- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 22 377
SK Hynix on ilmoittanut aloittaneensa maailman ensimmäisten 128-kerroksisten NAND-muistien valmistuksen. Yhtiö kutsuu muistejaan 4D NAND -muisteiksi niiden käyttämän Periphery Under Circuit -teknologian vuoksi, jossa piirin oheislogiikka on sijoitettu muistisolujen alle eikä rinnalle, kuten useimmissa 3D NAND -ratkaisuissa.
SK Hynixin ensimmäiset 128-kerroksiset NAND-muistit tarjoavat teratavun kapasiteetin TLC-tyyppisten (Triple-Level Cell) solujen avulla. TLC-soluissa kuhunkin soluun tallennetaan 3 bittiä tietoa. Kyseessä on samalla ensimmäinen markkinoille saatava terabitin TLC-tyyppinen NAND-siru. Aiemmin terabitin kapasiteettiin yhdellä sirulla on ylletty 4-bittiä per solu tallentavilla QLC-tyyppisillä (Quad-Level Cell) soluilla.
Uusien muistisirujen I/O-väylän kerrotaan kykenevän 1400 Mbps:n siirtonopeuksiin 1,2 voltin käyttöjännitteellä. Siruja aletaan toimittaa varsinaisten tuotteiden valmistajille kuluvan vuoden jälkimmäisen puoliskon aikana. Lisäksi yhtiö aikoo aloittaa omaan ohjainpiiriinsä ja 128-kerroksisiin NAND-siruihin perustuvien 2 teratavun SSD-asemien valmistuksen ensi vuoden ensimmäisellä puoliskolla. Seuraavaksi yhtiö keskittyy 176-kerroksisten NAND-muistien kehittämiseen.
Lähde: SK Hynix
Huom! Foorumiviestistä saattaa puuttua kuvagalleria tai upotettu video.
Linkki alkuperäiseen uutiseen (io-tech.fi)
Palautelomake: Raportoi kirjoitusvirheestä
Viimeksi muokattu: