Samsung julkaisi maailman ensimmäisen eUFS 3.0 -muistin

[Kaotik]

JEDEC päivitti etenkin kuluttajaelektroniikassa ja mobiililaitteissa käytettävän Universal Flash Storage -standardin 3.0-versioon jo yli vuosi sitten tammikuussa 2018. UFS 3.0 -standardia hyödyntäviä tuotteita ei ole kuitenkaan nähty vielä markkinoilla asti.

Nyt Samsung on tiedottanut aloittaneensa maailman ensimmäisen eUFS 3.0 -muistin (embedded UFS) valmistuksen. 96-kerroksisen muistipiirin kapasiteetti on 512 Gt ja se perustuu TLC V-NAND -soluihin. Muistipiirin luvataan tarjoavaan parhaimmillaan 2100 Mt/s:n perättäisluku- ja 410 Mt/s:n kirjoitusnopeutta. Sattunnaisluku- tai -kirjoitusnopeuksista ei ole toistaiseksi tietoa.

UFS 3.0 -standardia tukeva muistipiiri on varustettu kahdella HS-Gear3-kaistalla, jotka tarjoavat kumpikin 11,6 GT/s:n (GigaTransfers) siirtonopeuden. Yhteensä muistipiirin väylän mainostetaan kykenevän 2900 Mt/s:n nopeuksiin, vaikkei se muistipiirin lukunopeudessa realisoidukaan.

512 Gt:n version lisäksi Samsung julkaisee tässä kuussa 128 Gt:n eUFS 3.0 -muistin, mutta sen nopeuksista ei ole tällä hetkellä tietoa. Yhtiö aikoo julkaista kuluvan vuoden aikana lisäksi 256 ja 1024 Gt:n eUFS 3.0 -muistit.

Samsung tulee käyttämään uusia eUFS 3.0 -piirejään ensimmäisenä taittuvanäyttöisessä Galaxy Fold -älypuhelimessaan. Galaxy S10 -sarjassa yhtiö on tyytynyt hitaamman eUFS 2.1 -standardin mukaiseen tallennustilaan.

Lähde: Samsung

Linkki alkuperäiseen uutiseen (io-tech.fi)