- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 22 211
Samsung on ilmoittanut aloittaneensa toisen sukupolven 10 nanometriluokan DRAM-piirien valmistuksen. Yhtiö puhuu pelkkien nanometrien sijaan nanometriluokasta, sillä todellisuudessa se tarkoittaa 10 - 19 nanometrin valmistusprosesseja eikä Samsung paljasta tarkemmin mikä prosessi on käytössä.
Uudet DRAM-piirit ovat tyypiltään DDR4-muisteja ja kapasiteetiltaan 8 gigabittisiä. Samsungin markkinointiosaston mukaan ne mahdollistavat 30 % paremman tuottavuuden ensimmäisen sukupolven 10 nanometriluokan DRAM-piireihin verrattuna, jonka lisäksi piirien energiatehokkuus on parantunut 10 - 15 prosenttia. Muistipiirien maksiminopeudeksi luvataan 3600 Mbps.
Lähde: Samsung Now Mass Producing Industry’s First 2nd-generation, 10-Nanometer Class DRAM
Uudet DRAM-piirit ovat tyypiltään DDR4-muisteja ja kapasiteetiltaan 8 gigabittisiä. Samsungin markkinointiosaston mukaan ne mahdollistavat 30 % paremman tuottavuuden ensimmäisen sukupolven 10 nanometriluokan DRAM-piireihin verrattuna, jonka lisäksi piirien energiatehokkuus on parantunut 10 - 15 prosenttia. Muistipiirien maksiminopeudeksi luvataan 3600 Mbps.
Lähde: Samsung Now Mass Producing Industry’s First 2nd-generation, 10-Nanometer Class DRAM
