Intel Accelerated: Prosessien uudet nimet ja Ångströmin aikakausi

Kaotik

Banhammer
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
14.10.2016
Viestejä
17 329


Kaotik kirjoitti uutisen/artikkelin:
Intel Accelerated -lähetys on parhaillaan käynnissä, mutta tapahtuman pressimateriaalit ovat jo julki. Intelin prosessipuolella on luvassa isoja uudistuksia muun muassa nimeämisen suhteen ja samalla yhtiö pääsi kertomaan, että se tuottaa nyt enemmän 10 kuin 14 nanometrin piirejä.

[gallery link="file" columns="2" size="medium" ids="64341,64340"]

Intelin uuden nimeämisperiaatteen mukaan aiemmin 10 nanometrin SuperFin Enhanced -nimellä tunnettu prosessi tullaan tuntemaan nimellä ”Intel 7”. Nimi on selvästi viittaus kilpailijoiden prosesseihin, joita Intel uskoo prosessinsa vastaavan. Samsungin 7 nm -luokan prosessit tunnetaan nimillä 7LPP ja 7LPE, kun TSMC käyttää nimiä N7 ja N7P.

[gallery link="file" columns="2" size="medium" ids="64339,64338"]

Intel 7 -prosessilla tullaan valmistamaan Alder Lake- ja Sapphire Rapids -prosessoreita, sekä luultavasti Raptor Lake -prosessoreita. Lisäksi prosessia käytetään Xe-HP-piirien ja Xe-HPC:n IO-sirujen valmistukseen. Prosessin kerrotaan parantavan suorituskykyä wattia kohden 10-15 % verrattuna 10 nanometrin SuperFin-prosessiin. Prosessi on jo tuotantokäytössä ja kuluttajien käsiin se saapuu syksyllä Alder Lake -arkkitehtuuriin perustuvien prosessoreiden mukana.

[gallery link="file" columns="2" size="medium" ids="64337,64336"]

Aiemmin 7 nanometrin prosessina tunnettu EUV-prosessi tunnetaan jatkossa nimellä Intel 4. Prosessia tullaan hyödyntämään ainakin Meteor Lake- ja Granite Rapids -arkkitehtuurien Compute-sirujen tuotannossa. Prosessi tarjoaa 20 parempaa suorituskykyä wattia kohden verrattuna Intel 7:aan ja sillä on tuotettu jo ensimmäiset koesirut. Intel aikoo aloittaa tuotannon prosessilla vuoden 2022 lopulla ja ensimmäiset tuotteet saapuvat markkinoille vuoden 2023 ensimmäisellä puoliskolla.

Intel 3 tunnettiin puolestaan aiemmin 7 nm+ -nimellä ja se tulee hyödyntämään laajemmin EUV:ta, tarjoamaan tiheämpään pakattuja transistoreita, uudet korkean suorituskyvyn kirjastot ja 18 % parempaa suorituskykyä per watti, kuin Intel 4. Prosessin on tarkoitus seurata 4:sta nopealla aikataululla, sillä ensimmäiset vielä nimeämättömät tuotteet on tarkoitus saada markkinoille jo 2023 vuoden jälkimmäisellä puoliskolla.

[gallery link="file" columns="2" size="medium" ids="64335,64334"]

Vuonna 2024 on vuorossa hyppy FinFET-transistoreista uusiin Gate-All-Around-tyyppisiin RibbonFET-transistoreihin. Aiemmin 5 nm:n prosessina tunnettu prosessi tullaan tuntemaan jatkossa nimellä Intel 20A, jossa A viittaa Ångströmiin eli englanninkielisissä maissa Angstromiin. Yksi Ångström on 0,1 nanometriä tai 100 pikometriä.

[gallery link="file" ids="64333,64332,64342"]

Intel 20A tuo mukanaan lisäksi uuden PowerVia-teknologian. Siinä missä nykymallissa piirissä on alimpana transistorikerros, jonka päällä on metallikerroksia piirin sisäisiä reitityksiä varten ja lopulta ulkoiset kontaktit, siirtää PowerVia transistorit keskelle piiriä. Teknologia yksinkertaistaa sekä virransyötön että signaalien reititystä, mutta toisaalta keskelle siirtyvien transistorien tuottama lämpö tulee kulkemaan signaalireititysten läpi.

20 Ångströmin prosessin jalanjäljissä seuraa 18A, joka tunnettiin aiemmin 5nm+-nimellä. Yhtiön mukaan prosessin on tarkoitus nostaa Intel jälleen markkinoiden terävimmäksi kärjeksi ohi kilpailevien valmistajien. Prosessin on tarkoitus saapua markkinoille vuonna 2025.

Lähde: Intel

Linkki alkuperäiseen juttuun
 

Manager2k

Tukijäsen
Liittynyt
18.12.2016
Viestejä
1 296
Haluan että Sampsa kertoo tämän uutisen selkokielellä Miten Ångströmit suhteutuu ominaisuuksiiltaan ja nopeudeltaa nykyisiin i5/i7 prossuihin.
 
Liittynyt
22.10.2016
Viestejä
8 200
Haluan että Sampsa kertoo tämän uutisen selkokielellä Miten Ångströmit suhteutuu ominaisuuksiiltaan ja nopeudeltaa nykyisiin i5/i7 prossuihin.
Vähän kuten akut ja sähkömoottorit, tai hitsauskoneet, hiilikuitukutomakoneet ja 3d-tulostimet suhteutuvat ominaisuuksiltaan ja nopeudeltaan nykyisiin autoihin.

Tässä uutisessa ei ole kyse mistään prosessoreista tms. kuluttajille myytävistä tuotteista vaan valmistusprosesseista. Niillä voi valmistaa mitä tahansa digitaalista logiikkaa.
 
Viimeksi muokattu:
Liittynyt
17.10.2016
Viestejä
14 810
Jännää sinänsä, että nuo uudet Ångströmit olisivat Intel 2 ja Intel 1.8 :)

Molemmat tietenkin 5nm++++ prosessilla vanhan nimeämisen mukaan.
 
Liittynyt
17.10.2016
Viestejä
8 500
No, parempi tämäkin kuin TSMC:n olemattomien nanometrien mainostus...
 
Liittynyt
22.10.2016
Viestejä
8 200
Harmi, että näissä A-luvuissa mennään edelleen näiden täysin huuhaata olevien deflaationanometrien mukaan (vain yksikkö vaihtaen). Nyt olisi ollut uuden yksikön myötä korjata skaala rehelliseksi.

Mutta yksiköiden tunkeminen prosessin nimeen on sentään lopetettu mikä on kyllä selvä askel kohti rehellisyyttä.

Mutta valitettavasti Intelin on käytännön pakko tanssia tässä asiassa TSMCn ja Samsungin pillin mukaan. Se, kuka valehtelee aggressiivisemmin, saa suuren tietämättömän yleisen silmissä kehittyneimmän valmistustekniikan tittelin.

Tuo, että 20 hypätään 18aan on joko hyvä tai huono asia, mutta pelkään, että huono:

Lienee melko todennäköistä, että itse prosessi ei tuossa pienene oikeasti yhtään, vaan ainoastaan nopeutuu ja muuttuu energiatehokkaammaksi. Eli numerot vaan deflatoituu entisestään.

Jos taas oikeasti seuraavan sukupolven pienempi prossesi "20" jälkeen" olisi "14" sijaan saanut nimen "18" se olisi (tulevaisuudessa) rehellisempää; Intelin "14 nm-> 10nm"-siirtymä oli käytännössä viimeinen jossa mitta pieneni oikeasti suurinpiirtein sen 30% verran mitä nanometrit väittää((ja tiheys tuplaantua kuten sen kuuluisi, 0.7 * 0.7 = 0.49), ja tulevaisuudessa nuo todelliset pienennykset on lähempänä tuota 10%ia kuin 30%ia.


Eri valmistajien välillä vertailukelpoisiin lukuihin liittyen:

Joku ITRS tjsp yritti kehittää jonkun "vähemmän valheellisen" tavan ilmoittaa "keskenään vertailukelpoisia nanometrejä" valmistusprosesseille, mutta IMHO se failasi useammalla tavalla:

1) Se ei perustunut mihinkään todellisiin fyysisiin nanometreihin mutta silti puhui nanometreistä. Edelleenkään ei rehellistä.
2) Se lähinnä loi laskentakaavan sille, miten useampi prosessin todellinen mittaluku ja mainosnanometrit olivat korreloineet aiempina vuosina. Mutta kun Samsung ja TSMC alkoivat jo valehdella nanometreistään aggressivisemmin (ja nyt intel seuraa perässä), se kaava vanheni käytännössä heti käsiin.
3) Se kaava ei skaalaudu "oikein" pinta-alan ja nanometriluvun suhteessa, koska yrittää (failaten) matkia sitä, miten nanometreistaä aikaisemmin keskimäärin valehdeltiin.

Sen sijaan, että yritetään käyttää tuota jo aiemmin valheilla pilattua "viivanleveys nanometreinä"-huuhaa-yksikköä tällaisen universaalin vertailukelpoisen valmistusprosessivertailuluvun pitäisi hylätä täysin yhteys aiempiin huuhaa-lukuihin.

Järkevä yksi vertailuluku eri prosessien välillä olisi esim. se, että laskettaisiin transistori-tai porttitiheyttä muutamassa eri yleisessä tilanteessa (yhdessä optimaalisessa tilanteessa ilmoitettu maksimitiheys ei ole hyvä, koska se toteutuu vain äärimmäisen harvoin ja tosimaailman tiheys korreloi huonosti sen kanssa, eikä myöskään valmiista piireistä laskettu transistoritiheys ole hyvä, koska siihen vaikuttaa hyvin paljon piirin arkkitehtuuri) ja sitten näiden muutamien tilanteiden transistoritiheyksiä yhdisteltäisiin esim. geometrisella keskiarvolla yhdeksi luvuksi.

Oikeastaan voisin heittää suurin piirtein tässä pikaisesti sellaisen yhden mahdollisen jossain järkevän kaavan: prossesin hkultala-luku(v0.3) on (pienimmän standardikirjastokomponentin koko * tiheimmän SRAM-solun koko * (MMP * CPP))^(1/6)
 
Viimeksi muokattu:

moukula

Tukijäsen
Liittynyt
17.10.2016
Viestejä
1 173
Järkevä yksi vertailuluku eri prosessien välillä olisi esim. se, että laskettaisiin transistori-tai porttitiheyttä muutamassa eri yleisessä tilanteessa (yhdessä optimaalisessa tilanteessa ilmoitettu maksimitiheys ei ole hyvä, koska se toteutuu vain äärimmäisen harvoin ja tosimaailman tiheys korreloi huonosti sen kanssa, eikä myöskään valmiista piireistä laskettu transistoritiheys ole hyvä, koska siihen vaikuttaa hyvin paljon piirin arkkitehtuuri) ja sitten näiden muutamien tilanteiden transistoritiheyksiä yhdisteltäisiin esim. geometrisella keskiarvolla.
Mites ois vaikka semmonen että valitaan joku passeli vertailuprosessori indeksiarvoksi, esim. joku tyyliin Pentium 3 ja sitten vertailuluku olisi se, että montako prosessoriydintä uudella valmistustekniikalla saisi mahdutettua sen alkuperäisen prosessorin alkuperäisellä valmistustekniikalla vaatimalle alalle.
 
Liittynyt
22.10.2016
Viestejä
8 200
Mites ois vaikka semmonen että valitaan joku passeli vertailuprosessori indeksiarvoksi, esim. joku tyyliin Pentium 3 ja sitten vertailuluku olisi se, että montako prosessoriydintä uudella valmistustekniikalla saisi mahdutettua sen alkuperäisen prosessorin alkuperäisellä valmistustekniikalla vaatimalle alalle.
Pentium 3 ei ole syntetisoituvaa logiikkaa vaan sisältää käsintehtyä erikoissuunnittelua, joka on tehty erikseen Intelin "250nm", "130nm" ja "90nm" valmistustekniikoille (tosin, osa näistä palikoista voi löytyä vielä "65nm" prosessille, koska osa Intel Core (Yonah):n palikoista voisi vielä toimia P3n kanssa)

Ainoa keino sovittaa Pentium 3 uudelle valmistustekniikalle on nähdä hirveästi vaivaa kaiken tämän custom-kaman porttaamiseksi uudelle valmistustekniikalle.

Ja Pentium 3:n HDL-koodit on intelin copyrightattuja ja Intelin hallussa, Intel ei niitä anna ulos että kukaan muu voisi Pentium 3sta alkaa syntetisoimaan uusille valmistustekniikoille, vaikka custom-logiikka saataisin portattuakin.

Ja joku Pentium 3 ei kuvasta kovin hyvin nykyisiä designeja muutenkaan. Esim. nykyaikaisissa prosessoreissa välimuistien osuus on todella paljon suurempi kuin Pentium 3ssa, ja toisaalta taas muut nykyaikaiset piirit kuin CPUt on suunniteltu paljon lyhyemmälle liukuhihnalle, suhteessa (mutta ei absoluuttisesti) pienempiä kellotaajuuksia ajatellen.


Ja täsmälleen identtisestä HDL-koodista saadaan ulos hyvin erilaisia lopputuloksia sen mukaan, millaiset parametrit synteesille annetaan. Simppelein parametri on, että kuinka paljon siltä vaaditaan kelloa, joutuuko se optimoimaan aggressiivisesti saadakseen kriiittisillä polkuja lyhemmiksi vai ei (tämä vaikuttaa sekä siihen, mitä algoritmeja synteesissä käytetään jonkun HDL-kielen operaation toteuttamiseen (esim. sarjamuotoinen peruskoulualgoritmi yhteelaskulle on hidas mutta pieni ja vähävirtainen, joku kehittynyt yhteenlaskuyksikkö on nopeampi mutta isompi) sekä siihen, kuinka paljon voidaan käyttää pieniä ja vähävirtaisia soluja vs isompia ja nopeampia soluja.

Mutta käytännössä synteesiasetuksia on ziljoona muutakin kuin vain kellotaajuus.

Ottamalla mikä tahansa "esimerkkidesign" ja syntetisoimalla se, ollaan siis 1) HDL-synteesin parametrien armoilla 2) sen designin tarpeiden armoilla.

Eli jos on vaikka joku tietty solutyyppi, joka valmistustekniikan kehittyessä ei juuri pienene(esim. eDRAM kuoli jo tämän takia), mutta kaikki muut pienenee, voi käydä niin, että vanhat designit käyttää ominaisuuksia jotka tarvii tätä solutyyppiä enemmän, ja se solutyyppi alkaa dominoida kokoa kun vanhaa designia sovitetaan uusille valmistustekniikoille. Mutta jos tehdään uusia designeja uusien valmistustekniikoiden ominaisuudet huomioonottaen, näitä ominaisuuksia/tätä solutyppiä pyritään välttämään, tämän solutyypin koon pienenemättömyys ei ole niin suuri ongelma.

Geometrinen keskiarvo estää sitä, että yksi asia ei pääse dominoimaan lopputulosta niin pahasti vaikka tasapaino tilanteiden välillä ajan kuluessa muuttuu.


Käytännössähän SRAM-piireillä tällaisia valmistusprosessien välisiä vertailuitahan kyllä jonkin verran tehdään ja lasketaan SRAMin tiheyksiä. Mutta tämäkään ei kerro vielä kovin hyvin logiikan tiheydestä, vaikka onkin parempi indikaattori siihen kuin huuhaa-nanometriluvut.
 
Viimeksi muokattu:

mRkukov

Hrrrr...
Liittynyt
17.10.2016
Viestejä
6 643
A viittaa Ångströmiin eli englanninkielisissä maissa Angstromiin.
Intel 20A
Intel 18A

Monikohan ajattelee tuon viittaavan atomeihin? "Ai nyt ollaan jo näin lähellä atomitasoa, josta on puhuttu jo pitkään".

A niin kuin Ångström. :facepalm:
 

Kaotik

Banhammer
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
14.10.2016
Viestejä
17 329
Intel 20A
Intel 18A

Monikohan ajattelee tuon viittaavan atomeihin? "Ai nyt ollaan jo näin lähellä atomitasoa, josta on puhuttu jo pitkään".

A niin kuin Ångström. :facepalm:
Joo, vähän tylsää koska se virallinen lyhenne on Å eikä A maasta riippumatta
 
Liittynyt
29.08.2017
Viestejä
47
Intel 20A
Intel 18A

Monikohan ajattelee tuon viittaavan atomeihin? "Ai nyt ollaan jo näin lähellä atomitasoa, josta on puhuttu jo pitkään".

A niin kuin Ångström. :facepalm:
Kyllä itsellä tulee ampeerit ekana mieleen ja tuollaset arvot, niin jonkun sortin sulakkeet.
 

mRkukov

Hrrrr...
Liittynyt
17.10.2016
Viestejä
6 643
Kyllä itsellä tulee ampeerit ekana mieleen ja tuollaset arvot, niin jonkun sortin sulakkeet.
No sekin vielä. Lähinnä mietin että mihin tuon voisi sekoittaa ihan konteksti huomioiden ja tekniikasta jotain ymmärtävänä. Eli mihin A voisi viitata kun puhutaan nanometriluokan mittakaavoista. No tietenkin Ångströmiin. :dead:
 

Oss

Liittynyt
17.10.2016
Viestejä
119
Angmarin aikakausi on alkanut, nyt noidutaan numerot uuteen uskoon!

Mitä tämä kaikki sitten tarkoittaa, vain velhot voivat vastata. :eek:
 
Liittynyt
03.01.2018
Viestejä
494
Intelin 20A prosessi lienee hyvin pitkälti IBM:n kehittämä, siksi kai luottamusta sen toimivuuteen on tullut ulkopuolisilta asiakkailtakin. Intelhän julkisti tämän IBM-yhteistyön myös tuossa Gelsingerin ensimmäisessä IDM 2.0-tilaisuudessa - nythän eivät siitä juurikaan puhuneet mutta huhut kertovat että IBM:n käsiala olisi vahvasti läsnä.
 
Liittynyt
01.02.2020
Viestejä
253
Osake laski tuosta taas jonkin verran, onko tuolla kuitenkaan käytännössä mitään merkitystä muuta kuin että taivutaan kilpalijoiden vuoksi ja joudutaan pelaamaan heidän säännöillään? Ongelmat prosessin kanssa ovat kaikilla tiedossa ja se 10nm prosessi on kuitenkin sieltä nyt tulossa millä pystyy kilpailemaan sitten taas vähän paremmin?
 
Liittynyt
13.12.2016
Viestejä
79
Kyllä itsellä tulee ampeerit ekana mieleen ja tuollaset arvot, niin jonkun sortin sulakkeet.
20 A ois matalan suorituskyvyn prossu, kun perusjännite taitaa näissä pyöriä siinä 1-1.25 V pintaa ja tehokkaimpien prossujen TDP lähentelee 100 W, eli >70 A
 
Liittynyt
11.02.2019
Viestejä
1 056
Osake laski tuosta taas jonkin verran, onko tuolla kuitenkaan käytännössä mitään merkitystä muuta kuin että taivutaan kilpalijoiden vuoksi ja joudutaan pelaamaan heidän säännöillään? Ongelmat prosessin kanssa ovat kaikilla tiedossa ja se 10nm prosessi on kuitenkin sieltä nyt tulossa millä pystyy kilpailemaan sitten taas vähän paremmin?
Väittäisin että edessä on prosessinimiuudistukset muillakin melko nopeasti, tuskin sentään aletaan pikometreissä ilmottamaan kun nanometrit loppuu kesken.
 

Kaotik

Banhammer
Ylläpidon jäsen
Liittynyt
14.10.2016
Viestejä
17 329
Osake laski tuosta taas jonkin verran, onko tuolla kuitenkaan käytännössä mitään merkitystä muuta kuin että taivutaan kilpalijoiden vuoksi ja joudutaan pelaamaan heidän säännöillään? Ongelmat prosessin kanssa ovat kaikilla tiedossa ja se 10nm prosessi on kuitenkin sieltä nyt tulossa millä pystyy kilpailemaan sitten taas vähän paremmin?
Onhan Inteliltä tullut jo kolme 10nm:n prosessisukupolvea ja kaksi tuotteistettu ihan kunnolla, tuo nyt Intel 7:ksi nimetty olisi ollut 4. 10nm prosessi jo Inteliltä
 

mRkukov

Hrrrr...
Liittynyt
17.10.2016
Viestejä
6 643
Vaihdetaan vanha fyysinen mitta, joka ei vastannut yhtään mitään, uuteen fyysiseen mittaan, joka ei vastaa taaskaan yhtään mitään. Ihan sama olisi ollut ilmoitella pikometreissä. Kohta oltaisiin jo alle 100 pikometrissä ja prosessiin kuuluisi fissio-vaihe, jossa liian isot atomit pilkottaisiin pienemmiksi.

Eivätkö nyt oikeasti voineet kehittää jotan todelliseen tiheyteen viittaavaa nimeämistä? Siis sellaista joka vastaisi todellisten tuotteiden jotain todellista tiheyttä, eikä vain pelkkää markkinointisontaa.
 
Liittynyt
03.01.2018
Viestejä
494
Vaihdetaan vanha fyysinen mitta, joka ei vastannut yhtään mitään, uuteen fyysiseen mittaan, joka ei vastaa taaskaan yhtään mitään. Ihan sama olisi ollut ilmoitella pikometreissä. Kohta oltaisiin jo alle 100 pikometrissä ja prosessiin kuuluisi fissio-vaihe, jossa liian isot atomit pilkottaisiin pienemmiksi.

Eivätkö nyt oikeasti voineet kehittää jotan todelliseen tiheyteen viittaavaa nimeämistä? Siis sellaista joka vastaisi todellisten tuotteiden jotain todellista tiheyttä, eikä vain pelkkää markkinointisontaa.
Ne nyt on vain prosessin nimiä ja tiheys on vain yksi mitta prosessissa. Eli jos haluaisivat voisivat nimetä prosessinsa vaikka sram-transistoreja per neliömillimetri, mutta ei se verrokkina kertoisi prosesseista sen enempää kuin nykyinen käytöntökään. Eli esimerkkinä nämä Intelin 14nm ja 10nm variaatiot, niissähän transistoritiheys pienenee prosessin kehittyessä. Eli Intel on keskittynyt vähentämään kapasitanssia ja suurentamaan transistorien virranvahvistuskykyä joka yhtäaikaa sekä tiputtaa tehonkulutusta että mahdollistaa suuremmat kellotaajuudet/ monimutkaisemmat piirit. Mutta jos verrokkina olisi transistoritiheys nimeämisen mukaan prosessin uudemmat variaatiot olisivatkin huonompia kuin vanhemmat.....
 
Toggle Sidebar

Statistiikka

Viestiketjut
140 684
Viestejä
2 684 496
Jäsenet
52 521
Uusin jäsen
Tugexxx

Hinta.fi

Ylös Bottom