MediaTek esitteli uuden lippulaivajärjestelmäpiirinsä – Dimensity 9000

[Diizzel]

Diizzel kirjoitti uutisen/artikkelin:
MediaTek on esitellyt seuraavan sukupolven lippulaivajärjestelmäpiirinsä, jonka sisällä sykkii myös seuraavaan Snapdragoniin odotettua ARM:n tuoreinta teknologiaa Arm v9 -arkkitehtuurilla. Uutuuspiiri piiri valmistuu TSMC:n 4 nm:n tekniikalla.

Dimensity 9000:n prosessoriosio muodostuu kolmeen eri teholuokkaan jakautuvista prosessoriytimistä. Suorituskykyisimpänä toimii yksittäinen tuoreen Cortex-X2-arkkitehtuurin ydin 3,05 GHz:n kellotaajuuksilla. Niin ikään suorituskyky-ytiminä, joskin pykälän kevyempinä, toimivat kolme Cortex-A710-ydintä 2,85 GHz:n kellotaajuuksilla. Lopuksi piiristä löytyy neljä uuden sukupolven vähävirtaista 1,8 GHz:n kellotaajuudella toimivaa Cortex-A510-ydintä. Grafiikkapuolesta huolehtii Mali-G710 MP10 -grafiikkapiiri, joka on nimensä mukaisesti 10-ytiminen.

Suorituskyvyn osalta MediaTek lupaa sekä yhden ytimen prosessorisuorituskyvyn että grafiikkasuorituskyvyn olevan 35 prosenttia nykyisiä Android-puhelinten lippulaivapiirejä parempaa. Moniydinrasituksessa prosessorisuorituskyvyn lukemat ovat puolestaan vertailukelpoisia nykyisten lippulaivapiirien kanssa. Uutuuspiirin edut eivät valmistajan mukaan jää myöskään pelkkään parantuneeseen suorituskykyyn, vaan piirin luvataan olevan myös energiatehokkaampi ja valmistajan lupauksien mukaan lepotilassa virrankulutus on 40 prosenttia, mediakulutuksessa 65 prosenttia ja pelatessa 25 prosenttia kilpailijoita vähäisempää.

Tuoreen ARM-arkkitehtuurin lisäksi MediaTek ehtii ensimmäisenä markkinoille myös uusien muistitekniikoiden osalta, sillä Dimensity 9000 on ensimmäinen älypuhelinpiiri, joka tukee LPDDR5X-muistia.

[gallery link="file" size="medium" ids="69325,69324,69323"]

MediaTek Dimensity 9000 tukee korkeimmillaan 2960 x 1440 -resoluutioita 144 Hz:n virkistystaajuudella tai 2220 x 1080 -resoluutiota 180 Hz:n taajuudella, mutta tukea esimerkiksi 4K-resoluution näytöille ei ainakaan toistaiseksi löydy.

Kuvaprosessointiin piiri sisältää uuden 18-bittisen Imagiq790 ISP:n, joka tukee peräti 320 megapikselin kameroita tai kolmea 32 megapikselin sensoria yhtäaikaisessa käytössä. Kuvia piiri käsittelee myös MediaTekin 5:n sukupolven kuusiytimisellä Ai-prosessorilla, jonka yritys sanoo olevan 16 prosenttia Googlen Tensor-järjestelmäpiiriä nopeampi Ai-laskennassa.

Tuoreelle lippulaivapiirille odotettavaan tapaan Dimensity 9000 tukee 5G-yhteyksiä, mutta hieman yllättäen mmWave-tukea siitä ei edelleenkään löydy. Wi-Fi 6E -tuki piiristä kuitenkin löytyy ja Bluetoothinkin osalta tuettuna on markkinoiden ensimmäisenä tuorein 5.3-versio.

MediaTekin uutuuspiiri on odotettavissa nähtäväksi ainakin Motorolan, OnePlussan, Oppon, Samsungin ja Xiaomin puhelimissa ensi vuoden ensimmäisestä neljänneksestä alkaen.

Lähde: MediaTek, Anandtech, TechPowerUp

Linkki alkuperäiseen juttuun

 

[erihyva]

Taitaa Bluetooth olla kuitenkin 5.3 eikä 5.2.

 

[FlyingAntero]

MediaTek meni Qualcommin ohi toimitusmäärissä ja Dimensity 9000:n myötä saattaa mennä jopa suorituskyvyssä. TSMC:n 4nm prosessi antaa kuitenkin sen verran suuren hyödyn Samsungin 4nm nähden, mitä seuraava Snapdragon todennäköisesti käyttää.

 

[Marti77]

Hyvä että tulee hieman vaihtelua lippulaiva piirien suhteen
Toinen asia on kuinka suorituskykyinen se on sitten kun lupaukset ovat aikasemmin olleet hyviä mutta todellisuus hieman eri.

 

[hkultala]

TSMC:n 4nm prosessi antaa kuitenkin sen verran suuren hyödyn Samsungin 4nm nähden, mitä seuraava Snapdragon todennäköisesti käyttää.

Ei anna.

TSMCn "4nm" on vain inasen viilattu versio TSMCn "5nm" prosessista (TSMC itse lupaa 6% tiheysparannusta)

Samsungilla taas "8nm" oli viilattu "10nm", "7nm" oli uusi TSMCn "7nm"ää kehittyneempi prosessi ja "5nm" oli inasen viilattu "7nm".

ja Samsungin "4nm" on sitten taas uusi oikeasti pienempi valmistusprosessi.

 

[FlyingAntero]

Ei anna.

TSMCn "4nm" on vain inasen viilattu versio TSMCn "5nm" prosessista (TSMC itse lupaa 6% tiheysparannusta)

Samsungilla taas "8nm" oli viilattu "10nm", "7nm" oli uusi TSMCn "7nm"ää kehittyneempi prosessi ja "5nm" oli inasen viilattu "7nm".

ja Samsungin "4nm" on sitten taas uusi oikeasti pienempi valmistusprosessi.

Ainakin "Twitter-vuotajien" mukaan Samsungin 4nm kanssa on samat ongelmat kuin 5nm prosessissa. Alunperinhän 4nm eli 4LPE oli 7LPP evoluutio mutta jossain välissä Samsung alkoi markkinoimaan sitä uutena.

• TSMC and Samsung's 4nm Nodes to Power Top-end Processors in 2022: A Closer Look at the Two | Hardware Times

In the coming years, the competition will shift to 3nm-class process nodes, but before that, both foundries are expected to rely on their 4nm nodes (5nm/7nm derivative) to bridge the gap between contemporary and future technologies. Samsung’s 4nm LPP node is slated to be available to chipmakers sometime in 2022, the same as TSMC’s N4 process. The former will retain FinFET technology while the succeeding 3nm node will be based on GAA/GAE (Gate All Around/Game All Around Early) technology.

Rather surprising, Samsung is advertising its 4nm node as a major step on its process roadmap, bringing the same amount of power, performance, and density improvements as the 5nm node. Originally, its 4LPE node was marketed as an evolution of its 7LPP process. The reason being the improved use of EUV with 4nm as well as a notable improvement of around 50% in PPA.

 

[hkultala]

Ainakin "Twitter-vuotajien" mukaan Samsungin 4nm kanssa on samat ongelmat kuin 5nm prosessissa. Alunperinhän 4nm eli 4LPE oli 7LPP evoluutio mutta jossain välissä Samsung alkoi markkinoimaan sitä uutena.

• TSMC and Samsung's 4nm Nodes to Power Top-end Processors in 2022: A Closer Look at the Two | Hardware Times

Nuo lähteet on pihalla.

Ensinnäkin, ei siinä Samsungin "5nm" prosessissa ole tietääkseni mitään suuria "ongelmia". Millä tahansa valmistusprosessilla saa tehtyä piirin joka ylikuumenee/syö akun nopeasti, kun ruuvaa voltit ja kellot kaakkoon, joten joku yksittäinen piiri ei ole todiste prosessin virtasyöppöydestä, ellei ole hyvää vertailukohtaa. ja kun Samsungin "5nm" vertailukohta TSMCllä pitäisi olla TSMCn "6nm" eikä "5nm", teknisesti se on lähimpänä TSMCn "6-nanometristä".

Toisekseen, ihan samalla tavalla se TSMCn "4nm" käyttää Finfetejä kuin Samsungin "4nm".

Ja Samsungin "4nm" on oikeasti oikeilta mitoiltaan paljon Samsungin "5nm"ää pienempi prosessi, esim. MMP putoaa wikichipin mukaan 40 nanometristä (sama kuin TSMCn "7nm"llä, vähemmän kuin Intelin "10nm"llä) 28 nanometriin.

... mikä on suurempi parannus kuin mitä on missään valmistusprosessissa on nähty ties kuinka moneen vuoteen, ja tuo 28nm on hyvin todennäköisesti pienempi kun TSMCn "4nm" ja "5nm" prosesseilla (joilla se on hyvin todennäköisesti luokkaa 30-34nm, mutta tarkka luku ei ole tiedossa)

Samsung 5 nm and 4 nm Update

Update and analysis of Samsung's upcoming 5-nanometer and 4-nanometer process technologies.

fuse.wikichip.org

 

[FlyingAntero]

Nuo lähteet on pihalla.

Ensinnäkin, ei siinä Samsungin "5nm" prosessissa ole tietääkseni mitään suuria "ongelmia".

Toisekseen, ihan samalla tavalla se TSMCn "4nm" käyttää Finfetejä kuin Samsungin "4nm".

Ja Samsungin "4nm" on oikeasti oikeilta mitoiltaan paljon Samsungin "5nm"ää pienempi prosessi, esim. MMP putoaa wikichipin mukaan 40 nanometristä 28 nanometriin.

... mikä on suurempi parannus kuin mitä on missään valmistusprosessissa on nähty ties kuinka moneen vuoteen, ja tuo 28nm on hyvin todennäköisesti pienempi kun TSMCn "4nm" ja "5nm" prosesseilla (joilla se on luokkaa 30-34nm, mutta tarkka luku ei ole tiedossa)

Samsung 5 nm and 4 nm Update

Update and analysis of Samsung's upcoming 5-nanometer and 4-nanometer process technologies.

fuse.wikichip.org

Snapdragon 888 piirin lämpöongelmista on ollut jonkin verran juttua io-techissäkin. Niiden epäillään johtuvan Samsungin 5nm prosessista.

• Xiaomin tuore lippulaiva rajoittaa suorituskykyään – taustalla Snapdragon 888 -piirin lämpöongelmat? - io-tech.fi
• The Snapdragon 888 vs The Exynos 2100: Cortex-X1 & 5nm - Who Does It Better?

So at least at first glance, our theory that Samsung’s 5LPE merely just catches up with the power consumption and power efficiency of TSMC’s N7/N7P nodes seems to be valid – at least at these frequencies...

...Generally, the one thing I want people to take away here is that although Samsung calls this their 5nm node, it’s quite certain that it will not perform the same as TSMC’s 5nm node. Usually we don’t care about density all too much, however performance and power efficiency are critical aspects that effect the silicon and the end-products’ experiences.

Alla olevan artikkelin mukaan Samsung on tällä hetkellä aika kaukana TSMC:stä.

• TSMC dossier (4): Technology contention among world-class leaders

 

[hkultala]

Snapdragon 888 piirin lämpöongelmista on ollut jonkin verran juttua io-techissäkin. Niiden epäillään johtuvan Samsungin 5nm prosessista.

• Xiaomin tuore lippulaiva rajoittaa suorituskykyään – taustalla Snapdragon 888 -piirin lämpöongelmat? - io-tech.f
• The Snapdragon 888 vs The Exynos 2100: Cortex-X1 & 5nm - Who Does It Better?

Snapdragon 888ssa on järeimpänä CPU-ytimenä Cortex X1, jossa ei ole edes pyritty hyvään energiatehokkuuteen. Sitä saa, mitä tilaa.

ja jos verrataan TSMCn "5nm"ään niin tietysti se Samsungin "5nm" vie enemmän virtaa koska on paljon isompi valmistusprosessi.

Ei se johdu siitä, että Samsung olisi jotenkin perässä että "vastaava valmistustekniikka olisi vaan samsungilla huonompi" vaan se johtuu siitä, että juuri tuolle prosessille samsungin markkinointi sattui valehtelemaan noin pienen luvun, sen sijaan että olisivat kutsuneet sitä esim. "7nm+ksi" tai "6nm"ksi. (joka olisi myös ollut valehtelua, mutta pienempää valehtelua).

Alla olevan artikkelin mukaan Samsung on tällä hetkellä aika kaukana TSMC:stä.

"Tällä hetkellä" on täysin irrelevanttia kun Samsungin "4nm" tulee olemaan uusi, paljon pienempi valmistusprosessi.

Kuinka vaikea tätä on tajuta?

Ei ole olemassa mitään yhtä kisaa jossa TSMC menee edellä, Samsung tulee perässä, ja molempien prosessit pienenee tasaisesti, vaan molemmilla valmistajilla on vaikka kuinka eri valmistusprosessia, joista monilla on erilaiset mitat ja jokaisella on erilainen suorituskyky. Vaikka TSMCllä on keskimäärin samaan aikaan ulkona hiukan tiheämpiä valmistusprosesseja, niin sillä, että verrataan niistä paria vanhempaa satunnaisesti toisiinsa, ei voida sanoa mitään varmaa siitä, miten ihan eri tulevat prosessit toisiinsa suhtautuu. Sen sijaan se, miten ne toisiinsa suhtautuu selviää paljon paremmin sillä, että lukee niiden (oikeita teknisiä) specsejä.

Et edes tunnu edes yrittävän ymmärtää mitään noista valmistusprosessien mitoista kun vaan yleistät tuota yksinkertaistustasi että "Samsung on perässä".

Ja tuo digitimesin kuva on vaan estimations jonka arvioiden perusteluja ei löydy mistään, ja se puhuu pelkästään tiheydestä, ei mitään suorituskyvystä tai virrankulutuksesta.


Ja Samsungin "7nm"llä ja Intelin "10nm"llä MMP on 36nm joka on vähemmän kuin TSMCn "7nm"llä (40nm). CPP sen sijaan TSMCn ja Samsungin "7nmllä" on sama (54nm), mutta TSMCllä saavutetaan saman luokan/inasen parempi maksimitiheys koska sille on olemassa vähempiraitaiset (6T) HD-kirjastot (Samsungilla 6.75T), mutta jos tarvitaan suurta nopeutta (kuten esim CPU tarvii), ei pieniraitaisia kirjastoja voi käyttää, ja Samsungin "7nm" menee TSMCn "7nm"n edelle.

Keskimäärin TSMC optimoi prosessinsa kaikkein eniten maksimaalista tiheyttä silmälläpitäen, ja käyttää suurempaa MMPtä (helpompi, halvempi valmistaa) ja pyrkii melko pieneen CPP:hen sekä standardikirjastojen raitamäärään, Intel optimoi prosessinsa kaikkein eniten maksimaalista nopeutta silmälläpitäen, pyrkien puristamaan MMPn mahdollisimman pieneksi pysyen jopa melko isossa CPPssä, eikä yritä puristaa standardikirjastoistaan pieniä raitamääriä, Samsung tulee ehkä keskimäärin/tyypillisesti näiden välissä.

Intelhän jopa "14nm" tekniikkansa jossain versiossa kasvatti CPP:tä koska sai sillä hiukan lisää nopeutta, vaikka tiheys kärsi.

 

[maustevoi]

Uu jea, lisää näitä virtapihejä prossuja kiitos. Ei riitä 5000 mAh akku mihinkään ...
Kehitys kehittyy.. josko joskus Applen tasolle !

 

[FlyingAntero]

Jos MediaTekin lupaukset pitävät kutinsa, niin Dimensity 9000 näyttäisi kilpailevan samoissa lukemissa tulevien Android lippulaivapiirien kanssa. Ehkä jää vähän jälkeen joillain osa-alueilla mutta näillä näkymin MediaTekillä olisi pitkästä aikaa kunnon lippulaivapiiri.

Spoileri: Kuvat

Alla on joitain vuotoja kilpailijoista. Mitään varmaa ei tässä vaiheessa voi tietysti sanoa mutta jonkinlaista suuntaa kuitenkin.

Geekbench 5:

• Dimensity 9000: 1000+/4000+ ?
• Snapdragon 8 Gen 1/898/895: 1203/3045
• Exynos 2200: 1073/3389
• Galaxy S21+ 5G (SD888): 966/3045
• Galaxy S21+ 5G (E2100): 920/3058

GFXBench (Azek Ruins High Tier):

• Dimensity 9000: 40+ FPS ?
• Snapdragon 8 Gen 1/898/895: 43,1 FPS
• Exynos 2200: 51,5 FPS
• Galaxy S21 Ultra (SD888): 29,83 FPS
• Galaxy S21 Ultra (E2100): 28,04 FPS

Spoileri

 

[Juha Kokkonen]

Teollisuuslähteiden mukaan Dimensity 9000:n valmistuskustannukset on lähes kaksinkertaiset Dimensity 1200:aan nähden: Dimensity 9000 models will be twice as expensive as the previous generation - Gizchina.com

 

[FlyingAntero]

Teollisuuslähteiden mukaan Dimensity 9000:n valmistuskustannukset on lähes kaksinkertaiset Dimensity 1200:aan nähden: Dimensity 9000 models will be twice as expensive as the previous generation - Gizchina.com

Jytky piirii niin on jytkyt kustannukset . Lähteessä sanottiin myös, että Snapdragon 8 Gen1 on vielä kalliimpi kuin Dimensity 9000.

 

[Later]

Teollisuuslähteiden mukaan Dimensity 9000:n valmistuskustannukset on lähes kaksinkertaiset Dimensity 1200:aan nähden: Dimensity 9000 models will be twice as expensive as the previous generation - Gizchina.com

Nähdäkseni linkissä kerrotaan, että 9000:n myyntihinta on lähes kaksinkertainen 1200:an verrattuna, mutta kuitenkin halvempi kuin Snapdragon 8 Gen 1:llä.

 

[Later]

Seuraava Oppo Find X ja Redmi K50 -sarja tulevat ainakin käyttämään piiriä.

 

[FlyingAntero]

MediaTek paljasti Dimensity 9000:n benchmark tuloksia videolla. Suluissa Snapdragon 8 Gen1 verrokkitulokset XDA:n testistä (jos oli sama testi ajettu)

• AnTuTu v9: 1 017 488 (977 613)
• Geekbench 5: 1273/4324 (1235/3758)
• Gfxbench:
  • v3.0 Manhattan: 238 FPS (221 FPS)
  • v3.1 Manhattan: 163 FPS
  • Aztec Vulkan (1440p): 43 FPS (41 FPS)
  • Aztec OpenGL (1440p): 42 FPS
• PCMark Work 3.0: 17 573
• ETHZ AI Benchmark (v5): 1024

Lähde: MediaTek benchmarks the Dimensity 9000: faster CPU than the Snapdragon 8 Gen 1, slower GPU

 

[FlyingAntero]

Kiinalaisten testien mukaan Dimensity olisi energiatehokkaampi kuin Snapdragon 8 gen1. Snapdragon olisi kuitenkin suorituskyvyssä hieman edelle.

• Huonoja uutisia: Uudet Android-huippupuhelimet voivat käydä entistäkin kuumempana – Snapdragon 8 Gen 1:n energiatehokkuudesta heikkoja tuloksia

 

[FlyingAntero]

Dimensity 9000 näyttää pärjäävän aika hyvin Qualcommin ja Samsungin kilpakumppaneihin nähden.

• Dimensity 9000-powered vivo X80 phone tops AnTuTu, Geekbench charts