Ihan julkisesti Intel on kertonut Optane SSD levyjen kirjoituskestävyyksiä. Siitä katsomaan.
Katsoin jo, mitä intel
lupaa esim. tuolle 16-gigaiselle NVME/M.2-väyläiselle Optane Memorylle kestävyydeksi.
Ja se, mitä Intel niille
lupaa on 68.5-kertaisesti se, mitä Samsung lupaa omille NAND-flash-levyilleen.
Ensinnäkin: Milläään laskuopilla 1000/68.5 ei ole "satoja kertoja vähemmän kuin hypetetty". Se olisi vain 15 kertaa vähemmän.
Toisekseen: Kyse on
ensimmäisestä kyseistä tekniikka käyttävästä kuluttajatuotteesta. Se, että sen luvataan kestävän "vain jonkin verran" ei voi päätellä että saman tekniikan
myöhemmällä paremmalla implementaatiolla toteutettu ammattilaistuote ei voi kestää enempää.
SSD:lle yleensä tulee huomattavasti vähemmän kirjoituksia kuin keskusmuistiin ymmärrettävistä syistä.
vertailet vaan vääriä asioita keskenään.
Jos siellä DIMM-kammoilla on sitä DRAMia ihan yhtä paljon ja ero on vain se, käytetäänkö sen jatkeena flash-pohjaista muistia swappina vai samalla DIMMillä olevaa xpointtia siten että se DRAMia on välimuistia xPointille, sen xpointin ja flashin kirjoitusmäärässä ei ole oleellista eroa. Tai no, se kirjoitusmäärä xpointille tavuissa mitattuna jää itseasiassa todennäköisesti
paljon pienemmäksi koska sen välimuistin linjakoko voi olla paljon pienempi kuin virtuaalimuistin sivukoko ja flashin lohkokoko; Yhden luvun kirjoittamiseksi ei tarvi kirjoittaa 4 kilotavun virtuaalimuistisivua joka johtaa 32 kilotavun flash-lohkon kirjoittamiseen vaan vain tuon välimuistin välimuistilinjan verran, ja välimuistin linjakoko mitataan kymmenissä tai korkeintaan sadoissa tavuissa.
Jolloin se xpoint-pohjainen systeemi onkin se, joka kestää sitä kirjoittamista paljon enemmän.
Käytännössä toki sitä DRAMia sinne DIMMille laitetaan jonkin verran vähemmän, mutta ylivoimaisesti suurin osa accesseista osuu sille.
Monilla SSD levyillä on sekä DRAM välimuistia että SLC cachea ja SLC cachen kautta data laitetaan sille varsinaiselle flashille saakka. Ei eroa SSD tapauksesta olennaisesti.
Säilömuistin käyttöpatternit ovat tosin
täysin erilaisia kuin käyttömuistin.
Käyttömuistia luetaan ja kirjoitetaan prosessorin 64 tavun välimuistilinja kerrallaan. Säilömuistiin taas tehdään tyypillisesti kilotavuluokan accesseja, esim. virtuaalimuistisivu jota swapatessa käytetään on x86lla tyypillisesti ja 4 kiB, levyn kirjanpitoblokki on usein luokkaa 32 kiB ja flashin lohkokoko on melko samaa luokkaa. Ja sitä cacheä sillä flash-levyllä tarvitaan ihan siihen, että jos 32 kiB flash-lohkokoon flashillä kirjoitetaan 32 kiB kahdeksassa 4 kiB palassa, se koko 32kiB pitäisi tyhjentää ja kirjoittaa kahdeksaan kertaan että sen kaiken saisi sinne kirjoitettua, jos mitään cacheä ei olisi, ja tähän kuluisi yhden sijasta kahdeksan kirjoitussykliä.
Ja ne SSD-levyjen välimuistit on paljon pienempiä, ja monta saman kokoluokan peräkkäistä välimuistia ei toimi läheskään niin tehokkaasti kuin hierarkia jossa koko kasvaa tasaisen exponentiaalisesti.
Intelin mutupaskalupauksille on vielä vähemmän katetta.
Sinulla ei ole mitään todellisia numeroita väitteidesi tueksi, ja ne vähäiset todelliset numerot mitä on saatavilla sanoo ihan muuta kuin ne mutu-numerot mitä heittelet. Sinä vaan automaattisesti intel-vihassasi keksit päästäsi perusteettomia väitteitä, että intel valehtelee, ja valehtelet itse niin tehdessäsi.
Onhan tämän mm. hypetetty korvaavan NAND flash pohjaiset SSD:t kokonaan.
Eikä ole. Näiden on hypetetty korvaavan SLC-pohjaiset nopeat ja kalliit NAND-flash-SSDt muttei kaikkia NAND-flash-SSDitä. TLCn on aina sanottu elävän tämän alapuolella.
Eiköhän se AMD:n kortille menevä muisti ole jollakin muulla nimellä mikäli niin ylipäätään koskaan käy
XPoint on Micronin nimi tälle tekniikalle, Optane on intelin nimi tälle.
Jos joskus tulee AMDn kortille, tullee kyllä ihan xpoint-nimellä.
