Samsung kertoi muistiteknologioden kehityksestä: DDR6, GDDR6+ ja GDDR7 sekä HBM3

Kaotik

Banhammer
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
14.10.2016
Viestejä
17 658


Kaotik kirjoitti uutisen/artikkelin:
Samsung on pitänyt teknologiapäivänsä varsin pienellä profiililla ainakin muistien osalta. Saksalainen ComputerBase on kuitenkin ollut saanut raavittua tapahtumasta kokoon raportin, joka paljastaa Samsungin näkemyksiä muistiteknologioiden seuraavista sukupolvista.

Vaikka DDR5 saapui vasta markkinoille, on DDR6:n kehitystyö jo käynnissä, vaikkakin ainakin Samsungin mukaan kehitystyö on vielä suhteellisen aikaisessa vaiheessa. DDR6-muistit tulevat jatkamaan DDR5:n viitoittamalla tiellä ja siinä missä DDR5 hylkäsi 64-bittisen muistiväylän kahden 32-bittisen tieltä, tulee DDR6 vaihtamaan kaksi 32-bittistä kanavaa neljäksi 16-bittiseksi kanavaksi. Työn alla on myös vähävirtaiset LPDDR6-muistit, mutta 20 % paremman energiatehokkuuden ja kasvavien nopeuksien lisäksi niistä ei ole vielä kerrottavaa.

DDR6-muistien pitäisi tämän hetken tietojen mukaan tulla yltämään 12 800 MT/s -siirtonopeuksiin asti (DDR6-12800). Ylikellotettaessa tilanne kuitenkin muuttuu yhtiön suunnitelmien mukaan rajusti; siinä missä nykyisten DDR5-muistien (JEDEC 6400 MT/s) uskotaan yltävän noin 8 400 MT/s -tasolle (DDR5-8400), puhuu Samsung DDR6-ylikellotusmuistien yltävän jopa 17 000 MT/s tasolle asti (DDR6-17000).

Näytönohjaimissa käytetään yleisesti tällä hetkellä GDDR6-muisteja, joskin saatavilla on myös Micronin omat GDDR6X-muistit. GDDR6 yltää tällä hetkellä 18 Gbps:n (18 000 MT/s) nopeuksiin, mutta yhtiön visioima ”GDDR6+” tulisi yltämään jopa 24 Gbps:n nopeudella 1z-prosessilla valmistettuna. Myös GDDR7-teknologia on jo työn alla ja sen odotetaan yltävän näillä näkyvin 32 Gbps:n nopeuksiin (32 000 MT/s). GDDR7-teknologiaan tulee ComputerBasen mukaan kuulumaan myös ”reaaliaikainen virheenkorjausominaisuus”, mutta sen tarkemmasta luonteesta ei ole tässä vaiheessa tietoa.

Viimeisimpänä muttei vähäisimpänä, myös Samsung on ilmoittanut olevansa edelleen mukana HBM-junan kyydissä. Vaikka ensimmäinen muistivalmistaja on jo ehtinyt ilmoittaa sen HBM3-muistien olevan jo valmiita ja tulevan käyttöön tuotteissa ensi vuoden aikana, Samsung alkoo saada omansa tuotantoon vasta ensi vuoden toisen neljänneksen aikana. Yhtiön HBM3-muistien odotetaan yltävän noin 800 Gt/s:n nopeuksiin per muistipino, kun SK Hynixin ensimmäisenä esittelemille kerrottiin nopeudeksi 819 Gt/s.

Lähde: ComputerBase

Linkki alkuperäiseen juttuun
 
Viimeksi muokattu:
Liittynyt
30.12.2020
Viestejä
40
Hmm, miksi nopeudet pitää ilmoittaa turhan monimutkaisesti ns 17000 MT/s ja 800Gbps.
Eikös olisi vertailun kannalta vähän parempi jos muutetaan samaan ja lähimpään sopivaan yksikköön molemmat...eli

DDR6 olisi siis 16.6GB/s ja HBM3 100GB/s
 
Liittynyt
21.10.2016
Viestejä
832
Hmm, miksi nopeudet pitää ilmoittaa turhan monimutkaisesti ns 17000 MT/s ja 800Gbps.
Eikös olisi vertailun kannalta vähän parempi jos muutetaan samaan ja lähimpään sopivaan yksikköön molemmat...eli

DDR6 olisi siis 16.6GB/s ja HBM3 100GB/s
MT/s ei ole tavuja sekunnissa. Eikä edes bittiä sekunnissa. Se on kellotaajuuteen verrannollinen luku(MegaTransfers), pinninopeus. Ennen puhuttiin MHz:stä mutta koska muisteja on nykyään DDR ja QDR tyyppisiä niin tuo MT/s on niille yhtenäinen tapa ilmasta pinninopeus riippumatta montako bittiä siirtyy per kellojakso. Tavut ja bitit saa kun kertoo MT/s luvun väylän leveydellä. Tyypillinen deskarin keskusmuisti eli 2x64bit tekisi 272GB/s(128/8 x 17000). 4-kanavaisena tuplat.
Uutisen HBM nopeuksissa on taas virhe koska pitäisi olla 800GB/s ja 819GB/s. Pinninopeus on tuolloin 6,25MT/s ja 6,4MT/s sekä väylän leveys on 1024bit(yhdelle HBM paketille).
 
Liittynyt
22.10.2016
Viestejä
8 511
Hmm, miksi nopeudet pitää ilmoittaa turhan monimutkaisesti ns 17000 MT/s ja 800Gbps.
Eikös olisi vertailun kannalta vähän parempi jos muutetaan samaan ja lähimpään sopivaan yksikköön molemmat...eli

DDR6 olisi siis 16.6GB/s ja HBM3 100GB/s
Ei ole, koska muistikammat eivät ole 8-bittisiä.

Tuo MT/s ilmaisee sen, montako kertaa sekunnissa muistiväylä pystyy siirtämään dataa, mutta se ei ota kantaa siihen, paljonko dataa se siirtää kerrallaan.

Normaalit DIMMit ovat 64-bittisiä ( == 8-tavuisia), eli teoreettinen kaistanleveys tavuissa yhdellä DIMMillä on 8-kertaisesti tuo 16.6 GiB/s (eli siis >130 GiB/s), kahdella rinnakkaisella DIMMillä (yleisin normaalien PCiden muistikonfiguraatio) 16-kertaisesti tuo (>260 GiB/s)

Lisäksi lasket gigatavun muutenkin väärin. Gigatavu on virallisesti miljardi tavua, ja tämä on AINA tiedonsiirrossa laskettu näin, epävirallista 2-kantaista väärää laskentatapaa on käytetty vain kapasiteeteissa, ei koskaan tiedonsiirrossa. Gibitavu on sitten 1024*1024*1024.
 
Viimeksi muokattu:

Tony Ma

LAMAO
Make ATK Great Again
Liittynyt
24.11.2021
Viestejä
142
Jahansas, ettei nyt vaan kävis niin, että DDR5 jää omalta osaltani kokematta kun Alder Lake DDR4 laudan kera. Kun tuo DDR6 rynnii päälle, ajallisesti pari vuotta on kyllä varsin lyhyt aika serrimaailmassa.
 

Kaotik

Banhammer
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
14.10.2016
Viestejä
17 658
Jahansas, ettei nyt vaan kävis niin, että DDR5 jää omalta osaltani kokematta kun Alder Lake DDR4 laudan kera. Kun tuo DDR6 rynnii päälle, ajallisesti pari vuotta on kyllä varsin lyhyt aika serrimaailmassa.
Sen kehitys on siis vielä aikaisessa vaiheessa, ei tarkoita että olisi tulossa heti nurkan takaa.
 

Tony Ma

LAMAO
Make ATK Great Again
Liittynyt
24.11.2021
Viestejä
142
Lisäksi tuo DDR5 ja 6 skaalautuvuus melko mielenkiintoista. Tosin tuskimpa "ensimmäinen DDR6" sentään 100% ylikelloja ottaa, jos nyt vaikkapa ajatellaan ensimmäisiä 2133-2666MHz kampoja, niin eipä ne kulje mihinkään yleisesti, jo 3000MHz on tuskan takana.

Siinähän jos DDR6 binnattaisiin kautta linjan ties mille nopeuksille, mutta lopputulema olisi numeroina kuitenkin "vain 17000", niin luonnollisestihan kauppansa tekisi pääasiassa halvimmat kitit. :kahvi: Mutta eiköhän Samsung viitannut erikoisempaan, hiotumpaan tuotteeseen ja siihen mitä sillä saavutetaan helpohkosti.
 
Liittynyt
21.10.2016
Viestejä
832
Sen kehitys on siis vielä aikaisessa vaiheessa, ei tarkoita että olisi tulossa heti nurkan takaa.
Normaalia että uuden standardin kehitystyö alkaa silloin kun edeltävä loppuu. DDR5:sta ilmoitettiin jo vuonna 2015 eli ennenkuin kuluttajakoneissa oli edes DDR4:sta(skylake 2016) ja kesti 6 vuotta että saatiin ne tuotteiksi kauppoihin. Ei tarvi olla kovin vahvasti ennustajaeukon vikaa että aikaväli on vastaava nytkin. Ja voihan tuo myöhästyä kuten DDR4.
 

Kaotik

Banhammer
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
14.10.2016
Viestejä
17 658
Lisäksi tuo DDR5 ja 6 skaalautuvuus melko mielenkiintoista. Tosin tuskimpa "ensimmäinen DDR6" sentään 100% ylikelloja ottaa, jos nyt vaikkapa ajatellaan ensimmäisiä 2133-2666MHz kampoja, niin eipä ne kulje mihinkään yleisesti, jo 3000MHz on tuskan takana.

Siinähän jos DDR6 binnattaisiin kautta linjan ties mille nopeuksille, mutta lopputulema olisi numeroina kuitenkin "vain 17000", niin luonnollisestihan kauppansa tekisi pääasiassa halvimmat kitit. :kahvi: Mutta eiköhän Samsung viitannut erikoisempaan, hiotumpaan tuotteeseen ja siihen mitä sillä saavutetaan helpohkosti.
JEDECiltä odotetuista maksiminopeuksista kyse tuossa, ei minimi
 
Toggle Sidebar

Statistiikka

Viestiketjut
148 373
Viestejä
2 813 476
Jäsenet
53 993
Uusin jäsen
wayne gretzky99

Hinta.fi

Ylös Bottom