3gae
-
Samsung kertoi lisätietoja ensi vuonna käyttöön tulevasta 3 nanometrin GAAFET-prosessista
Kaotik kirjoitti uutisen/artikkelin: Huippusuorituskyvyn piireissä siirryttiin perinteisistä 2D-transistoreista kolmiulotteisiin FinFET-transistoreihin vuonna 2012, kun Intel aloitti Ivy Bridge -prosessoreiden myynnin. Pian on edessä seuraava askel, kun valmistajat aloittavat siirtymisen kohti...- Kaotik
- Keskustelu
- 3 nm 3gae gaafet mbcfet nanosheet nanowire samsung
- Vastauksia: 7
- Osio: io-tech.fi uutiset
Uutiset
-
Intelin isoon Battlemageen perustuva Arc Pro B70 pääsi pelitesteihin
6.5.2026 05:35
-
AMD ylsi ensimmäisellä neljänneksellä jälleen ennätysliikevaihtoon
6.5.2026 04:32
-
Ruotsalainen Mionix julkaisi ultrakeveän Avior Air Carbon Fiber -pelihiiren norjalaisella järjestelmäpiirillä
6.5.2026 02:49
-
Samsungin vuosi alkoi menestysneljänneksellä
5.5.2026 04:40
-
Intelin 12 P-ytimellä varustettu Core 9 273PQE pelitesteissä (Bartlett Lake)
5.5.2026 01:16
