- Liittynyt
- 14.10.2016
- Viestejä
- 22 910
![tsmc-wafer-20180508.jpg](https://www.io-tech.fi/wp-content/uploads/2018/05/tsmc-wafer-20180508.jpg)
Kilpailuun puolijohdevalmistuksen kuninkuudesta osallistuu enää kolme kilpailijaa: Intel, Samsung ja TSMC. Intel on paininut viime vuodet 10 nanometrin prosessinsa ongelmien parissa, mutta Samsung ja TSMC valmistavat kumpikin täyttä häkää piirejä vastaavilla 7 nanometrin prosesseillaan.
Sekä Samsungin että TSMC:n ensimmäiset 7 nm:n valmistusprosessit käyttävät perinteistä DUF-litografiaa (Deep UltraViolet). Viime lokakuussa TSMC ilmoitti valmistaneensa ensimmäisen piirin toisen sukupolven 7 nm:n valmistusprosessillaan, jossa osa kerroksista hyödyntää uutta EUV-litografiaa (Extreme UltraViolet). Samsung nokitti vielä saman kuun aikana toteamalla yhtiön aloittaneen massatuotannon omalla 7 nanometrin EUV-litografiaa hyödyntävällä valmistusprosessillaan. EUV-litografia mahdollistaa 13,5 nanometrin aallonpituudellaan selvästi pienemmät yksityiskohdat, kuin 193 nm:n aallonpituuden laseria hyödyntävä litografia.
DigiTimesin lähteiden mukaan myös TSMC valmistautuu parhaillaan 7 nm:n EUV-prosessin massatuotantoon. Sivuston lähteiden mukaan yhtiön pitäisi saada massatuotanto käyntiin tulevan maaliskuun aikana. Samassa yhteydessä yhtiön kerrotaan aloittavan riskituotannon 5 nm:n EUV-prosessilla saman kuun aikana. Aiemmin yhtiö suunnitteli 5 nm:n EUV-prosessin riskituotantoa huhtikuulle. TSMC ei ole toistaiseksi kommentoinut ketkä sen asiakkaista ovat siirtymässä EUV-prosessin käyttöön tai millä aikataululla se tapahtuu.
Päivitys:
Toisin kuin uutisessa aiemmin mainittiin, Samsungilla myös ensimmäisen sukupolven 7 nm:n valmistusprosessi hyödynsi EUV:tä.
Lähde: DigiTimes
Huom! Foorumiviestistä saattaa puuttua kuvagalleria tai upotettu video.
Linkki alkuperäiseen uutiseen (io-tech.fi)
Palautelomake: Raportoi kirjoitusvirheestä
Viimeksi muokattu: