- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 22 949
Tom's Hardware raportoi TechInsights- ja SemiWiki-sivustojen tuoreista Intelin 18A ("1,8nm"), Samsungin SF2 ("2nm") ja TSMC:n N2 ("2nm") valmistusprosessien vertailusta, kiitos IEDM-tapahtumassa (International Electronic Devices Meeting) kerrottujen tietojen.
TSMC:n N2-prosessin kerrotaan olevan joukon selvästi tihein HD-solujen tiheyden yltäessä jopa 313 miljoonaan transistoriin neliömilliä kohden. Intelin 18A:n HD-solujen tiheydeksi kerrotaan puolestaan 238 M transistoria per mm^2 ja Samsungin SF2:n eli entisen SF3P:n 231 M transistoria per mm^2. Lukujen kerrotaan osuvan verrattain hyvin yksiin TSMC:n arvioiden kanssa, mutta toisaalta se ei kerro mitään prosessien suorituskykyisten HP- tai matalan tehonkulutuksen LP-transistoreiden tiheydestä.
Suorituskyvyn osalta Intelin 18A:n odotetaan olevan hieman TSMC:n N2:ta sekä enemmän Samsungin SF2:ta edellä. Tom's Hardware kuitenkin huomauttaa, että suorituskykyarvio perustuu TSMC:n 16FF- ja Samsungin 14 nanometrin prosessien lähtötasoon, johon on lisätty valmistajien suorituskykyparannusväitteet per uusi prosessi.
Kumpikaan vertailusta ei ota myöskään huomioon prosessien erikoisominaisuuksia, kuten TSMC:n FinFlex ja NanoFlex tai Intelin Backside Power Delivery, jonka uskotaan helpottavan prosessin optimointia suorituskykyä ja energiatehokkuutta merkittävästi, mutta toisaalta tarkoittavan samalla matalampaa transistoritiheyttä.
Lähteet: Intel's 18A and TSMC's N2 process nodes compared: Intel is faster, but TSMC is denser, TechInsights Platform, IEDM 2025 – TSMC 2nm Process Disclosure – How Does it Measure Up? - Semiwiki
TSMC:n N2-prosessin kerrotaan olevan joukon selvästi tihein HD-solujen tiheyden yltäessä jopa 313 miljoonaan transistoriin neliömilliä kohden. Intelin 18A:n HD-solujen tiheydeksi kerrotaan puolestaan 238 M transistoria per mm^2 ja Samsungin SF2:n eli entisen SF3P:n 231 M transistoria per mm^2. Lukujen kerrotaan osuvan verrattain hyvin yksiin TSMC:n arvioiden kanssa, mutta toisaalta se ei kerro mitään prosessien suorituskykyisten HP- tai matalan tehonkulutuksen LP-transistoreiden tiheydestä.
Suorituskyvyn osalta Intelin 18A:n odotetaan olevan hieman TSMC:n N2:ta sekä enemmän Samsungin SF2:ta edellä. Tom's Hardware kuitenkin huomauttaa, että suorituskykyarvio perustuu TSMC:n 16FF- ja Samsungin 14 nanometrin prosessien lähtötasoon, johon on lisätty valmistajien suorituskykyparannusväitteet per uusi prosessi.
Kumpikaan vertailusta ei ota myöskään huomioon prosessien erikoisominaisuuksia, kuten TSMC:n FinFlex ja NanoFlex tai Intelin Backside Power Delivery, jonka uskotaan helpottavan prosessin optimointia suorituskykyä ja energiatehokkuutta merkittävästi, mutta toisaalta tarkoittavan samalla matalampaa transistoritiheyttä.
Lähteet: Intel's 18A and TSMC's N2 process nodes compared: Intel is faster, but TSMC is denser, TechInsights Platform, IEDM 2025 – TSMC 2nm Process Disclosure – How Does it Measure Up? - Semiwiki
