Qualcomm esitteli Snapdragon 835 -järjestelmäpiirinsä

[Juha Kokkonen]

Kyseessä on markkinoiden ensimmäinen kaupallinen järjestelmäpiiri, joka valmistetaan 10 nanometrin FinFET-prosessilla. Sen ansiosta Snapdragon 835:n kerrotaan olevan fyysisesti 35 % pienempi ja kuluttavan 25 % vähemmän virtaa kuin edeltäjämalli Snapdragon 820. Piirin suunnittelussa on huomioitu erityisesti VR-käyttö sekä täysi Windows 10 -tuki. Ominaisuudet ovat tutut pari päivää sitten vuotaneista dioista.

Snapdragon 835:ssä käytetään uusia Kryo 280 -prosessoriytimiä, joita on kaikkiaan kahdeksan kappaletta. Niistä neljä 2,45 GHz:n maksimikellotaajuudella toimivaa huolehtii suorituskykyä vaativista tehtävistä ja toiset neljä 1,9 GHz:n maksimikellotaajuudella toimivaa puolestaan kaikista tavallisista vähemmän suorituskykyä vaativista tehtävistä. Snapdragon 835 käyttää kaksikanavaista 1833 MHz:n kellotaajuudella toimivaa LP-DDR4x-muistiohjainta.

Uuden Adreno 540 -grafiikkasuorittimen kerrotaan olevan 25 % suorituskykyisempi kuin edellisen sukupolven ratkaisu. Se tukee OpenGL ES 3.2-, OpenCL 2.0-, Vulkan- ja DirectX 12 -rajapintoja.

Uusi X16 LTE-modeemi mahdollistaa Cat.16/13-luokkien mukaiset nopeudet, eli jopa gigabitin teoreettisen latausnopeuden ja sekä 150 Mbit/s lähetysnopeuden. Piiri sisältää myös ensimmäisenä markkinoilla Bluetooth 5.0 -tuen ja tuettuina ovat lisäksi 2x2 802.11ac Wave-2- ja 802.11ad Multi-gigabit Wi-Fi-yhteydet.

Hexagon 682 DSP tarjoaa nyt entistä paremman tuen koneoppimiselle ja kuvien prosessoinnille Google TensorFlow- ja Halide-tuen sekä HVX -laajennuksiin tehtyjen parannusten myötä. Haven-turvallisuusalusta puolestaan parantaa rautatasolla biometrisen tunnistautumisen sekä laitteen todentamisen tietoturvaa.

Spectra 180 ISP -kuvasignaaliprosessori tukee jopa 32 megapikselin yhtä kamerasensoria tai kahta 16 megapikselin kamerasensoria. Tuettuna on myös videokuvaus 4K-tarkkuudella 30 FPS:n ruudunpäivitysnopeudella, sekä videotoisto 4K-tarkkuudella 60 FPS ruudunpäivitysnopeudella.

Quick Charge 4 -pikalataus on 20 % nopeampi ja toimii 30 % paremmalla hyötysuhteella, kuin edellinen versio. Se tukee lisäksi USB Type-C Power Delivery -standardia.

Snapdragon 835 -järjestelmäpiirin massatuotanto on alkanut ja se nähdään kaupallisissa laitteissa kuluvan vuoden ensimmäisen puoliskon aikana. Se tullaan todennäköisesti näkemään useiden älypuhelinvalmistajien lippulaivamalleissa.

Lähde: Qualcommin tuotesivu, Qualcommin lehdistötiedote

Linkki alkuperäiseen uutiseen (io-tech.fi)

 

[Sargo]

Mielenkiintoisena yksityiskohtana ytimet ovat semi-customeja eli Kryo 280:n perustana onkin Cortex A72 tai A73, ei edellinen Kryo: http://www.anandtech.com/show/10948/qualcomm-snapdragon-835-kryo-280-adreno-540/2

 

[FlyingAntero]

SD835 ei siis tuo juurikaan suorituskyky parannuksia SD821 piiriin nähden ja se aiempi Geekbench tulos pitänee paikkansa (1844 pistettä). Sinänsä erikoista Qualcommilta, sillä MediaTek kellotti A72 ytimiä 20nm prosessilla jopa 2,6Ghz ja HiSilicon (Huawei) 16nm prosessilla 2,5Ghz. Mitä ilmeisemmin MediaTek kellottaa A73 ytimiä 10nm prosessilla 2,8Ghz (Helio X30) ja samaa on myös huhuttu HiSiliconin suunnalta Kirin 970 piirin kanssa. SD835 piirillä varustetuissa laitteissa saa luvan olla nyt erityisen hyvä akun kesto.

 

[JukkaX]

Onko tuossa Ameriikan lantissa kuva Jumalasta vuodelta 2014?