3gae
-
Samsung kertoi lisätietoja ensi vuonna käyttöön tulevasta 3 nanometrin GAAFET-prosessista
Kaotik kirjoitti uutisen/artikkelin: Huippusuorituskyvyn piireissä siirryttiin perinteisistä 2D-transistoreista kolmiulotteisiin FinFET-transistoreihin vuonna 2012, kun Intel aloitti Ivy Bridge -prosessoreiden myynnin. Pian on edessä seuraava askel, kun valmistajat aloittavat siirtymisen kohti...- Kaotik
- Keskustelu
- 3 nm 3gae gaafet mbcfet nanosheet nanowire samsung
- Vastauksia: 7
- Osio: io-tech.fi uutiset
Uutiset
-
Intel julkaisi uudet ajurit Arc- ja Xe-näytönohjaimilleen (32.0.101.6559)
13.2.2025 15:10
-
AMD julkaisi AMD Software 25.2.1 -ajurit näytönohjaimilleen
13.2.2025 14:50
-
Qualcomm julkisti edullisempaan hintaluokkaan uuden Snapdragon 6 Gen 4 -järjestelmäpiirin
12.2.2025 22:52
-
Kokemäelle aiotaan rakentaa jättimäinen jopa 500 megawatin datakeskus
12.2.2025 02:46
-
Ensimmäiset 12V-2×6-liittimet sulaneet GeForce RTX 5090:n parina
12.2.2025 02:31
Uusimmat viestit
-
-
-
Ensimmäiset 12V-2x6-liittimet sulaneet GeForce RTX 5090:n parina
- Viimeisin: 53 4E 41 46 55
-
-
