Toki todellinen latenssi pienenee kun nopeus kasvaa, mutta mulla nimenomaan mielessä noi numerot ja kuinka ensimmäiset DDR 4 muistit ei tuoneet juurikaan hyötyä nähden DDR3 2133 - 2400, pikemminkin olivat huonompia ainakin pelkästään latenseja ja megahertsejä tuijottamalla. En muista(voin myös muistaa väärin) kun skylake tuli että olisi ollut juurikaan yli 3000 mhz muisteja ja ddr4 muistit olivat 2133-2400 CAS 15-16 kun vastaavat ddr3 muistit olivat CAS 11 tai 12.
Ja tuplaantumisen sain DDR CAS 2 DDR 2 CAS 4 DDR 3 cas 8 DDR 4 cas 16.
Okei tämä ei ole ihan tarkka mutta sen takia sanoin että suurin piirtein tuplaantuneet.
Kellojaksoissa mitattuna latenssit ovat tosiaan jotakuinkin tuplaantuneet aina DRAM-sukupolvesta seuraavaan siirryttäessä. Mutta koska myös kellotaajuudet ovat vastaavasti kasvaneet kaksinkertaisiksi jokaisen uuden sukupolven myötä, niin absoluuttiset latenssit - nanosekunneissa mitaten - ovat pysyneet osapuilleen samoina. Syynä tähän on se, että DRAM-muistien ytimessä oleva kondensaattori-transistorimatriisiteknologia on pysynyt suurin piirtein samanlaisena vuosikymmenien ajan, ja näistä matriiseista datan lukeminen ei ole merkittävästi nopeutunut. Karkeasti ottaen ainoa (tai no ei ainoa, mutta tärkein) asia mikä muistisukupolvien välillä on muuttunut on se, että dataa on siirrytty lukemaan DRAM-matriiseista yhä suurempina blokkeina, joissa dataa siirtyy rinnakkain aiempaa enemmän, vaikka yhden blokin lukeminen kestääkin yhtä kauan kuin ennen. Kun näiden blokkien sisältö sitten järjestetään DRAM-sirun muistiväylärajapinnassa uudelleen niin, että bittejä on vähemmän rinnakkain mutta enemmän peräkkäin, niin dataa pystytään tykittämään prosessorin muistiohjaimelle nykyisenlaisilla päätähuimaavilla kellotaajuuksilla.
Saatat muuten olla oikeassa siinä, että jokaisen uuden muistisukupolven tullessa markkinoille absoluuttiset latenssit ovat väliaikaisesti vähän kasvaneet. Minullakin on nimittäin se muistikuva, että silloin kun DDR4 oli suhteellisen uusi standardi, niin useimpien saatavilla olleiden DDR4-kampojen CAS-viive oli jonkin aikaa vähän pitempi kuin senhetkisissä keskihintaisissa DDR3-kammoissa. Kaipa tämä johtuu siitä, että uusi teknologia on aina aluksi vähän epäkypsää ja optimoimatonta. Kuitenkin pitkässä juoksussa absoluuttiset latenssit ovat aina lopulta alittaneet edellisen muistisukupolven vastaavat. Muistelen että 1. sukupolven DDR-muistien loppuaikoina tyypillinen CAS-latenssi 400 MHz:n (oik. 200 MHz) kellotaajuudella oli 2.5 kellojaksoa (12.5 ns), kun taas DDR3-muistien loppuaikoina se oli 1600 MHz:n (=800 MHz) kellotaajuudella keskihintaisissa muisteissa 9 tai 10 (11.25 tai 12.5 ns). Vastaavasti nyt kun DDR4-teknologia on jo pitkään ollut kypsää, on tyypillinen CAS-latenssi 3200 MHz:n (1600 MHz) taajuudella 16 kellojaksoa (10 ns).
- - -
Itseäni DRAM-muistien kehityksessä eniten mietityttää se, että kellotaajuuksien jatkuva nousu yhdistettynä jokaisen sukupolven myötä laskeviin jännitteisiin tuntuu olevan aikamoinen paradoksi. Ei voi kuin ihmetellä, miten muistien luotettavuus saadaan pidettyä entisellään ja muistiväylän signaalien muutosajat saadaan pakotettua yhä lyhyemmiksi entistä alemmista jännitteistä huolimatta. Nojautuuko tämä kehitys (edes joltain osin) sen varaan, että transistorien sähköiset parametrit saadaan uudempien valmistusprosessien avulla pidettyä yhä tiukempien toleranssien sisällä?
Mikäli vastaus edelliseen kysymykseen on kyllä, on ehkä syytä olla huolissaan. Kun nimittäin on yleisesti tiedossa, että puolijohteiden ja muiden mikrosiruissa käytettyjen materiaalien sähköiset ominaisuudet muuttuvat vähitellen käytön myötä elektromigraation ja hot carrier injectionin tyyppisten ilmiöiden vaikutuksesta, niin on mahdollista, että esim. signaalien muutosajat eivät pysy korkeiden kellotaajuuksien edellyttämien tiukkojen speksien rajoissa kovin kauaa. Ja kun speksien määräämäät rajat ylittyvät tarpeeksi selvästi, niin alkaa tulla datavirheitä.
Toivottavasti olen väärässä, mutta nykytrendin mukainen kellotaajuuksien eksponentiaalinen nousu kuulostaa kyllä kovasti pikakaistalta kohti aikaisempaa lyhyempää muistisirujen käyttöikää, jonka jälkeen alkavat vakausongelmat.
