Samsungilta 512 Gt:n eUFS-muisti mobiililaitteisiin

[Juha Kokkonen]

Samsung on ilmoittanut aloittaneensa mobiililaitteiden tallennusratkaisuksi tarkoitetun 512 gigatavun eUFS-muistin (embedded Universal Flash Storage) massatuotannon. Ratkaisuissa käytetään yrityksen uusia 64-kerroksisia V-NAND-muistipiirejä (8 kpl) sekä muistikontrolleria yhdeksi kokonaisuudeksi pinottuna. Uuden muistiratkaisun perättäislukunopeudeksi kerrotaan 860 Mt/s ja kirjoitusnopeudeksi 255 Mt/s.

Lähde: Businesswire

 

[E_Mustakari]

Tämä saa meikäläisen koneessa raksuttavan 120Gt ide-levyn vaikuttamaan jo ehkä vähän vanhanaikaiselta.