Huhu: Samsungin 2. sukupolven 3 nanometrin GAA-valmistusprosessin saannot katastrofaalisen surkeita

[Kaotik]

Samsungin toisen sukupolven 3 nanometrin luokan GAA- eli Gate-All-Around-valmistusprosessin saantojen huhutaan olevan vain noin 20 %:n luokkaa.
Tämä olisi myös syy siihen, miksei yhtiö väitetysti kykene tuottamaan kylliksi uusia Exynos 2500 -järjestelmäpiirejä käytettäväksi seuraavan sukupolven Galaxy S25 -malleissa.

Huhujen mukaan Samsungin tavoite olisi n. 70 %:n saannot ja prosessin ensimmäinen sukupolvi olisi yltänyt noin 50-60 %:iin asti.

Lähde: Samsung's Second-Gen 3 nm GAA Process Shows 20% Yields, Missing Production Goals

 

[aleksejjj]

En ole seurannut Samsungin kuulumisia viime aikoina kovinkaan tarkkaan, joten kysymys: mitä järjestelmäpiiriä S25-mallit käyttää jos tuon prosessin saannot on noin huonot?

 

[Juha Kokkonen]

En ole seurannut Samsungin kuulumisia viime aikoina kovinkaan tarkkaan, joten kysymys: mitä järjestelmäpiiriä S25-mallit käyttää jos tuon prosessin saannot on noin huonot?

Ekköhän siellä sitten tilata Qualcommilta isompi kasa Snapdragon 8 Elite -piiriä, tai vaihtoehtoisesti paikataan Mediatekin Dimensity 9400:llä puutetta.

 

[FlyingAntero]

Samsungilla ei mennyt kovin vahvasti edes 4nm prosessin kanssa, minkä vuoksi sekä Exynos 2200 että Snapdragon 8 gen1 piirit kärsivät lämpöongelmista, kun valmistettiin Samsungin prosessilla. Ilmeisesti huonojen saantojen vuoksi Qualcomm joutui vaihtamaan Samsungin TSMC:ään Snapdragon 8 gen1 -> Snapdragon 8+ gen1 välillä. Snapdragon 8+ gen1 piirillä virrankulutus oli huomattavasti paremmalla tolalla.

• Samsung’s horrible yield forces Qualcomm to give TSMC its business

Samsung’s issues with yield are concerning. It’s said that the yield of the Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1 manufactured by Samsung Foundry is 35%. What that simply means is that out of the 100 pieces that are manufactured, 65 are defective. The yield for Samsung’s own 4nm Exynos 2200 is shockingly said to be even lower than this.