3gae
-
Samsung kertoi lisätietoja ensi vuonna käyttöön tulevasta 3 nanometrin GAAFET-prosessista
Kaotik kirjoitti uutisen/artikkelin: Huippusuorituskyvyn piireissä siirryttiin perinteisistä 2D-transistoreista kolmiulotteisiin FinFET-transistoreihin vuonna 2012, kun Intel aloitti Ivy Bridge -prosessoreiden myynnin. Pian on edessä seuraava askel, kun valmistajat aloittavat siirtymisen kohti...- Kaotik
- Keskustelu
- 3 nm 3gae gaafet mbcfet nanosheet nanowire samsung
- Vastauksia: 7
- Osio: io-tech.fi uutiset
Uutiset
-
io-techin toimitus toivottaa turvallista ja rentouttavaa juhannusta 2025!
20.6.2025 15:50
-
Intelin tuleva Nova Lake -työpöytäprosessori vuotojen kohteena
20.6.2025 15:40
-
Video: Testissä Fractal Scape -pelikuulokkeet
19.6.2025 17:35
-
Scape on Fractal Designin ensimmäinen headset
19.6.2025 00:57
-
BOE esitteli 32″ 8K-näyttöä 120 hertsin virkistystaajuudella ja muita tulevia uutuuksiaan
18.6.2025 01:59
