3gae
-
Samsung kertoi lisätietoja ensi vuonna käyttöön tulevasta 3 nanometrin GAAFET-prosessista
Kaotik kirjoitti uutisen/artikkelin: Huippusuorituskyvyn piireissä siirryttiin perinteisistä 2D-transistoreista kolmiulotteisiin FinFET-transistoreihin vuonna 2012, kun Intel aloitti Ivy Bridge -prosessoreiden myynnin. Pian on edessä seuraava askel, kun valmistajat aloittavat siirtymisen kohti...- Kaotik
- Keskustelu
- 3 nm 3gae gaafet mbcfet nanosheet nanowire samsung
- Vastauksia: 7
- Osio: io-tech.fi uutiset
Uutiset
-
Corsair julkaisi uudet iCUE Link LX-R RGB -tuulettimet käänteisillä lavoilla
19.11.2024 21:48
-
Asus julkisti Snapdragon 8 Elite -piiriä käyttävän ROG Phone 9 -pelipuhelimensa
19.11.2024 13:20
-
Vuoto: Intelin ”Arrow Lake-U” onkin vain päivitetty Meteor Lake
19.11.2024 03:38
-
LG julkaisi 480-hertsisen OLED-pelinäytön QHD-resoluutiolla
18.11.2024 22:33
-
Uusi artikkeli: Testissä Apple Watch Series 10 -älykello
18.11.2024 19:45
Uutisia lyhyesti
-
Motorolalta jo lähes 30 älypuhelinmallille on varmistunut Android 15 -päivitys
- NeliYgönen
- Vastauksia: 0
-
Huhuissa Applelta odotetaan noin 6 mm paksua "iPhone 17 Air" -mallia ensi syksynä- Juha Kokkonen
- Vastauksia: 0
-
Samsungin huhutaan suunnittelevan Exynos-piirituotannon ulkoistamista TSMC:lle
- NeliYgönen
- Vastauksia: 15
-
Redmagic esitteli Kiinassa uuden 10 Pro -lippulaivapuhelimensa
- Juha Kokkonen
- Vastauksia: 0
