- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 22 744
Lancasterin yliopistossa on kehitetty uusi "Universal Memory" -muistiteknologia, jonka väitetään pystyvän korvaamaan sekä DRAM-muistit että SSD-asemat tulevaisuudessa. Universal Memoryn kerrotaan tarjoavan kummankin edellä mainitun muistityypin parhaat puolet ilman niiden negatiivisia puolia. Muistiteknologian kerrotaan perustuvan käytettyjen transistorien sisällä kulkevien "asymmetric triple resonant-tunneling barrier"-rakenteiden kvanttimekaniikkoihin.
Yliopiston kehittäjät ovat saaneet teknologialleen jo patentin Yhdysvalloissa ja odottaa hyväksyntää toiselle asiaan liittyvälle patentille. Myös useiden yritysten kerrotaan ilmaisseen kiinnostuksensa teknologiaa kohtaan.
Lähde: Universal Memory device touted as DRAM/SSD replacement
Yliopiston kehittäjät ovat saaneet teknologialleen jo patentin Yhdysvalloissa ja odottaa hyväksyntää toiselle asiaan liittyvälle patentille. Myös useiden yritysten kerrotaan ilmaisseen kiinnostuksensa teknologiaa kohtaan.
Lähde: Universal Memory device touted as DRAM/SSD replacement