 17,7 prosenttia parempaa suorituskykyä samalla, kun pinta-ala pienenee 1,8 – 1,86 kertaisesti. Yhtiön ilmoittavat luvut perustuvat ARM Cortex-A72 -ytimillä tehtyihin testeihin.

Lähde: EETimes Asia

Linkki alkuperäiseen uutiseen (io-tech.fi)
 

Kaotik

Banhammer
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
14.10.2016
Viestejä
17 669
Mitä tarkoittaa "tape-out" vaihe?
Asiakkaan suunnitteleman piirin layout on valmis ja tuotannossa käytettävät maskit on toimitettu tehtaalle. Eli tuon jälkeen voi lyödä koneet käyntiin ja tuottamaan niitä piirejä.
 
Liittynyt
11.04.2018
Viestejä
243
Mielenkiintoinen uutinen, joutui vaan kommentit lukemaan ymmärtääkseen sitä paremmin :D on tekniikka kyllä mennyt pitkälle, ai että.
 

Deussu

Premium-jäsen
Liittynyt
18.10.2016
Viestejä
653
Käsittääkseni sitä että EUV:ta voidaan käyttää jokaisessa metallikerroksessa eikä vain muutamassa niinkuin tuossa edellisessä.
Jotenkin aiheeseen perehtymättömänä luulin aivopieruna EUV:n korvaavan nykytekniikan :sweatsmile:

Eli EUV on vain tekniikka nykyisessä piirituotannossa, jolla voidaan piirin tiettyjä osia maskata vielä pienemmin, kuin sen nm-markkinointitermi-valmistusprosessilla voi. Mitä eroa on sitten perinteisellä viivanleveyden pienentämisellä ja EUV:n tuomalla pienennyksellä? Jos TSMC tuo "aidon" 5nm tulevaisuudessa ja käyttää siihen EUV:ta, niin tuleeko siitä 3nm? :confused:

Saisi io-Tech tehdä aiheesta artikkelin, niin ymmärtäisi paremmin nykyisen piirituotannon sielunelämää :hmm:
 
Liittynyt
22.10.2016
Viestejä
8 534
Jotenkin aiheeseen perehtymättömänä luulin aivopieruna EUV:n korvaavan nykytekniikan :sweatsmile:

Eli EUV on vain tekniikka nykyisessä piirituotannossa, jolla voidaan piirin tiettyjä osia maskata vielä pienemmin, kuin sen nm-markkinointitermi-valmistusprosessilla voi.
Siellä ei mitään voi maskata lähellekään niin pieneksi, kuin markkinointitermi sanoo. Vaan sillä voi helpommin maskata asioita lähemmäs sitä lukua mitä markkinointitermit sanoo.

Nykyiset laitteistot toimivat tyypillisesti 193 nm aallonpituudella. Sillä pystytään helposti tekemään n. 36nm luokkaa olevia yksityiskohtia. Jos halutaan tehdä tätä pienempiä yksityiskohtia, joudutaan valottamaan asiat moneen kertaan, mikä on hidasta ja kallista.

Multiple patterning - Wikipedia

EUV tarkoittaa (vain) sitä, että käytetään selvästi lyhyempää aallonpituutta kuin 193nm.

Tällöin pystytään "natiivisti" pääsemään selvästi pienempiin kuin 36nm yksityiskohtiin, jolloin esim. nuo "7nm" markkinointinimellä(TSMC) ja "10nm" (Intel) myytävät prosessit (joissa todellisuudessa pienimmät yksityiskohdat on 18-20nm luokkaa) voidaan tehdä selvästi nopeammin ja halvemmalla, ja tulevaisuudessa ylipäätänsä pystytään pääsemään pienempiin kokoihin.

Mitä eroa on sitten perinteisellä viivanleveyden pienentämisellä ja EUV:n tuomalla pienennyksellä? Jos TSMC tuo "aidon" 5nm tulevaisuudessa ja käyttää siihen EUV:ta, niin tuleeko siitä 3nm? :confused:
Ei. Eikä ole mitään "normaalia josta tuo ominaisuus puuttuu". Vaan "normaalilla" viitataan vaan siihen 193nm aallonpituuteen mitä tällä hetkellä tyypillisesti käytetään. Esimerkiksi joskus 10 vuotta sitten käytettiin yleisesti vielä suurempia aallonpituuksia, 248nm.

Ja tosiaan johonkin 10nm todelliseen viivanleveyteen on aivan mahdotonta päästä 193nm aallonpituudella toimivalla laitteistolla.


edit: tai no, kyllä tuo EUV taitaa sittenkin erota aiemmista sen osalta, millaista optiikkaa sen kohdistamiseen käytetään, että ei se ole pelkästään sen valon aallonpituuden pienentämistä, se pienempi aallonpituus vaatii selvästi erilaisen optiikan.
 
Viimeksi muokattu:
Liittynyt
27.12.2016
Viestejä
1 511
Niin ne markkinat muuttuvat. Ei ole pitkä aika siitä kun TSMC tuomittiin konkurssiin kun ei gpu valmistuksessa päästy pienempiin prosesseihin. Nyt taitaa sitten olla se edistynein valmistaja tai ainakin taho joka pystyy tarjoamaan
 
Liittynyt
27.12.2016
Viestejä
471
Saisi io-Tech tehdä aiheesta artikkelin, niin ymmärtäisi paremmin nykyisen piirituotannon sielunelämää :hmm:
Tässä on tunnin esitelmä piirituotannosta. Video on vuodelta 2012, mutta EUV:n käyttöönotto on kestänyt niin kauan, että suunnittelu oli jo tuolloin pitkällä.

 
Toggle Sidebar

Statistiikka

Viestiketjut
148 846
Viestejä
2 828 658
Jäsenet
54 053
Uusin jäsen
loyzaa

Hinta.fi

Ylös Bottom