3gae
-
Samsung kertoi lisätietoja ensi vuonna käyttöön tulevasta 3 nanometrin GAAFET-prosessista
Kaotik kirjoitti uutisen/artikkelin: Huippusuorituskyvyn piireissä siirryttiin perinteisistä 2D-transistoreista kolmiulotteisiin FinFET-transistoreihin vuonna 2012, kun Intel aloitti Ivy Bridge -prosessoreiden myynnin. Pian on edessä seuraava askel, kun valmistajat aloittavat siirtymisen kohti...- Kaotik
- Keskustelu
- 3 nm 3gae gaafet mbcfet nanosheet nanowire samsung
- Vastauksia: 7
- Osio: io-tech.fi uutiset
Uutiset
-
Intelin tulevan sukupolven Nova Lake vuotojen kohteena
13.2.2026 00:57
-
Sony esitteli uudet WF-1000XM6-vastamelunappikuulokkeet mallistonsa huipulle
12.2.2026 18:00
-
AOC:lta uusi edullinen IPS-pelinäyttö neljällä eri variantilla
12.2.2026 13:19
-
Qualcommin Snapdragon X2 Elite -kannettava vakuuttaa Hardware Canucksin ennakkotestissä
11.2.2026 23:23
-
Samsung pitää Galaxy Unpacked -tilaisuuden 25. helmikuuta San Franciscossa
11.2.2026 21:51
