Samsung julkaisi nopeuden ja kapasiteetin kaksinkertaistavan GDDR6W-muististandardin

[Kaotik]

Kaotik kirjoitti uutisen/artikkelin:
Samsung on julkaissut uuden muististandardin, joka kykenee tarjoamaan liki HBM2E:n veroista kaistaa verrattain perinteisillä muistisiruilla ja maltillisemmalla väylällä. Uudet GDDR6W-muistit ovat käyneet kaikessa hiljaisuudessa läpi jo JEDEC-standardoinnin, mutta tarkkaa tietoa sen markkinoille tulosta ei vielä ole. Näytönohjainvalmistajien kerrotaan kuitenkin olevan vahvasti mukana ja muistipiirien sopivan niin kannettaviin kuin vaikka tekoäly- tai HPC-piireihin.



GDDR6W-muistit perustuvat nimensä mukaisesti tuttuun GDDR6-teknologiaan, mutta eroja löytyy paitsi muistiväylän leveydestä, myös piirien sisältä. Siinä missä nykyiset GDDR6-piirit rakentuvat yhdessä paketoinnissa kahdesta samalla piirilevylle asennetusta muistisirusta, on GDDR6W-muisteissa yhteensä neljä muistisirua eikä lainkaan piirilevyä. Kaksinkertainen määrä muistisiruja kasvattaa myös muistipiirien kapasiteetin kaksinkertaiseksi, eli nykyisestä 16 gigabitistä 32 gigabittiin.

Nykyiset GDDR6-muistit on varustettu kahdella 16-bittisellä eli yhteensä 32-bittisellä muistiväylällä, mikä muistisirujen kaksinkertaistumisen myötä on nyt kasvatettu 64-bittiseksi. Oletettavasti se rakentuu neljästä erillisestä 16-bittisestä kanavasta, mutta tästä ei ole vielä varmuutta.

Vaikka sirut muistipiirin sisällä ovat nyt kahdessa kerroksessa on koko muistipiiri jopa aiempaa matalampi, kiitos poistetun piirilevyn. GDDR6-muistien korkeus on 1,1 mm, kun GDDR6W-muistit ovat 0,7 mm korkeita. Muilta mitoiltaan piirit ovat identtisiä, mikä helpottaa niiden integrointia tuotteisiin.



GDDR6W-muistit hyödyntävät FOWLP- eli Fan-Out Wafer-Level Packaging -teknologiaa ja 3D-paketointia. Piirin sisällä neljä muistisirua on pinottu kahteen kerrokseen ja piirilevyt on korvattu piipohjaisilla RDL-väylillä (Re-Distribution Layer). Ylemmän kerroksen RDL on yhteydessä alempaan kuparipalkeilla.



Piirit toimivat tässä vaiheessa 22 Gbps:n nopeudella, eli ne ovat lähes yhtä nopeita kuin nykyiset GDDR6-muistit. Yhdistettynä leveämpään väylään se mahdollistaa lähes HBM2E:n veroisen kaistan perinteisin piirein ja verrattain maltillisin väylin. Samsungin esimerkissä 512-bittisen väylän jatkeena olevat kahdeksan GDDR6W-muistipiiriä tarjoavat 1,4 Tt/s kaistaa, kun HBM2E yltää neljän muistipinon 4096-bittisellä väylällä ja 3,2 Gbps:n nopeudella 1,6 Tt/s kaistaan.

Lähde: Samsung

Linkki alkuperäiseen juttuun

 

[ANTI_L]

No nyt aletaan olemaan hyvissä muistikaistoissa. Josko näillä saisi punainen leiri päästyä eroon mahdollisista muistikaistan rajoituksista. Toisalta RDNA-arkkitehtuuriperhe ei vaikuttaisi enää niin muistikaistarajoitteiselta vaan alkaa olla pullonkaulat muualla.

 

[prc]

Hmmh.. Näiden kanssa liene jäähdytys taas entistä tärkeämpää, lienekkö noissa jo ihan oikeasti hajoamisen riski jos valmistaja kötöilee jäähdyttimen kontaktit. Hyvältä vaikuttaa.

 

[Fanboys Suck]

Miksi jäähdytys olisi sen kriittisempää näissä kuin muissakaan muisteissa?

 

[S@ber]

Miksi jäähdytys olisi sen kriittisempää näissä kuin muissakaan muisteissa?

Virrankulutusta ei mainita, mutta oletettavasti sähköä palaa GDDR6X muistejakin enemmän. Ja jäähdytettävä pinta-ala on sama

 

[Kaotik]

Virrankulutusta ei mainita, mutta oletettavasti sähköä palaa GDDR6X muistejakin enemmän. Ja jäähdytettävä pinta-ala on sama

Mutta ohuempi piiri (ja piirilevyn puutos) parantaa lämmön siirtymistä

 

[Kaotik]

No nyt aletaan olemaan hyvissä muistikaistoissa. Josko näillä saisi punainen leiri päästyä eroon mahdollisista muistikaistan rajoituksista. Toisalta RDNA-arkkitehtuuriperhe ei vaikuttaisi enää niin muistikaistarajoitteiselta vaan alkaa olla pullonkaulat muualla.

Sulta vissiin jäänyt huomaamatta se yksityiskohta, että GDDR6 tarjoaa ihan saman kaistan kuin GDDR6X nykyään? Toki välissä oli aikaa, kun GDDR6X:t toimivat nopeampina, mutta se on jo mennyttä.

 

[prc]

Virrankulutusta ei mainita, mutta oletettavasti sähköä palaa GDDR6X muistejakin enemmän. Ja jäähdytettävä pinta-ala on sama

Näin kanssa pähkäilin, että paketin sisällä 4 piiriä kuormitettuna tuottaisi enemmän lämpöä kuin 2. Ja kun ne ovat kerroksissa, niin alemmat varmasti käyvät lämpöisempinä kuin ylemmät.

Toki Kaotik:n mainitsema ohuempi paketointi parantaa lämmön siirtymistä, mutta jos rivaston kontaktin on suurimmalta osin "Sitä Itseään (TM)" niin saattaa alemmat piirit ottaa lämpöä melkoisesti.

 

[Dehir]

Mutta ohuempi piiri (ja piirilevyn puutos) parantaa lämmön siirtymistä

Jonka tarjoama hyöty kuoleutuu varmaankin samassa suhteessa kun muistien nopeuksia lisätään.

Kyllähän nämä uudet muistitekniikat vaatii paremmin toteutettua jäähdytystä. Kryptovaluuttojen mainaus osoittanut kuinka heikkoja nuo GDDR6X oikeastaan on hajoamaan kun muisteja pusketaan äärimmilleen. Unohtamatta HBM2 muisteja esim Vega korteissa. Yleisin leviämistä aiheuttava tekijä taisi olla myös noissa Vega korteissakin HBM leviäminen ihan perus pelikäytössä.

Toki työpöytäkäyttöön suunniteltujen näytönohjaimien ensisijainen käyttötarkoitus ei edelleenkään ole kryptovaluuttojen mainaus vaan pelaaminen ja mahdollisesti muu renderöinti mutta silti antaa kuvan GDDR6X:n jäähdyttämisen tarpeesta. Näiden uusien piirien kohdalla trendi tuskin tulee muuttumaan ja jäähdytyksen tärkeys korostuu.

 

[bladE_666]

Mutta ohuempi piiri (ja piirilevyn puutos) parantaa lämmön siirtymistä

Tarkoittanet tuon piirin koteloinnin ohuutta, et itse piiriä/ydintä? Nuo on taas pinottu päällekkäin ja jos teho on sama, on kuumat paikat. Siis jos on.

 

[Kaotik]

Tarkoittanet tuon piirin koteloinnin ohuutta, et itse piiriä/ydintä? Nuo on taas pinottu päällekkäin ja jos teho on sama, on kuumat paikat. Siis jos on.

Tarkoitan piirillä kokonaisuutta, siruilla niitä varsinaisia muistisiruja siellä paketoinnin sisällä. Käytän samaa terminologiaa (tai ainakin yritän muistaa käyttää) uutisissa myös esim chipleteissä samaan tapaan: piiri koko paketti, sirut yksittäisiä siruja. Esim Navi 31 -piiri rakentuu seitsemästä sirusta (1x GCD, 6x MCD)