Juha Kokkonen
Ylläpidon jäsen
- Liittynyt
- 17.10.2016
- Viestejä
- 14 123
10 nanometrin toisen sukupolven FinFET-tekniikalla valmistettava piiri on fyysisesti selvästi Snapdragon 820 -edeltäjämallia pienempi, joka tarkoittaa lisää tilaa laiteen muille komponenteille. Virrankulutus on puolestaan yhdessä diassa näkyvän kuvaajan perusteella 50 % pienempi, kuin Snapdragon 801 -piirillä.
Diojen mukaan piirissä käytetään Kryo 280 -prosessoriytimiä, joita on kaikkiaan kahdeksan kappaletta. Prosessoriytimistä neljä on ns. performance-ytimiä, joiden kellotaajuus on maksimissaan 2,45 GHz ja jossa on kaksi megatavua L2-tason välimuistia. Neljä efficiency-ydintä toimivat puolestaan 1,9 GHz maksimikellotaajuudella (1 Mt L2) ovat käytössä suurimman osan ajasta. Kellotaajuudet ovat alhaisempia, kuin aiemmin on huhuiltu.
Uuden Adreno 540 -grafiikkasuorittimen kehutaan olevan 25 % suorituskykyisempi ja pystyvän näyttämään 60 kertaa enemmän värisävyjä kuin Adreno 530. Näyttösuoritin (DPU) tukee 4K-tarkkuuden näyttöjä 60 FPS:n ruudunpäivitysnopeudella. Videosuoritin (VPU) mahdollistaa 10-bittisen HEVC-videotoiston 4K-tarkkuudella.
Lisäksi piiristä löytyy diojen mukaan mm. Spectra 180 -kuvasignaaliprosessori, Hexagon 690 -digitaalisignaaliprosessori, Haven-tietoturvayksikkö ja iZat-paikannusyksikkö. Tuetun Quick Charge 4 -pikalatauksen kerrotaan mahdollistavan akun lataaminen 20 % nopeammin kuin QC3:lla. X16 LTE-modeemin puolestaan kehutaan olevan ensimmäinen "gigabittiluokan" LTE-modeemi.
Qualcomm on jo aiemmin vahvistanut Twitter-sivuillaan esittelevänsä Snapdragon 835 -piirin loppuviikosta Las Vegasissa alkavilla CES-messuilla, joten muutaman päivän päästä näemme olivatko Videocardzin vuotamat diat aitoja tai lopullisia versioita.
Lähde: Videocardz.com
Linkki alkuperäiseen uutiseen (io-tech.fi)