- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 21 543
Kaotik kirjoitti uutisen/artikkelin:
Samsung lähti PCI Express 4.0 -aikakauteen mukaan verrattain myöhään, mutta uusien NAND-sirujen kehittämisessä se ei ole hidastellut. Nyt yhtiö on esitellyt 7. sukupolven V-NAND-piirinsä tuleviin SSD-asemiin.
Samsungin 7. sukupolven V-NAND-piiri rakentuu yhteensä 176 kerroksesta. Huolimatta tästä, sen kerrotaan olevan korkeudeltaan samaa luokkaa 6. sukupolven reilun 100-kerroksisen V-NANDin kanssa. Verrattain matala korkeus on saavutettu yhtiön uusilla, toistaiseksi markkinoiden pienimpien solukokojen kautta. Tiedotteen mukaan kunkin solun tilavuutta on saatu kutistettua yhteensä noin 35 % pienentämällä solua sekä vaaka- että pystysuunnassa.
7. sukupolven V-NAND-piirien suorituskyvyn pitäisi Samsungin mukaan riittää paitsi PCIe 4.0 -väyläisille SSD-asemille, myös tuleville PCIe 5.0 -väyläisille asemille. Yhden sirun kerrotaan tarjoavan maksimissaan 2 Gbps:n I/O-nopeuden. Lisäksi yhtiö aikoo optimoida tulevia SSD-asemiaan erittäin raskaiden sovellusten moniajoa ajatellen. Kaiken muun päälle uuden sukupolven V-NANDin kerrotaan tarjoavan 16 % parempaa energiatehokkuutta 6. sukupolveen verrattuna.
Samassa yhteydessä Samsung kertoi 8. sukupolven V-NAND-piirien kehitystyön olevan jo niin hyvällä mallilla, että se on saanut tuotettua jo ensimmäisen toimivan yli 200-kerroksisen piirin. Yhtiön mukaan niiden julkaisuaikataulu tulee riippumaan ennen kaikkea markkinoiden kysynnästä, tarkentamatta asiaa sen kummemmin.
Lähde: Samsung
Linkki alkuperäiseen juttuun
Viimeksi muokattu:
