3gae
-
Samsung kertoi lisätietoja ensi vuonna käyttöön tulevasta 3 nanometrin GAAFET-prosessista
Kaotik kirjoitti uutisen/artikkelin: Huippusuorituskyvyn piireissä siirryttiin perinteisistä 2D-transistoreista kolmiulotteisiin FinFET-transistoreihin vuonna 2012, kun Intel aloitti Ivy Bridge -prosessoreiden myynnin. Pian on edessä seuraava askel, kun valmistajat aloittavat siirtymisen kohti...- Kaotik
- Keskustelu
- 3 nm 3gae gaafet mbcfet nanosheet nanowire samsung
- Vastauksia: 7
- Osio: io-tech.fi uutiset
Uutiset
-
MediaTek julkaisi uuden lippulaivatason Dimensity 9500 -järjestelmäpiirin
22.9.2025 21:46
-
Applen ultraohut iPhone Air iFixitin purettavana ja JerryRigEverything-kanavan kestävyystestissä
22.9.2025 16:13
-
Huawei julkisti Watch GT 6 -sarjan älykellot sekä joukon muita puettavia uutuuksia
19.9.2025 16:00
-
AGON by AOC julkaisi AGON Pro AG276QKD2 QD-OLED-pelinäytön
19.9.2025 01:16
-
AMD julkaisi AMD Software 25.9.2-ajurit näytönohjaimilleen ja prosessoreilleen
18.9.2025 22:43
