Toshiba esitteli maailman ensimmäisen TSV-teknologiaa hyödyntävän BiCS 3D NAND -Flash-muistin

[Kaotik]

Toshiballa on riittänyt viime aikoina kiireitä Flash-muistien saralla. Yhtiö on parin viikon sisään julkaissut maailman ensimmäiset 3D QLC BiCS -Flash-muistit, kehittänyt yhteistyössä Western Digitalin kanssa WD:n julkistamat 96-kerroksiset BiCS4 3D NAND -Flash-muistit ja nyt esitellyt maailman ensimmäiset TSV-teknologiaa hyödyntävät 3D BiCS -Flash-muistit.

Toshiban esittelemät uudet 3D BiCS -Flash-muistit hyödyntävät TSV- eli Through Silicon Via -teknologiaa. TSV tarkoittaa piirien läpi kulkevia läpivientejä, mikä helpottaa niiden pinoamista verrattuna yleisesti käytössä olevaan lankabondaukseen. TSV-teknologia nousi PC-maailmassa pinnalle etenkin niitä hyödyntävien HBM-muistien kautta, mutta Toshiba on hyödyntänyt teknologiaa myös aiemmissa "2D" eli yksikerroksisissa NAND-Flash-muisteissaan.

Uusissa muisteissa käytetävät solut perustuvat TLC-tekniikkaan (Triple-level Cell), jossa kuhunkin soluun talletetaan kolme bittiä dataa. TSV-teknologiaa hyödyntävät 3D BiCS -Flash-muistit ovat 48-kerroksisia ja niiden kapasiteetti on 512 gigabittiä. Siruja voidaan pinota samaan paketointiin maksimissaan 16 kappaletta, jolloin yhden paketoinnin maksimikapasiteetti on yksi teratavu.

Teratavun kapasiteetissa ei ole itsessään mitään uutta, vaan se on saavutettavissa myös perinteisillä lankabondausta käyttävillä piireillä. TSV:n hyödyt Flash-muisteissa tulevatkin Toshiban mukaan kasvavasta nopeudesta ja pienenevästä tehonkulutuksesta. Yhtiö ei kerro kuinka paljon suuremmasta nopeudesta on tarkalleen kyse, mutta kehuu energiatehokkuuden olevan noin kaksinkertainen vastaavan sukupolven lankabondausta käyttäviin piireihin verrattuna.

Toshiban lehdistötiedotteen mukaan prototyyppipiirien samplaus kehittäjille aloitettu kesäkuussa ja valmiiden näytetuotteiden lähetys asiakkaille tullaan aloittamaan vielä tämän vuoden puolella. Yhtiö tulee lisäksi esittelemään prototyyppipiirejä elokuussa pidettävässä 2017 Flash Memory Summit -tapahtumassa.

Huom! Foorumiviestistä saattaa puuttua kuvagalleria tai upotettu video.

Linkki alkuperäiseen uutiseen (io-tech.fi)

 

[Noddy]

"TSV:n hyödyt Flash-muisteissa tulevatkin Toshiban mukaan kasvavasta nopeudesta ja tehonkulutuksesta" Tuo kuulostaa vähän hassulta eikö?

 

[Marti77]

Onko tietoja piirien kirjoitus kestävyydestä?

 

[Kaotik]

"TSV:n hyödyt Flash-muisteissa tulevatkin Toshiban mukaan kasvavasta nopeudesta ja tehonkulutuksesta" Tuo kuulostaa vähän hassulta eikö?

Jep, näemmä lisäsin uupuvan sanan Wordiin mutten kopioinut uutiseen
Pitääkin katsoa kävikö jollekin muulle kohdalle samalla tapaa
Ja jatkossa tätä kautta vastaavat jutut: https://io-tech.fi/palaute

 

[IcePen]

Kerpeles miksi se tuhraa TSV Flash muistien kanssa kun TSV HBM2 muistejahan tässä tarvitaan ... Flash muisteilla on aivan riittävästi valmistajia muutenkin.

 

[IcePen]

Onko tietoja piirien kirjoitus kestävyydestä?

TSV:n ei luulisi vaikuttavan siihen mitenkään kun eihän se itse Flash muistisolua mitenkään muuta kun se on vain osa liitäntäväylää.

 

[Kaotik]

Kerpeles miksi se tuhraa TSV Flash muistien kanssa kun TSV HBM2 muistejahan tässä tarvitaan ... Flash muisteilla on aivan riittävästi valmistajia muutenkin.

Kaikki HBM-muistit käyttävät TSV:tä, sillä ne pinot kommunikoi sen pohjalla olevan logiikka/phy-kerroksen kanssa

 

[IcePen]

Kaikki HBM-muistit käyttävät TSV:tä.

Juuri niin että miksi tuo Toshiba haaskaan TSV kykyisen valmistuslinjan Flash muistien tekoon kun HBM muisteista on kova pula.

 

[Kaotik]

Juuri niin että miksi tuo Toshiba haaskaan TSV kykyisen valmistuslinjan Flash muistien tekoon kun HBM muisteista on kova pula.

Koska Toshiba ei valmista HBM-muisteja eikä mitään muitakaan DRAM-muisteja?

 

[IcePen]

Koska Toshiba ei valmista HBM-muisteja eikä mitään muitakaan DRAM-muisteja?

Pirskatin turskatin tyräys