Intelin prosessoreiden järviteemaisia koodinimiä seuraavat kosket ja Sapphire Rapids

[Kaotik]

Intelin lähitulevaisuuden roadmapit ovat tarkentuneet jälleen kerran ja joukkoon on saatu myös uusi koodinimi. Yhtiön viimeaikaiset suunnitelmat ovat muuttuneet tiuhaan tahtiin paitsi markkinatilanteen, myös 10 nanometrin prosessin aiheuttamien ongelmien vuoksi.

Intelin ensi kuussa myyntiin tulevia Coffee Lake -prosessoreja seuraa parin vuoden myöhästelyjen jälkeen odotetut 10 nanometrin Cannon Lake -prosessorit. Järviteema jatkuu vielä Cannon Laken jälkeenkin Ice Lakella ja Tiger Lakella, mutta niiden jälkeen siirrytään järvistä koskiin, tarkemmin Sapphire Rapidsiin.



Sapphire Rapids -koodinimi on paljastunut paitsi Intelin sivuilta osana Tinsley-alustaa, myös Lenovon HPC-roadmapista. Lenovon mukaan Sapphire Rapidsia on lupa odottaa Tinsley-alustan kera vuoden 2020 puolivälin tienoilla. Tinsley alustasta tai prosessoreista ei vielä ole valitettavasti tiedossa nimiä tarkempia tietoja, mutta julkaisuajankohdan perusteella lienee turvallista odottaa, että Sapphire Rapids -prosessorit tultaisiin valmistamaan jo 7 nanometrin valmistusprosessilla.

Lähde: Intel, Lenovo (PDF)

Huom! Foorumiviestistä saattaa puuttua kuvagalleria tai upotettu video.

Linkki alkuperäiseen uutiseen (io-tech.fi)

Palautelomake: Raportoi kirjoitusvirheestä

 

[IcePen]

Ykshailee mitkä niiden Intel prosessorien koodinimet on mutta ne nimet joilla ne myydään pitäisi saada edes jollaintavalla loogiseksi niin että nimestä voisi edes jossainmäärin päätellä prosesorin tehon muihin Intel prosessoreihinnähden, näiden myyntinimien osalta on menty viimeaikoina huomattavasti huonompaan suuntaan.

 

[svk]

Intelin tuoteperheellä on kaikenlaista kokeiluyritystä taakkanaan. Kaby järveä ja safiiri koskea.

 

[kime1980]

14 Nm ollaan oltu ensi vuonna jo 5 vuotta joten en jaksa millään uskoa että 7 nm tulisi jo 2020.

 

[Kaotik]

14 Nm ollaan oltu ensi vuonna jo 5 vuotta joten en jaksa millään uskoa että 7 nm tulisi jo 2020.

Kilpailevat tahot aikoo saada (ekan sukupolven) 7nm:n tuotantokäyttöön jo 2018. Intelin 7nm toki lienee ainakin ekoja sukupolvia pienempi, mutta pakko sen on olla käytössä 2020 mennessä sielläkin.
14nm on käytössä edelleen koska 10nm:n kanssa oli liikaa ongelmia Intelillä, toisaalta Samsung on puskenut 10nm piirejä ulos jo pitkään (toki taas 10nm ei ole sama kuin 10nm)

 

[lein]

Kilpailevat tahot aikoo saada (ekan sukupolven) 7nm:n tuotantokäyttöön jo 2018. Intelin 7nm toki lienee ainakin ekoja sukupolvia pienempi, mutta pakko sen on olla käytössä 2020 mennessä sielläkin.
14nm on käytössä edelleen koska 10nm:n kanssa oli liikaa ongelmia Intelillä, toisaalta Samsung on puskenut 10nm piirejä ulos jo pitkään (toki taas 10nm ei ole sama kuin 10nm)

Tämän mukaan Intelin 10 nm vastaisi hyvin Samsungin 7 nanometrin valmistusprosessia fyysisiltä mitoiltaan, minkä lisäksi Intel on kertonut luopuvansa piistä 7 nm yhteydessä, joten mielestäni on aika optimistista olettaa Intelin myyvän 7 nm prosessoreita 2020.

 

[Kaotik]

Tämän mukaan Intelin 10 nm vastaisi hyvin Samsungin 7 nanometrin valmistusprosessia fyysisiltä mitoiltaan, minkä lisäksi Intel on kertonut luopuvansa piistä 7 nm yhteydessä, joten mielestäni on aika optimistista olettaa Intelin myyvän 7 nm prosessoreita 2020.

Missä Intel noin on sanonut? Eikö 7nm:llä vasta aiota ottaa EUV käyttöön?

 

[lein]

Missä Intel noin on sanonut? Eikö 7nm:llä vasta aiota ottaa EUV käyttöön?

"More interesting than 10nm, though, is the news that Intel is looking to move away from silicon FinFETs for its 7nm process. While Intel didn't provide any specifics, we strongly suspect that we're looking at the arrival of transistors based on III-V semiconductors. III-V semiconductors have higher electron mobility than silicon, which means that they can be fashioned into smaller and faster (as in higher switching speed) transistors. The topic of extreme UV (EUV) lithography also came up during the call, but due to continued problems with EUV deployment, it sounds like Intel is planning to do both 10nm and 7nm without it."
- Intel forges ahead to 10nm, will move away from silicon at 7nm

Eipä tuosta mitään varmuutta taida olla.

 

[”diginatiivi”]

Pelkästään eDrammin lisäys olemassa oleville toisi todella suuren suorituskykyharppauksen.
Jäikö viidennen sukupolven broadwellit ja xeonit ainoaksi.
Enkä tarkoita integroitua gputa.
Toki sivussa.

 

[Kaotik]

Pelkästään eDrammin lisäys olemassa oleville toisi todella suuren suorituskykyharppauksen.
Jäikö viidennen sukupolven broadwellit ja xeonit ainoaksi.
Enkä tarkoita integroitua gputa.
Toki sivussa.

Öh, wat?
Kyllä siellä on joka sukupolvesta ollut isommalla GPU:lla ja eDRAMilla varustetut versiot. Broadwellin ainut erikoisuus oli että ne muut mallit jätettiin julkaisematta (työpöydällä)

 

[”diginatiivi”]

Juuri Broadwell ja työpöytä.
kerro lisää kuinka paljon edrammia on nykyisissä vs tulevissa?
ugh

 

[”diginatiivi”]

i7 5775 ja xeonit ovat työpöydälle

 

[hkultala]

Pelkästään eDrammin lisäys olemassa oleville toisi todella suuren suorituskykyharppauksen.

Eikä toisi. eDRAM on kuoleva välimallin teknologia.

eDRAM ei skaalaudu valmistustekniikan kehittymisen myötä; Jos niistä muistikondensaattoreista yrittää uusilla pienillä logiikkaprosesseilla tehdä pienempiä, ne ei vaan pysty säilömään sitä dataa luotettavasti. Ja jos niistä taas tehdään yhtä suuria kuin ennen, ei uudesta valmistusprosessista saada niiden osalta mitään hyötyä ja se muisti vie suhteessa liikaa tilaa, ja alkaa pian häviämään jopa SRAMille tiheydessä. (ja kaikilta muilta ominaisuuksiltaan SRAM on joka tapauksessa jo muutenkin ylivoimaista DRAMiin nähden)

Intel on valmistanut tuotantokäyttöön eDRAM-muistia ainoastaan "22nm" valmistusprosessillaan, ja olen melko varma, ettei sitä tule koskaan tekemään millään kehittyneemmällä valmistusprosessilla.

Jäikö viidennen sukupolven broadwellit ja xeonit ainoaksi.
Enkä tarkoita integroitua gputa.
Toki sivussa.

Mitä sillä eDRAMilla oikein tekisit? L4-kakkua?

Ja se L4-välimuisti..

1) tarvii TAG-bitit (kirjanpidon).

Niiden TAGien laittaminen sinne eDRAM-muistiin tekisi siitä aivan liian hidasta. Niiden laittaminen SRAMille taas tarkoittaa että sitä SRAMia tarvitaan piirille enemmän tai se on pois piirin muusta välimuistista.

Noilla nykyisillä intelin crystall wellin sisältävillä prosessoreilla kaksi megatavua prosessorin L3-välimuistista ei toimi L3-välimuistina vaan tuon eDRAM-L4-välimuistin TAGeina. Tämä taas huonontaa sen L3-kakun osumatarkkuutta.

2) Lisää viivettä muistiin.

Vasta kun L4-kakun TAGit on tarkastettu, tiedetään, löytyykö data L4-välimuistista vai pitääkö se hakea muistista asti.

 

[Kaotik]

i7 5775 ja xeonit ovat työpöydälle

Niin, ne muut mallit siis jäivät julkaisematta missä olisi ollut pienempi GPU ja ei eDRAMia.

Juuri Broadwell ja työpöytä.
kerro lisää kuinka paljon edrammia on nykyisissä vs tulevissa?
ugh

7. sukupolvessa näyttäisi olevan parhaimmillaan 64 Mt, eli ihan riittävästi.

Vältä sarjapostailua jatkossa, viestejä voi muokatakin jos on lisättävää kun muut eivät ole ketjuun jälkeesi vastanneet.

 

[”diginatiivi”]

Eikä toisi. eDRAM on kuoleva välimallin teknologia.

eDRAM ei skaalaudu valmistustekniikan kehittymisen myötä. Intel on valmistanut tuotantokäyttöön eDRAM-muistia ainoastaan "22nm" valmistusprosessillaan, ja olen melko varma, ettei sitä tule koskaan tekemään millään kehittyneemmällä valmistusprosessilla.



Mitä sillä eDRAMilla oikein tekisit? L4-kakkua?

Ja se L4-välimuisti..

1) tarvii TAG-bitit (kirjanpidon).

Niiden TAGien laittaminen sinne eDRAM-muistiin tekisi siitä aivan liian hidasta. Niiden laittaminen SRAMille taas tarkoittaa että sitä SRAMia tarvitaan piirille enemmän tai se on pois piirin muusta välimuistista.

Noilla nykyisillä intelin crystall wellin sisältävillä prosessoreilla kaksi megatavua prosessorin L3-välimuistista ei toimi L3-välimuistina vaan tuon eDRAM-L4-välimuistin TAGeina. Tämä taas huonontaa sen L3-kakun osumatarkkuutta.

2) Lisää viivettä muistiin.

Vasta kun L4-kakun TAGit on tarkastettu, tiedetään, löytyykö data L4-välimuistista vai pitääkö se hakea muistista asti.

Uskotaan asiasta todella tietäviä. aika tyhjentävää tekstiä.

 

[”diginatiivi”]

Niin, ne muut mallit siis jäivät julkaisematta missä olisi ollut pienempi GPU ja ei eDRAMia.

7. sukupolvessa näyttäisi olevan parhaimmillaan 64 Mt, eli ihan riittävästi.

Vältä sarjapostailua jatkossa, viestejä voi muokatakin jos on lisättävää kun muut eivät ole ketjuun jälkeesi vastanneet.

Yritän korjata tapani.

 

[”diginatiivi”]

Pelkästään eDrammin lisäys olemassa oleville toisi todella suuren suorituskykyharppauksen.

Eikä toisi. eDRAM on kuoleva välimallin teknologia.

eDRAM ei skaalaudu valmistustekniikan kehittymisen myötä; Jos niistä muistikondensaattoreista yrittää uusilla pienillä logiikkaprosesseilla tehdä pienempiä, ne ei vaan pysty säilömään sitä dataa luotettavasti. Ja jos niistä taas tehdään yhtä suuria kuin ennen, ei uudesta valmistusprosessista saada niiden osalta mitään hyötyä ja se muisti vie suhteessa liikaa tilaa, ja alkaa pian häviämään jopa SRAMille tiheydessä. (ja kaikilta muilta ominaisuuksiltaan SRAM on joka tapauksessa jo muutenkin ylivoimaista DRAMiin nähden)

Intel on valmistanut tuotantokäyttöön eDRAM-muistia ainoastaan "22nm" valmistusprosessillaan, ja olen melko varma, ettei sitä tule koskaan tekemään millään kehittyneemmällä valmistusprosessilla.

Jäikö viidennen sukupolven broadwellit ja xeonit ainoaksi.
Enkä tarkoita integroitua gputa.
Toki sivussa.

Mitä sillä eDRAMilla oikein tekisit? L4-kakkua?

Ja se L4-välimuisti..

1) tarvii TAG-bitit (kirjanpidon).

Niiden TAGien laittaminen sinne eDRAM-muistiin tekisi siitä aivan liian hidasta. Niiden laittaminen SRAMille taas tarkoittaa että sitä SRAMia tarvitaan piirille enemmän tai se on pois piirin muusta välimuistista.

Noilla nykyisillä intelin crystall wellin sisältävillä prosessoreilla kaksi megatavua prosessorin L3-välimuistista ei toimi L3-välimuistina vaan tuon eDRAM-L4-välimuistin TAGeina. Tämä taas huonontaa sen L3-kakun osumatarkkuutta.

2) Lisää viivettä muistiin.

Vasta kun L4-kakun TAGit on tarkastettu, tiedetään, löytyykö data L4-välimuistista vai pitääkö se hakea muistista asti.

Eli todetaan tietämyksesi kyseisestä sarjasta vähintäänkin välinpitämättömäksi ja väheksytyksi.
Olen pahoillani koska oivallan tiedon päivityksen vaikeuden.

 

[hkultala]

Eli todetaan tietämyksesi kyseisestä sarjasta vähintäänkin välinpitämättömäksi ja väheksytyksi.
Olen pahoillani koska oivallan tiedon päivityksen vaikeuden.

Jospa postaisit perusteluita sen sijaan että postaat jotain tuollaista

Nuo Intelin eDRAM-L4-kakun sisältävät piirit on MCM-ratkaisuita joissa on kaksi erillistä piilastua:

* "22nm" tekniikalla tehty Crystall well-piiri jolla se eDRAM on
* "22nm" tai "14nm" tekniikalla tehty CPU-piiri (Haswell, Broadwell, Skylake, tai Kaby lake jne)

CPU-piiri on vaihtunut moneen otteeseen, Crystall Wellistä sen sijaan on tasan kaksi versiota jotka molemmat on aina valmistettu "22nm" tekniikalla, 64 MiB malli ja 128 MiB malli.


Ja siitä suorituskyvystä:

Toki löytyy joitain testajä joissa olellinen datasetti ei mahdu siihen normaalien i7jen 8 megatavun muistiin mutta mahtuu Crystall Wellille. Näissä benchmarkeissa Crystall well-L4:n sisältävä piiri on nopeampi kuin ilman sitä oleva, vaikka käytettävissä oleva L3 onkin pienempi.

Sitten on sellaisia workloadeja joissa se oleellinen datasetti ei mahdu sille crystall wellillekään jolloin se hitaampi muistiviive ja pienempi käytettävissä L3 haittaa.

Meni näiden testien keskinäinen osuus kuinkapäin tahansa, joka tapauksessa se valmistuskustannuslisä siitä crystall wellistä on hyvin suuri.

Suurempi SRAM-pohjainen L3-kakku olisi työpöytä-workloadeilla yleensä se parempi, tasapainoisempi ja halvempi ratkaisu. Ja se on suunta mihin Intel on menossa, Coffee Lakessa L3-kakku kasvoi 8->12 MiB.

 

[”diginatiivi”]

Ok. kaikki valetta mitä on intelin data

 

[”diginatiivi”]

Ok. kaikki valetta mitä on intelin data

Herra Kultala uskoin sinuun tiettyyn pisteeseen asti.
NYT TULI HUTI.

 

[hkultala]

Ok. kaikki valetta mitä on intelin data

Et ole postannut mitään intelin dataa.

Olet vaan postannut epämääräistä meuhkausta.

 

[”diginatiivi”]

Me väkevöimme aina itsemme numeroilla.